Nature.com-a gireniňiz üçin sag boluň.Ulanylýan brauzer wersiýaňyzyň çäkli CSS goldawy bar.Iň oňat tejribe üçin täzelenen brauzeri ulanmagy maslahat berýäris (ýa-da Internet Explorer-de Gabat geliş tertibini öçüriň).Şol aralykda, dowamly goldawy üpjün etmek üçin sahypany stil we JavaScript bolmazdan hödürläris.
4H-SiC güýç ýarymgeçiriji enjamlar üçin material hökmünde söwda edildi.Şeýle-de bolsa, 4H-SiC enjamlarynyň uzak möhletli ygtybarlylygy olaryň giň ulanylmagyna päsgelçilik bolup durýar we 4H-SiC enjamlarynyň iň möhüm ygtybarlylygy bipolýar zaýalanmakdyr.Bu zaýalanma, 4H-SiC kristallarynda bazal tekiz uçuşlaryň ýaýramagynyň ýekeje Şokli ýalňyşlygy (1SSF) sebäpli ýüze çykýar.Bu ýerde, 4H-SiC epitaksial wafli protonlary ýerleşdirip, 1SSF giňelmegini basyp ýatyrmagyň usulyny teklip edýäris.Proton implantasiýasy bilen wafli öndürilen PiN diodlary, proton implantasiýasyz diodlar bilen birmeňzeş tok naprýa .eniýe aýratynlyklaryny görkezdi.Munuň tersine, proton bilen ýerleşdirilen PiN diodynda 1SSF giňelmegi netijeli basylýar.Şeýlelik bilen, protonlaryň 4H-SiC epitaksial waflere ýerleşdirilmegi, enjamyň işleýşini saklamak bilen 4H-SiC güýç ýarymgeçiriji enjamlaryň bipolý zaýalanmagyny basmagyň täsirli usulydyr.Bu netije ýokary ygtybarly 4H-SiC enjamlarynyň ösmegine goşant goşýar.
Silikon karbid (SiC), agyr şertlerde işläp bilýän ýokary güýçli, ýokary ýygylykly ýarymgeçiriji enjamlar üçin ýarymgeçiriji material hökmünde giňden tanalýar1.SiC polipleri köp, şolaryň arasynda 4H-SiC ýokary elektron hereketi we güýçli döwülýän elektrik meýdany ýaly ajaýyp ýarymgeçiriji enjamyň fiziki aýratynlyklaryna eýedir2.Diametri 6 dýuým bolan 4H-SiC wafli häzirki wagtda täjirleşdirilýär we güýç ýarymgeçiriji enjamlary köpçülikleýin öndürmek üçin ulanylýar3.Elektrik ulaglary we otlylar üçin çekiş ulgamlary 4H-SiC4.5 güýçli ýarymgeçiriji enjamlar arkaly ýasaldy.Şeýle-de bolsa, 4H-SiC enjamlary dielektrik döwülmegi ýa-da gysga utgaşma ygtybarlylygy ýaly uzak möhletli ygtybarlylyk meselelerinden ejir çekýär, olaryň 6,7-si ygtybarlylygyň möhüm meselelerinden biri bipolýar zaýalanmak2,8,9,10,11.Bu bipolý zaýalanma 20 ýyl mundan ozal ýüze çykaryldy we SiC enjamynyň ýasalyşynda köpden bäri problema bolup gelýär.
Bipolýar zaýalanmak, rekombinasiýa güýçlendirilen dislokasiýa slaýdynyň (REDG) 12,13,14,15,16,17,18,19 ýaýramagy bilen 4H-SiC kristallarynda ýekeje Şokli stack kemçiligi (1SSF) sebäpli ýüze çykýar.Şonuň üçin BPD giňelmegi 1SSF-e basylsa, 4H-SiC güýç enjamlary bipolýar zaýalanmazdan ýasalyp bilner.BPD-iň ýaýramagynyň öňüni almak üçin BPD-den Thread Edge Dislocation (TED) 20,21,22,23,24 ýaly birnäçe usulyň bardygy habar berildi.Iň soňky SiC epitaksial wafli, BPD epitaksial ösüşiň başlangyç döwründe BPD-iň TED-e öwrülmegi sebäpli epitaksial gatlakda däl-de, substratda bolýar.Şonuň üçin bipolý zaýalanmagyň galan meselesi BPD-iň 25,26,27 substratda paýlanmagydyr.Drift gatlagy bilen substratyň arasynda “birleşdirilen güýçlendiriji gatlagyň” goýulmagy28, 29, 30, 31 substratda BPD giňelmegini basyp ýatyrmagyň täsirli usuly hökmünde teklip edildi. Bu gatlak elektron deşik jübütleriniň rekombinasiýasyny ýokarlandyrýar. epitaksial gatlak we SiC substraty.Elektron deşik jübütleriniň sanyny azaltmak, REDG-iň substratdaky BPD-e hereketlendiriji güýjüni azaldar, şonuň üçin birleşdirilen berkitme gatlagy bipolýar zaýalanmagy basyp biler.Bir gatlagyň goýulmagy wafli öndürmekde goşmaça çykdajylaryň döreýändigini we gatlak goýulmazdan diňe daşaýjynyň ömrüne gözegçilik etmek arkaly elektron deşik jübütleriniň sanyny azaltmak kyndygyny bellemelidiris.Şol sebäpli, enjam öndürmek bahasy bilen hasyl arasynda has gowy deňagramlylygy gazanmak üçin beýleki basyş usullaryny ösdürmäge güýçli zerurlyk bar.
BPD-ni 1SSF-e uzaltmak bölekleýin süýşmeleriň (PD) hereketini talap edýändigi sebäpli, PD-ni dakmak bipolý zaýalanmagynyň öňüni almak üçin geljegi uly çemeleşme.Metal hapalar bilen PD-yň berkidilendigi habar berilse-de, 4H-SiC substratlardaky FPD-ler epitaksial gatlagyň üstünden 5 μm uzaklykda ýerleşýär.Mundan başga-da, SiC-de islendik metalyň diffuziýa koeffisiýenti gaty az bolansoň, metal hapalarynyň substrata ýaýramagy kyn.Metallaryň has uly atom massasy sebäpli metallaryň ion implantasiýasy hem kyn.Munuň tersine, wodorod ýagdaýynda iň ýeňil element, ionlar (protonlar) 4V-SiC-e MeV derejeli tizlendiriji ulanyp, 10 µm-den gowrak çuňluga ýerleşdirilip bilner.Şol sebäpden, proton implantasiýasy PD berkitmesine täsir edýän bolsa, substratda BPD ýaýramagyny basyp ýatyrmak üçin ulanylyp bilner.Şeýle-de bolsa, proton implantasiýasy 4H-SiC zeper ýetirip, enjamyň işleýşiniň peselmegine sebäp bolup biler37,38,39,40.
Proton implantasiýasy sebäpli enjamyň zaýalanmagyny ýeňip geçmek üçin, enjamy gaýtadan işlemekde akseptor ion implantasiýasyndan soň köplenç ulanylýan anneal usulyna meňzeş zeperleri bejermek üçin ýokary temperaturaly anneal ulanylýar, ikinji ion köpçülik spektrometri (SIMS) 43 bar temperatureokary temperaturaly garyşyk sebäpli wodorodyň ýaýramagy habar berildi, SIMS ulanyp PR-iň berkidilmegini kesgitlemek üçin diňe FD-iň golaýyndaky wodorod atomlarynyň dykyzlygy ýeterlik däl.Şonuň üçin bu gözlegde, protonlary 4H-SiC epitaksial waflere enjam ýasamakdan ozal, şol sanda ýokary temperatura annealini goýduk.Synag enjamlarynyň gurluşy hökmünde PiN diodlaryny ulandyk we proton bilen oturdylan 4H-SiC epitaksial wafli ýasadyk.Soňra proton sanjymy sebäpli enjamyň işleýşiniň peselmegini öwrenmek üçin wolt-amper aýratynlyklaryna syn etdik.Netijede, PiN diodyna elektrik naprýa .eniýesini ulananymyzdan soň, elektroluminesensiýa (EL) şekillerinde 1SSF-iň giňelmegine syn etdik.Ahyrynda proton sanjymynyň 1SSF giňelmeginiň basyşyna täsirini tassykladyk.
Injirde.1-nji suratda, impulsly tokdan öň proton implantasiýasy bolmadyk sebitlerde otag temperaturasynda PiN diodlarynyň häzirki - naprýa .eniýe aýratynlyklary (CVC) görkezilýär.Proton sanjymly PiN diodlar, IV häsiýetleri diodlaryň arasynda paýlaşylsa-da, proton sanjym etmezden diodlara meňzeş düzediş aýratynlyklaryny görkezýär.Sanjym şertleriniň arasyndaky tapawudy görkezmek üçin, 2-nji suratda görkezilişi ýaly statistiki sýu plotet hökmünde 2,5 A / sm2 (100 mA gabat gelýän) häzirki tok dykyzlygynda naprýa frequeniýe ýygylygyny kesgitledik. punktir çyzyk bilen.setir.Egrileriň iň ýokary nokatlaryndan görnüşi ýaly, 1014 we 1016 sm-2 proton dozalarynda garşylyk birneme ýokarlanýar, 1012 sm-2 proton dozasy bolan PiN diody proton implantasiýasy bilen birmeňzeş häsiýetleri görkezýär. .Şeýle hem, öňki barlaglarda beýan edilişi ýaly S1-nji suratda görkezilişi ýaly proton implantasiýasy zerarly birmeňzeş elektroluminesensiýany görkezmeýän PiN diodlary ýasalandan soň proton implantasiýasyny etdik.Şol sebäpden, Al ionlary implantasiýa edilenden soň 1600 ° C-de gyzdyrmak, Al kabul edijini işjeňleşdirmek üçin enjamlary ýasamak üçin zerur bir prosesdir, bu proton implantasiýasy sebäpli dörän zyýany düzedip biler, bu bolsa CVC-leri implantasiýa edilmedik proton PiN diodlarynyň arasynda birmeňzeş eder. .-5 V-de ters tok ýygylygy S2-nji suratda hem görkezilýär, proton sanjymy bilen diodlaryň arasynda düýpli tapawut ýok.
PiN diodlarynyň wolt-amper aýratynlyklary, otag temperaturasynda sanjym edilen protonlar bilen.Rowaýat protonlaryň dozasyny görkezýär.
Sanjymly we sanjylmadyk protonlar bilen PiN diodlary üçin göni tok 2,5 A / cm2-de naprýa .eniýe ýygylygy.Punktir çyzyk adaty paýlanyşa laýyk gelýär.
Injirde.3 naprýatageeniýeden soň häzirki dykyzlygy 25 A / cm2 bolan PiN diodyň EL şekilini görkezýär.Impulsly tok ýüküni ulanmazdan ozal, 3-nji suratda görkezilişi ýaly diodyň garaňky sebitleri syn edilmedi.Şeýle-de bolsa, injirde görkezilişi ýaly.3a, proton implantasiýasyz PiN diodynda, elektrik naprýa .eniýesini ulanandan soň ýeňil gyralary bolan birnäçe gara zolakly sebitler syn edildi.Şeýle çybyk şekilli garaňky sebitler, BPD-den substratda uzalyp gidýän 1SSF üçin EL şekillerinde bolýar.Muňa derek, 3b - d suratda görkezilişi ýaly, implantirlenen protonlar bilen PiN diodlarynda käbir uzaldylan berkitme kemçilikleri hasaba alyndy.Rentgen topografiýasyny ulanyp, proton sanjym etmezden PiN diodyndaky kontaktlaryň periferiýasyndaky BPD-den substrata geçip bilýän PR-leriň bardygyny tassykladyk (4-nji surat: ýokarky elektrody aýyrman bu surat (surat, PR) elektrodlaryň aşagynda görünmeýär) Şonuň üçin EL şekilindäki garaňky meýdan substratda uzaldylan 1SSF BPD gabat gelýär. Beýleki ýüklenen PiN diodlarynyň EL şekilleri 1-nji we 2-nji suratlarda görkezilýär we S3-S6 wideolary uzaldylan we uzaldylanok Garaňky ýerler (proton sanjym etmän we 1014 sm-2 implantasiýa edilmedik PiN diodlarynyň wagt üýtgeýän EL şekilleri) goşmaça maglumatlarda görkezilýär.
2 sagat elektrik stresinden (a) proton implantasiýasyz we implantasiýa dozalary bilen (b) 1012 sm-2, (c) 1014 sm-2 we (d) 1016 sm-2-den soň 25 A / cm2-de PiN diodlarynyň EL şekilleri protonlar.
Giňeldilen 1SSF-iň dykyzlygyny, 5-nji suratda görkezilişi ýaly, her şert üçin üç PiN diodda açyk gyralary bolan garaňky ýerleri hasaplamak bilen hasapladyk, protonyň dozasynyň ýokarlanmagy bilen, hatda 1012 sm-2 dozada-da azalýar 1SSF-iň dykyzlygy azalýar, giňeldilen 1SSF-iň dykyzlygy, implantasiýa edilmedik PiN diodyna garanyňda ep-esli pesdir.
Impulsly tok bilen ýüklenenden soň proton implantasiýasy bilen we SF PiN diodlarynyň dykyzlygynyň ýokarlanmagy (her ştata üç sany ýüklenen diod girýär).
Daşaýjynyň ömrüni gysgaltmak giňelmäniň basyşyna hem täsir edýär we proton sanjymy daşaýjynyň ömrüni 32,36 azaldar.Daşaýjynyň ömrüni 1014 sm-2 sanjymly protonlar bilen 60 µm galyňlykdaky epitaksial gatlakda gördük.Başlangyç göterijiniň ömründen, implantanyň bahasy ~ 10% -e çenli azalsa-da, soňraky garyşyk S7-nji suratda görkezilişi ýaly ~ 50% -e çenli dikeldýär.Şonuň üçin proton implantasiýasy sebäpli azalýan daşaýjynyň ömri ýokary temperaturaly anneal bilen dikeldilýär.Daşaýjynyň ömrüniň 50% azalmagy, ýalňyşlyklaryň köpelmegini hem basyp ýatyrsa-da, adatça daşaýjynyň ömrüne bagly I - V aýratynlyklary, sanjym edilen we implantasiýa edilmedik diodlaryň arasynda diňe ownuk tapawutlary görkezýär.Şol sebäpden, PD labyrynyň 1SSF giňelmeginiň öňüni almakda rol oýnaýandygyna ynanýarys.
SIMS 1600 ° C-de gyzdyrylandan soň wodorody tapmasa-da, öňki gözleglerde habar berlişi ýaly, 1-nji we 4-nji suratlarda görkezilişi ýaly proton implantasiýasynyň 1SSF giňelmeginiň basyşyna täsirini gördük. Şonuň üçin biz muňa ynanýarys PD SIMS (2 × 1016 sm-3) kesgitleme çäginden pes ýa-da implantasiýa netijesinde ýüze çykan nokat kemçilikleri bolan wodorod atomlary bilen dykylýar.Häzirki ýüküň köpelmeginden soň 1SSF-iň uzalmagy sebäpli döwletdäki garşylygyň ýokarlanandygyny tassyklamadyk.Bu, ýakyn wagtda ýok ediljek amallarymyzy ulanyp, kämilliksiz ohmiki aragatnaşyklar sebäpli bolup biler.
Sözümiziň ahyrynda, enjam ýasalmazdan ozal proton implantasiýasyny ulanyp, BPD-ni 4H-SiC PiN diodlarynda BPD-ni 1SSF-e çenli uzaltmak usulyny taýýarladyk.Proton implantasiýasy wagtynda I - V häsiýetiniň ýaramazlaşmagy, esasanam 1012 sm - 2 proton dozasynda ähmiýetsiz, ýöne 1SSF giňelmegini basyp ýatyrmagyň täsiri möhümdir.Bu gözlegde, 10 µm çuňluga proton implantasiýasy bilen 10 µm galyňlykdaky PiN diodlaryny ýasasak-da, implantasiýa şertlerini hasam optimizirlemek we beýleki 4H-SiC enjamlaryny ýasamak üçin ulanmak mümkin.Proton implantasiýasy wagtynda enjam ýasamak üçin goşmaça çykdajylar göz öňünde tutulmalydyr, ýöne 4H-SiC güýç enjamlary üçin esasy ýasama prosesi bolan alýumin ion implantasiýasyna meňzeýär.Şeýlelik bilen, enjamy gaýtadan işlemezden ozal proton implantasiýasy, 4H-SiC bipolýar güýç enjamlaryny zaýalanmazdan ýasamak üçin potensial usuldyr.
Mysal üçin 4 dýuým n görnüşli 4H-SiC wafli, epitaksial gatlak galyňlygy 10 µm we donor doping konsentrasiýasy 1 × 1016 sm - 3 nusga hökmünde ulanyldy.Enjamy gaýtadan işlemezden ozal, H + ionlary otag temperaturasynda 0,95 MeV tizlenme energiýasy bilen plastinka ýüzüne adaty burçda takmynan 10 μm çuňluga ýerleşdirildi.Proton implantasiýasy wagtynda bir tabakdaky maska ulanyldy we tabakda 1012, 1014 ýa-da 1016 sm-2 proton dozasy bolmadyk bölümler bardy.Soňra, 1020 we 1017 sm - 3 proton dozalary bolan Al ionlary, ähli wafliň üstünden 0–0.2 µm we ýerden 0,2–0.5 mk çuňluga ýerleşdirildi, soň bolsa 1600 ° C derejesinde uglerod gapagyny emele getirdi. ap gatlagy.görnüşi.Netijede, arka tarapy Ni kontakt substrat tarapynda goýuldy, fotolitografiýa we gabyk prosesi netijesinde emele gelen 2,0 mm × 2,0 mm tarak görnüşli Ti / Al öň tarapy kontakt epitaksial gatlak tarapynda goýuldy.Ahyrynda, kontakt anneal 700 ° C temperaturada amala aşyrylýar.Wafli çiplere bölenden soň, stres häsiýetnamasyny we amaly ýerine ýetirdik.
Piasalan PiN diodlarynyň I - V aýratynlyklary HP4155B ýarymgeçiriji parametr analizatorynyň kömegi bilen syn edildi.Elektrik stres hökmünde 10 impuls / sek ýygylykda 2 sagatlap 212.5 A / cm2 10 millisekunt impulsly tok girizildi.Has pes tok dykyzlygyny ýa-da ýygylygyny saýlanymyzda, proton sanjym etmezden hatda PiN diodynda-da 1SSF giňelişini görmedik.Ulanylýan elektrik naprýa .eniýesi wagtynda, S8 suratda görkezilişi ýaly, bilgeşleýin ýylatmazdan, PiN diodyň temperaturasy 70 ° C töweregi.Elektroluminesent şekilleri häzirki dykyzlygy 25 A / cm2 bolan elektrik stresinden öň we soň alyndy.Aýhiniň sinhrotron radiasiýa merkezinde monohromatiki rentgen şöhlesini (λ = 0,15 nm) ulanyp, sinhrotron şöhlelendirme öri meýdanlary rentgen topografiýasy, BL8S2-de ag wektory -1-128 ýa-da 11-28 (jikme-jiklikler üçin 44-nji bölüme serediň) .).
2,5 A / sm2 öňe çykýan tok dykyzlygyndaky naprýa .eniýe ýygylygy injirde 0,5 V aralyk bilen çykarylýar.2 PiN diodynyň her ýagdaýynyň CVC-sine görä.Stresiň ortaça bahasyndan we stresiň adaty gyşarmasyndan, aşakdaky deňlemäni ulanyp, 2-nji suratda punktir çyzyk görnüşinde adaty paýlanyş egrisini meýilleşdirýäris:
Werner, MR & Fahrner, WR temperatureokary temperaturaly we daşky gurşaw programmalary üçin materiallara, mikrosensorlara, ulgamlara we enjamlara syn. Werner, MR & Fahrner, WR temperatureokary temperaturaly we daşky gurşaw programmalary üçin materiallara, mikrosensorlara, ulgamlara we enjamlara syn.Werner, MR we Farner, WR temperatureokary temperaturada we ýowuz şertlerde amaly programmalar, mikrosensorlar, ulgamlar we enjamlar barada umumy syn. Werner, MR & Fahrner, WR 对 用于 高温。。。。。。 Werner, MR & Fahrner, WR highokary temperatura we ýaramaz daşky gurşaw programmalary üçin materiallara, mikrosensorlara, ulgamlara we enjamlara syn.Werner, MR we Farner, WR highokary temperaturada we agyr şertlerde programmalar üçin materiallara, mikrosensorlara, ulgamlara we enjamlara syn.IEEE Trans.Senagat elektronikasy.48, 249-257 (2001).
Kimoto, T. & Cooper, JA Silikon Karbid tehnologiýasynyň esaslary Silikon Karbid tehnologiýasynyň esaslary: Ösüş, häsiýetnama, enjamlar we amaly jilt. Kimoto, T. & Cooper, JA Silikon Karbid tehnologiýasynyň esaslary Silikon Karbid tehnologiýasynyň esaslary: Ösüş, häsiýetnama, enjamlar we amaly jilt.Kimoto, T. we Cooper, JA Silikon Karbid tehnologiýasynyň esaslary Silikon Karbid tehnologiýasynyň esaslary: Ösüş, häsiýetnamalar, enjamlar we amaly jilt. Kimoto, T. & Cooper, JA 碳化硅 技术 基础。。。。。 Kimoto, T. & Cooper, JA Uglerod 化 kremniy tehnologiýa bazasy Karbon 化 kremniniň tehnologiýa bazasy: ösüş, beýany, enjamlar we amaly göwrümi.Kimoto, T. we Kuper, J. Silikon Karbid tehnologiýasynyň esaslary Silikon Karbid tehnologiýasynyň esaslary: Ösüş, häsiýetnamalar, enjamlar we amaly jilt.252 (“Wiley Singapore Pte Ltd”, 2014).
Veliadis, V. SiC-iň uly göwrümli täjirleşdirilmegi: oagdaýy ýeňip geçmeli ýagdaýlar we päsgelçilikler.alma mater.Ylym.Forum 1062, 125-130 (2022).
Broýton, J. Broýton, J.Broýton, J. Broýton, J., Smet, V., Tummala, RR & Joşi, YK 用于 牵引 目的 汽车。。。 Broýton, J., Smet, V., Tummala, RR & Joşi, YKBroýton, J.J. Elektron.Bukja.trans.ASME 140, 1-11 (2018).
Sato, K., Kato, H. & Fukushima, T. SiC indiki nesil Şinkansen ýokary tizlikli otlylar üçin çekiş ulgamyny ösdürmek. Sato, K., Kato, H. & Fukushima, T. SiC indiki nesil Şinkansen ýokary tizlikli otlylar üçin çekiş ulgamyny ösdürmek.Sato K., Kato H. we Fukushima T. Geljekki nesil ýokary tizlikli Şinkansen otlylary üçin ulanylýan SiC çekiş ulgamyny ösdürmek.Sato K., Kato H. we Fukushima T. Indiki nesil ýokary tizlikli Şinkansen otlylary üçin SiC programmalary üçin çekiş ulgamynyň ösüşi.Goşundy IEEJ J. Ind. 9, 453–459 (2020).
Senzaki, J., Haýaşi, S., Yonezawa, Y. & Okumura, H. Örän ygtybarly SiC elektrik enjamlaryny durmuşa geçirmegiň kynçylyklary: SiC wafli häzirki ýagdaýyndan we meselelerinden. Senzaki, J., Haýaşi, S., Yonezawa, Y. & Okumura, H. Örän ygtybarly SiC elektrik enjamlaryny durmuşa geçirmegiň kynçylyklary: SiC wafli häzirki ýagdaýyndan we meselelerinden.Senzaki, J., Haýaşi, S., Yonezawa, Y. we Okumura, H. Örän ygtybarly SiC elektrik enjamlaryny durmuşa geçirmekdäki meseleler: häzirki ýagdaýdan başlap, SiC wafli meselesi. Senzaki, J., Haýaşi, S., Yonezawa, Y. & Okumura, H. 实现 高 可靠性 SiC 功率 器件 从 从 从 从 C C 从 C Senzaki, J., Haýaşi, S., Yonezawa, Y. & Okumura, H. SiC elektrik enjamlarynda ýokary ygtybarlylygy gazanmak meselesi: SiC from 的 电视 和 from from fromSenzaki J, Haýaşi S, Yonezawa Y. we Okumura H. Silikon karbidine esaslanýan ýokary ygtybarly kuwwatly enjamlary ösdürmegiň kynçylyklary: kremniy karbid wafli bilen baglanyşykly ýagdaý we syn.2018-nji ýylda IEEE ygtybarly fizika simpoziumynda (IRPS).(Senzaki, J. we başg.) 3B.3-1-3B.3-6 (IEEE, 2018).
Kim, D. & Sung, W. 1,2kV 4H-SiC MOSFET üçin gysga utgaşma berkligi, implantasiýa arkaly amala aşyrylýan çuň P-guýyny ulanyp gowulaşdy. Kim, D. & Sung, W. 1,2kV 4H-SiC MOSFET üçin gysga utgaşma berkligi, implantasiýa arkaly amala aşyrylýan çuň P-guýyny ulanyp gowulaşdy.Kim, D. we Sung, V. 1,2 kW 4H-SiC MOSFET üçin gysga zynjyrly immunitet, kanal implantasiýasy arkaly amala aşyrylan çuň P-guýyny ulanyp gowulaşdy. Kim, D. & Sung, W. 使用. Kim, D. & Sung, W. P 阱 了 k 1.2kV 4H-SiC MOSFETKim, D. we Sung, V. 1,2 kW 4H-SiC MOSFET-leriň kanal implantasiýasy arkaly çuň P-guýularyny ulanyp, gysga utgaşma çydamlylygy gowulaşdy.IEEE elektron enjamlary Lett.42, 1822–1825 (2021).
Skowronski M. we ş.m.Öň taraplaýyn 4H-SiC pn diodlarynda kemçilikleriň rekombinasiýa bilen güýçlendirilen hereketi.J. Arza.fizika.92, 4699–4704 (2002).
Ha, S., Mieszkowski, P. Ha, S., Mieszkowski, P.Ha S., Meszkowski P., Skowronski M. we Rowland LB 4H kremniý karbid epitaksi döwründe Dislokasiýa öwrülişigi. Ha, S., Mieszkowski, P., Skowronski, M. & Rowland, LB 4H 碳化硅 外延 中 的 位。。 Ha, S., Mieszkowski, P., Skowronski, M. & Rowland, LB 4H Ha, S., Meszkowski, P., Skowronski, M. & Rowland, LBSilikon karbid epitaksiýasynda 4H dislokasiýa geçişi.J. Kristal.Ösüş 244, 257–266 (2002).
Skowronski, M. & Ha, S. Altyburçly kremniý-karbid esasly bipolýar enjamlaryň zaýalanmagy. Skowronski, M. & Ha, S. Altyburçly kremniý-karbid esasly bipolýar enjamlaryň zaýalanmagy.Skowronski M. we Ha S. Silikon karbid esasynda altyburçly bipolýar enjamlaryň zaýalanmagy. Skowronski, M. & Ha, S. 六方 碳化硅 基 双极。。。 Skowronski M. & Ha S.Skowronski M. we Ha S. Silikon karbid esasynda altyburçly bipolýar enjamlaryň zaýalanmagy.J. Arza.fizika 99, 011101 (2006).
Agarwal, A., Fatima, H., Haney, S. & Ryu, S.-H. Agarwal, A., Fatima, H., Haney, S. & Ryu, S.-H.Agarwal A., Fatima H., Heini S. we Ryu S.-H. Agarwal, A., Fatima, H., Haney, S. & Ryu, S.-H. Agarwal, A., Fatima, H., Haney, S. & Ryu, S.-H.Agarwal A., Fatima H., Heini S. we Ryu S.-H.Volokary woltly SiC kuwwatly MOSFET-ler üçin täze zaýalanma mehanizmi.IEEE elektron enjamlary Lett.28, 587–589 (2007).
Caldwell, JD, Stahlbush, RE, Ancona, MG, Glembocki, OJ & Hobart, KD 4H - SiC-de rekombinasiýa bilen örtülen ýalňyşlyk hereketi üçin hereketlendiriji güýçde. Caldwell, JD, Stahlbush, RE, Ancona, MG, Glembocki, OJ & Hobart, KD 4H-SiC-de rekombinasiýa bilen örtülen ýalňyşlyk hereketi üçin hereketlendiriji güýçde.Caldwell, JD, Stalbush, RE, Ancona, MG, Glemboki, OJ we Hobart, KD 4H-SiC-de rekombinasiýa bilen örtülen ýalňyş hereketiniň hereketlendiriji güýji barada. Caldwell, JD, Stahlbush, RE, Ancona, MG, Glembocki, OJ & Hobart, KD 关于 4H-SiC 中 复合 引起 的 错 运动。。。 Caldwell, JD, Stahlbush, RE, Ancona, MG, Glembocki, OJ & Hobart, KDCaldwell, JD, Stalbush, RE, Ancona, MG, Glemboki, OJ we Hobart, KD, 4H-SiC-de rekombinasiýa bilen örtülen ýalňyşlyk hereketiniň hereketlendiriji güýji barada.J. Arza.fizika.108, 044503 (2010).
Iijima, A. & Kimoto, T. 4H-SiC kristallarynda ýekeje Şokleýiň ýalňyşlyk emele gelmegi üçin elektron energiýa modeli. Iijima, A. & Kimoto, T. 4H-SiC kristallarynda ýekeje Şokleýiň ýalňyşlyk emele gelmegi üçin elektron energiýa modeli.Iijima, A. we Kimoto, T. 4H-SiC kristallarynda Şokliniň gaplanyşynyň ýekeje kemçiligini emele getirmegiň elektron-energiýa modeli. Iijima, A. & Kimoto, T. 4H-SiC 晶体 中 ock Şokli 堆垛 层 错 形成 电子。。。 Iijima, A. & Kimoto, T. 4H-SiC kristalynda ýekeje Şokleýiň ýalňyşlyk emele gelmeginiň elektron energiýa modeli.Iijima, A. we Kimoto, T. 4H-SiC kristallarynda gaplanan ýekeje kemçilikli Şokleýiň emele gelmeginiň elektron-energiýa modeli.J. Arza.fizika 126, 105703 (2019).
Iijima, A. & Kimoto, T. 4H-SiC PiN diodlarynda ýeke-täk Şokleýiň ýalňyşlyklarynyň giňelmegi / gysylmagy üçin möhüm ýagdaýy kesgitlemek. Iijima, A. & Kimoto, T. 4H-SiC PiN diodlarynda ýeke-täk Şokleýiň ýalňyşlyklarynyň giňelmegi / gysylmagy üçin möhüm ýagdaýy kesgitlemek.Iijima, A. we Kimoto, T. 4H-SiC PiN-diodlarynda ýekeje Şokli gaplaýyş kemçiliklerini giňeltmek / gysmak üçin kritiki ýagdaýy kesgitlemek. Iijima, A. & Kimoto, T. 估计 4H-SiC PiN 二极管 中 单个 Şokli 堆垛 层 错 膨胀 / 收缩 的 临界。。 Iijima, A. & Kimoto, T. 4H-SiC PiN diodlarynda ýeke-täk Şokleýiň gatlak gatlagynyň giňelmegi / gysylmagy şertlerine baha bermek.Iijima, A. we Kimoto, T. 4H-SiC PiN-diodlarynda Şoklini ýekeje kemçilikli gaplamak üçin giňeltmek / gysmak üçin möhüm şertlere baha bermek.amaly fizika Wright.116, 092105 (2020).
Mannen, Y .. Mannen, Y ..Mannen,., Şimada K., Asada K. we Otani N. Deňagramsyzlyk şertlerinde 4H-SiC kristalynda ýekeje Şokli toplaýyş ýalňyşlygynyň emele gelmegi üçin kwant guýy modeli.Mannen Y ..J. Arza.fizika.125, 085705 (2019).
Galeckas, A., Linnros, J. & Pirouz, P. Rekombinasiýa bilen örtülen ýalňyşlyklar: Altyburçly SiC-de umumy mehanizmiň subutnamasy. Galeckas, A., Linnros, J. & Pirouz, P. Rekombinasiýa bilen örtülen ýalňyşlyklar: Altyburçly SiC-de umumy mehanizmiň subutnamasy.Galeckas, A., Linnros, J. we Pirouz, P. Rekombinasiýa bilen örtülen gaplama kemçilikleri: Altyburçlyk SiC-de umumy mehanizmiň subutnamasy. Galeckas, A., Linnros, J. & Pirouz, P. 复合 诱导 C C SiC 中 一般 机制 的。。 Galeckas, A., Linnros, J. & Pirouz, P. Kompozit induksiýa ýygnamak gatlagynyň umumy mehanizminiň subutnamasy: 六方 SiC.Galeckas, A., Linnros, J. we Pirouz, P. Rekombinasiýa bilen örtülen gaplama kemçilikleri: Altyburçlyk SiC-de umumy mehanizmiň subutnamasy.fizika Çopan Wraýt.96, 025502 (2006).
Ishikawa, Y .. şöhle şöhlelenmesiIshikawa, Y., M. Sudo, Y.-Z şöhle şöhlelenmesi.Işikawa, Y .., Sudo M., Y.-Z Psihologiýa.Guty, Ю., М.Yinо, Y.-Z Chem., J. Chem., 123, 225101 (2018).
Kato, M., Katahira, S., Içikawa, Y .. Kato, M., Katahira, S., Içikawa, Y ..Kato M., Katahira S., Itikawa Y., Harada S. we Kimoto T. 4H-SiC-de ýeke şokli gaplaýyş kemçiliklerinde we bölekleýin ýerlerde daşaýjylaryň rekombinasiýasyna gözegçilik. Kato, M., Katahira, S., Içikawa, Y .., Harada, S. & Kimoto, T. 单 Şokli 堆垛 层 错 H 4H-SiC 部分 Kato, M., Katahira, S., Içikawa, Y .., Harada, S. & Kimoto, T.Kato M., Katahira S., Itikawa Y., Harada S. we Kimoto T. 4H-SiC-de ýeke şokli gaplaýyş kemçiliklerinde we bölekleýin ýerlerde daşaýjylaryň rekombinasiýasyna gözegçilik.J. Arza.fizika 124, 095702 (2018).
Kimoto, T. & Watanabe, H. volokary woltly elektrik enjamlary üçin SiC tehnologiýasynda kemçilikli in engineeringenerçilik. Kimoto, T. & Watanabe, H. volokary woltly elektrik enjamlary üçin SiC tehnologiýasynda kemçilikli in engineeringenerçilik.Kimoto, T. we Watanabe, H. volokary woltly elektrik enjamlary üçin SiC tehnologiýasyndaky kemçilikleriň ösüşi. Kimoto, T. & Watanabe, H. 用于 高压 C 的 SiC 技术 中 的 缺陷。。 Kimoto, T. & Watanabe, H. volokary woltly elektrik enjamlary üçin SiC tehnologiýasynda kemçilikli in engineeringenerçilik.Kimoto, T. we Watanabe, H. volokary woltly elektrik enjamlary üçin SiC tehnologiýasyndaky kemçilikleriň ösüşi.amaly fizika Express 13, 120101 (2020).
Zhang, Z. & Sudarshan, TS Bazal uçar, kremniy karbidiň ýerliksiz epitaksiýasy. Zhang, Z. & Sudarshan, TS Bazal uçar, kremniy karbidiň ýerliksiz epitaksiýasy.Zhang Z. we Sudarshan TS Bazal tekizliginde kremniy karbidiň ýerleşişsiz epitaksiýasy. Zhang, Z. & Sudarshan, TS 碳化硅 基 面 无 位。。 Zhang, Z. & Sudarshan, TSZhang Z. we Sudarshan TS Silikon karbid bazal uçarlarynyň Dislokasiýa erkin epitaksiýasy.beýany.fizika.Raýt.87, 151913 (2005).
Zhangang, Z., Moulton, E. & Sudarshan, TS SiC inçe filmlerinde bazal tekiz uçuşlary epitaksi bilen eplenen aşaky substratda ýok etmegiň mehanizmi. Zhangang, Z., Moulton, E. & Sudarshan, TS SiC inçe filmlerinde bazal tekiz uçuşlary epitaksi bilen eplenen aşaky substratda ýok etmegiň mehanizmi.Zhang Z., Moulton E. we Sudarshan TS SiC inçe filmlerinde esasy uçar ýerlerini epitaksiýa bilen epiksi bilen ýok etmegiň mehanizmi. Zhang, Z., Moulton, E. & Sudarshan, TS 通过 在 蚀刻 消除 消除 消除 C C C C C C C C C Zhang, Z., Moulton, E. & Sudarshan, TS Substraty süpürip SiC inçe filmini ýok etmegiň mehanizmi.Zhang Z., Moulton E. we Sudarshan TS SiC inçe filmlerinde esasy uçar ýerleriniň ýer böleklerini epitaksiýa arkaly ýok etmegiň mehanizmi.amaly fizika Wright.89, 081910 (2006).
Ştalbuş RE we ş.m.Ösüşiň kesilmegi 4H-SiC epitaksi wagtynda bazal tekizligiň üýtgemegine sebäp bolýar.beýany.fizika.Raýt.94, 041916 (2009).
Zhang, X. & Tsuchida, H. Bazal tekiz uçuş ýerlerini ýokary temperatura annealiýasy bilen 4H-SiC epilaýerlerinde ýüplügiň gyrasyna öwrülmegi. Zhang, X. & Tsuchida, H. Bazal tekiz uçuş ýerlerini ýokary temperatura annealiýasy bilen 4H-SiC epilaýerlerinde ýüplügiň gyrasyna öwrülmegi.Zhangang, X. we Tsuchida, H. Bazal tekizligiň ýerleşişini ýokary temperaturaly annealizasiýa arkaly 4H-SiC epitaksial gatlaklarynda ýüplük gyralarynyň üýtgemegine öwürmek. Zhang, X. & Tsuchida, H. 通过 H H 4H-SiC 外延 层 中 基 基。。。。 Zhang, X. & Tsuchida, H. 通过 高温 H H 4H-SiCZhang, X. we Tsuchida, H. Esasy temperaturaly annealizasiýa arkaly 4H-SiC epitaksial gatlaklarynda esasy uçar süýşmeleriniň filament gyrasy üýtgemegine öwrülmegi.J. Arza.fizika.111, 123512 (2012).
Aýdym, H. & Sudarshan, TS 4H - SiC okunyň epitaksial ösmeginde epilaýer / substrat interfeýsiniň golaýynda bazal uçaryň ýerleşişi. Aýdym, H. & Sudarshan, TS 4H - SiC okunyň epitaksial ösmeginde epilaýer / substrat interfeýsiniň golaýynda bazal uçaryň ýerleşişi.Aýdym, H. we Sudarşan, TS 4H - SiC okdan daşgary epitaksial ösüş döwründe epitaksial gatlagyň / substrat interfeýsiniň golaýynda bazal tekizligiň üýtgemegi. Aýdym, H. & Sudarshan, TS 在 4 ° 离轴 4H-SiC 外延 生长 中 层 / 衬底 界面 附近。。。。 Aýdym, H. & Sudarshan, TS 在 4 ° 离轴 4H-SiC Aýdym, H. & Sudarshan, TS4H okunyň daşyndaky 4H-SiC epitaksial ösüşi wagtynda epitaksial gatlagyň / substrat araçäginiň golaýynda substratyň meýilnamaly ýerleşişi.J. Kristal.Ösüş 371, 94-101 (2013).
Konişi, K. we ş.m.Currentokary tokda, 4H-SiC epitaksial gatlaklarda bazal tekizligiň ýerleşiş ýalňyşlygynyň köpelmegi filament gyrasynyň üýtgemegine öwrülýär.J. Arza.fizika.114, 014504 (2013).
Konişi, K. we ş.m.Amal rentgen topografiki derňewinde giňeldilen ýalňyş ýadro nokatlaryny kesgitlemek arkaly bipolý zaýalanmaýan SiC MOSFET-leri üçin epitaksial gatlaklary dizaýn ediň.AIP Advanced 12, 035310 (2022).
Lin, S. we ş.m.Bazal tekizligiň ýerleşiş strukturasynyň 4H-SiC pin diodlarynyň öňdäki çüýremegi wagtynda Şokli görnüşli ýekeje ýalňyşlygyň ýaýramagyna täsiri.Japanaponiýa.J. Arza.fizika.57, 04FR07 (2018).
Tahara, T. we ş.m.Azot baý 4H-SiC epilaýerlerinde gysga azlyk göterijiniň ömri, PiN diodlaryndaky kemçilikleri basmak üçin ulanylýar.J. Arza.fizika.120, 115101 (2016).
Tahara, T. we ş.m.4H-SiC PiN diodlarynda ýekeje Şokleýiň ýalňyş ýaýramagynyň sanjym göterijisiniň konsentrasiýa baglylygy.J. Arza.Fizika 123, 025707 (2018).
Mae, S., Tawara, T., Tsuchida, H. & Kato, M. SiC-de çuň çözülen daşaýjynyň ömrüni ölçemek üçin mikroskopik FCA ulgamy. Mae, S., Tawara, T., Tsuchida, H. & Kato, M. SiC-de çuň çözülen daşaýjynyň ömrüni ölçemek üçin mikroskopik FCA ulgamy.Mei, S., Tawara, T., Tsuchida, H. we Kato, M. FCA Silikon Karbidde çuňlugy çözülýän daşaýjy ömri ölçemek üçin mikroskopik ulgam. Mae, S. 、 Tawara, T. su Tsuçida, H. & Kato, M. 用于 SiC 中 深度 分辨 CA CA FCA 系统。 Mae, S. 、 Tawara, T. su Tsuçida, H. & Kato, M. SiC orta çuňlugy üçin 分辨 载 子 子 ömri ölçemek 的 月 CA FCA ulgamy。Mei S., Tawara T., Tsuchida H. we Kato M. Silikon karbidinde ömri ölçemek üçin mikro-FCA ulgamy.alma mater ylym forumy 924, 269–272 (2018).
Hiraýama, T. we ş.m.4H-SiC epitaksial gatlaklarda daşaýjy ömrüň çuňlugynyň paýlanyşy, erkin daşaýjynyň siňdirilişiniň we ýagtylygyň ýagtylygynyň wagt çözgüdi bilen weýrançylykly ölçeldi.Ylma geç.metr.91, 123902 (2020).
Iş wagty: Noýabr-06-2022