Faleminderit që vizituat Nature.com.Versioni i shfletuesit që po përdorni ka mbështetje të kufizuar për CSS.Për përvojën më të mirë, ju rekomandojmë të përdorni një shfletues të përditësuar (ose çaktivizoni modalitetin e përputhshmërisë në Internet Explorer).Ndërkohë, për të siguruar mbështetje të vazhdueshme, ne do ta bëjmë faqen pa stile dhe JavaScript.
4H-SiC është komercializuar si një material për pajisjet gjysmëpërçuese të energjisë.Megjithatë, besueshmëria afatgjatë e pajisjeve 4H-SiC është një pengesë për aplikimin e tyre të gjerë dhe problemi më i rëndësishëm i besueshmërisë së pajisjeve 4H-SiC është degradimi bipolar.Ky degradim shkaktohet nga përhapja e një gabimi të vetëm të grumbullimit të Shockley (1SSF) të dislokimeve të planit bazal në kristalet 4H-SiC.Këtu, ne propozojmë një metodë për të shtypur zgjerimin 1SSF duke implantuar protone në vaferë epitaksiale 4H-SiC.Diodat PinN të fabrikuara në vaferë me implantimin e protonit treguan të njëjtat karakteristika të tensionit aktual si diodat pa implantimin e protonit.Në të kundërt, zgjerimi 1SSF shtypet në mënyrë efektive në diodën PinN të implantuar me proton.Kështu, implantimi i protoneve në vafera epitaksiale 4H-SiC është një metodë efektive për të shtypur degradimin bipolar të pajisjeve gjysmëpërçuese të fuqisë 4H-SiC duke ruajtur performancën e pajisjes.Ky rezultat kontribuon në zhvillimin e pajisjeve shumë të besueshme 4H-SiC.
Karbidi i silikonit (SiC) njihet gjerësisht si një material gjysmëpërçues për pajisjet gjysmëpërçuese me fuqi të lartë dhe me frekuencë të lartë që mund të funksionojnë në mjedise të vështira1.Ka shumë politipe SiC, ndër të cilat 4H-SiC ka veti fizike të shkëlqyera të pajisjes gjysmëpërçuese, si lëvizshmëria e lartë e elektroneve dhe një fushë elektrike e fortë e prishjes2.Vaferat 4H-SiC me diametër 6 inç janë aktualisht të komercializuara dhe përdoren për prodhimin masiv të pajisjeve gjysmëpërçuese të energjisë3.Sistemet tërheqëse për automjetet elektrike dhe trenat janë fabrikuar duke përdorur pajisje gjysmëpërçuese me fuqi 4H-SiC4.5.Megjithatë, pajisjet 4H-SiC ende vuajnë nga çështjet e besueshmërisë afatgjatë, të tilla si prishja dielektrike ose besueshmëria e qarkut të shkurtër,6,7 prej të cilave një nga çështjet më të rëndësishme të besueshmërisë është degradimi bipolar2,8,9,10,11.Ky degradim bipolar u zbulua mbi 20 vjet më parë dhe ka qenë prej kohësh një problem në fabrikimin e pajisjeve SiC.
Degradimi bipolar shkaktohet nga një defekt i vetëm i pirgut të Shockley (1SSF) në kristalet 4H-SiC me dislokime të planit bazal (BPDs) që përhapen nga rrëshqitja e dislokimit të përmirësuar të rikombinimit (REDG)12,13,14,15,16,17,18,19.Prandaj, nëse zgjerimi i BPD shtypet në 1SSF, pajisjet e fuqisë 4H-SiC mund të fabrikohen pa degradim bipolar.Janë raportuar disa metoda për të shtypur përhapjen e BPD, të tilla si transformimi i BPD në Zhvendosjen e Tehut (TED) 20,21,22,23,24.Në vaferat më të fundit epitaksiale SiC, BPD është kryesisht e pranishme në substrat dhe jo në shtresën epitaksiale për shkak të shndërrimit të BPD në TED gjatë fazës fillestare të rritjes epitaksiale.Prandaj, problemi i mbetur i degradimit bipolar është shpërndarja e BPD në substratin 25,26,27.Futja e një "shtrese përforcuese të përbërë" midis shtresës së zhvendosjes dhe nënshtresës është propozuar si një metodë efektive për të shtypur zgjerimin e BPD në nënshtresën28, 29, 30, 31. Kjo shtresë rrit probabilitetin e rikombinimit të çiftit elektron-vrima në shtresa epitaksiale dhe substrati SiC.Zvogëlimi i numrit të çifteve elektron-vrima redukton forcën lëvizëse të REDG në BPD në nënshtresë, kështu që shtresa e përforcuar e përbërë mund të shtypë degradimin bipolar.Duhet të theksohet se futja e një shtrese kërkon kosto shtesë në prodhimin e vaferave dhe pa futjen e një shtrese është e vështirë të zvogëlohet numri i çifteve elektron-vrima duke kontrolluar vetëm kontrollin e jetëgjatësisë së bartësit.Prandaj, ekziston ende një nevojë e fortë për të zhvilluar metoda të tjera të shtypjes për të arritur një ekuilibër më të mirë midis kostos së prodhimit të pajisjes dhe rendimentit.
Për shkak se shtrirja e BPD në 1SSF kërkon lëvizjen e dislokimeve të pjesshme (PD), fiksimi i PD është një qasje premtuese për të penguar degradimin bipolar.Megjithëse është raportuar fiksimi i PD nga papastërtitë metalike, FPD-të në nënshtresat 4H-SiC ndodhen në një distancë prej më shumë se 5 μm nga sipërfaqja e shtresës epitaksiale.Për më tepër, duke qenë se koeficienti i difuzionit të çdo metali në SiC është shumë i vogël, është e vështirë që papastërtitë metalike të shpërndahen në nënshtresë34.Për shkak të masës atomike relativisht të madhe të metaleve, implantimi jonik i metaleve është gjithashtu i vështirë.Në të kundërt, në rastin e hidrogjenit, elementi më i lehtë, jonet (protonet) mund të implantohet në 4H-SiC në një thellësi prej më shumë se 10 µm duke përdorur një përshpejtues të klasës MeV.Prandaj, nëse implantimi i protonit ndikon në fiksimin e PD, atëherë ai mund të përdoret për të shtypur përhapjen e BPD në substrat.Sidoqoftë, implantimi i protonit mund të dëmtojë 4H-SiC dhe të rezultojë në reduktimin e performancës së pajisjes37,38,39,40.
Për të kapërcyer degradimin e pajisjes për shkak të implantimit të protonit, pjekja në temperaturë të lartë përdoret për të riparuar dëmtimet, e ngjashme me metodën e pjekjes që përdoret zakonisht pas implantimit të joneve pranuese në përpunimin e pajisjes1, 40, 41, 42. Megjithëse spektrometria e masës së joneve sekondare (SIMS)43 ka raportuar difuzionin e hidrogjenit për shkak të pjekjes në temperaturë të lartë, është e mundur që vetëm dendësia e atomeve të hidrogjenit pranë FD nuk është e mjaftueshme për të zbuluar fiksimin e PR duke përdorur SIMS.Prandaj, në këtë studim, ne implantuam protone në vafera epitaksiale 4H-SiC përpara procesit të fabrikimit të pajisjes, duke përfshirë pjekjen në temperaturë të lartë.Ne përdorëm diodat PiN si struktura eksperimentale të pajisjes dhe i fabrikuam ato në vafera epitaksiale 4H-SiC të implantuara me proton.Më pas vëzhguam karakteristikat volt-amper për të studiuar degradimin e performancës së pajisjes për shkak të injektimit të protonit.Më pas, ne vëzhguam zgjerimin e 1SSF në imazhet e elektrolumineshencës (EL) pas aplikimit të një tensioni elektrik në diodën PinN.Më në fund, ne konfirmuam efektin e injektimit të protonit në shtypjen e zgjerimit të 1SSF.
Në fig.Figura 1 tregon karakteristikat e rrymës-tensionit (CVC) të diodave PinN në temperaturën e dhomës në rajonet me dhe pa implantimin e protonit përpara rrymës pulsuese.Diodat PinN me injeksion proton tregojnë karakteristika korrigjuese të ngjashme me diodat pa injeksion proton, edhe pse karakteristikat IV janë të përbashkëta midis diodave.Për të treguar ndryshimin midis kushteve të injektimit, ne skicuam frekuencën e tensionit me një densitet të rrymës së përparme prej 2,5 A/cm2 (që korrespondon me 100 mA) si një grafik statistikor siç tregohet në figurën 2. Lakorja e përafërt me një shpërndarje normale përfaqësohet gjithashtu nga një vijë me pika.linjë.Siç mund të shihet nga majat e kthesave, rezistenca në rritje paksa në doza protonike 1014 dhe 1016 cm-2, ndërsa dioda PinN me një dozë protoni prej 1012 cm-2 tregon pothuajse të njëjtat karakteristika si pa implantimin e protonit. .Ne kryem gjithashtu implantimin e protonit pas fabrikimit të diodave PiN që nuk shfaqën elektrolumineshencë uniforme për shkak të dëmtimit të shkaktuar nga implantimi i protonit siç tregohet në figurën S1 siç përshkruhet në studimet e mëparshme37,38,39.Prandaj, pjekja në 1600 °C pas implantimit të joneve Al është një proces i domosdoshëm për të fabrikuar pajisje për të aktivizuar pranuesin Al, i cili mund të riparojë dëmin e shkaktuar nga implantimi i protonit, gjë që i bën CVC-të të njëjta midis diodave të protonit të implantuar dhe jo të implantuar. .Frekuenca e rrymës së kundërt në -5 V është paraqitur gjithashtu në figurën S2, nuk ka dallim të rëndësishëm midis diodave me dhe pa injektim proton.
Karakteristikat volt-amper të diodave PiN me dhe pa protone të injektuar në temperaturën e dhomës.Legjenda tregon dozën e protoneve.
Frekuenca e tensionit në rrymë të vazhdueshme 2,5 A/cm2 për diodat PiN me protone të injektuar dhe jo të injektuar.Vija me pika korrespondon me shpërndarjen normale.
Në fig.3 tregon një imazh EL të një diode PinN me një densitet të rrymës prej 25 A/cm2 pas tensionit.Para aplikimit të ngarkesës së rrymës pulsuese, zonat e errëta të diodës nuk u vëzhguan, siç tregohet në figurën 3. C2.Megjithatë, siç tregohet në fig.3a, në një diodë PinN pa implantim proton, u vunë re disa zona me vija të errëta me skaje të lehta pas aplikimit të një tensioni elektrik.Rajone të tilla të errëta në formë shufre janë vërejtur në imazhet EL për 1SSF që shtrihen nga BPD në substrat28,29.Në vend të kësaj, disa gabime të zgjatura të grumbullimit u vunë re në diodat PinN me protone të implantuar, siç tregohet në Fig. 3b-d.Duke përdorur topografinë me rreze X, ne konfirmuam praninë e PR-ve që mund të lëvizin nga BPD në substrat në periferi të kontakteve në diodën PinN pa injektim proton (Fig. 4: ky imazh pa hequr elektrodën e sipërme (foto, PR nën elektroda nuk është e dukshme). Prandaj, zona e errët në imazhin EL korrespondon me një BPD të zgjeruar 1SSF në nënshtresë. Imazhet EL të diodave të tjera të ngarkuara Pinn janë paraqitur në figurat 1 dhe 2. Videot S3-S6 me dhe pa të zgjatura zonat e errëta (imazhet EL që ndryshojnë në kohë të diodave PinN pa injeksion proton dhe të implantuara në 1014 cm-2) tregohen gjithashtu në Informacion shtesë.
Imazhet EL të diodave PinN në 25 A/cm2 pas 2 orësh stresi elektrik (a) pa implantim proton dhe me doza të implantuara prej (b) 1012 cm-2, (c) 1014 cm-2 dhe (d) 1016 cm-2 protonet .
Ne kemi llogaritur densitetin e 1SSF të zgjeruar duke llogaritur zonat e errëta me skaje të ndritshme në tre dioda PinN për secilën gjendje, siç tregohet në figurën 5. Dendësia e 1SSF të zgjeruar zvogëlohet me rritjen e dozës së protonit, madje edhe në një dozë prej 1012 cm-2, densiteti i 1SSF i zgjeruar është dukshëm më i ulët se në një diodë PinN jo të implantuar.
Rritja e dendësisë së diodave SF PinN me dhe pa implantimin e protonit pas ngarkimit me një rrymë pulsuese (secila gjendje përfshinte tre dioda të ngarkuara).
Shkurtimi i jetëgjatësisë së transportuesit ndikon gjithashtu në shtypjen e zgjerimit dhe injektimi i protonit redukton jetëgjatësinë e transportuesit32,36.Ne kemi vëzhguar jetëgjatësinë e bartësit në një shtresë epitaksiale 60 μm të trashë me protone të injektuar prej 1014 cm-2.Nga jeta fillestare e bartësit, megjithëse implanti e redukton vlerën në ~10%, pjekja e mëvonshme e rikthen atë në ~50%, siç tregohet në Fig. S7.Prandaj, jetëgjatësia e bartësit, e reduktuar për shkak të implantimit të protonit, rikthehet nga pjekja në temperaturë të lartë.Megjithëse një ulje prej 50% në jetëgjatësinë e bartësit gjithashtu shtyp përhapjen e gabimeve të grumbullimit, karakteristikat I–V, të cilat zakonisht varen nga jeta e bartësit, tregojnë vetëm dallime të vogla midis diodave të injektuara dhe jo të implantuara.Prandaj, ne besojmë se ankorimi i PD luan një rol në frenimin e zgjerimit të 1SSF.
Megjithëse SIMS nuk zbuloi hidrogjen pas pjekjes në 1600°C, siç u raportua në studimet e mëparshme, ne vëzhguam efektin e implantimit të protonit në shtypjen e zgjerimit të 1SSF, siç tregohet në figurat 1 dhe 4. 3, 4. Prandaj, ne besojmë se PD është ankoruar nga atomet e hidrogjenit me densitet nën kufirin e zbulimit të SIMS (2 × 1016 cm-3) ose defekte pikash të shkaktuara nga implantimi.Duhet të theksohet se ne nuk kemi konfirmuar një rritje të rezistencës në gjendje për shkak të zgjatjes së 1SSF pas një ngarkese të rrymës së lartë.Kjo mund të jetë për shkak të kontakteve të papërsosura omike të bëra duke përdorur procesin tonë, të cilat do të eliminohen në të ardhmen e afërt.
Si përfundim, ne zhvilluam një metodë shuarjeje për zgjerimin e BPD në 1SSF në diodat 4H-SiC PinN duke përdorur implantimin e protonit përpara fabrikimit të pajisjes.Përkeqësimi i karakteristikës I-V gjatë implantimit të protonit është i parëndësishëm, veçanërisht në një dozë protoni prej 1012 cm-2, por efekti i shtypjes së zgjerimit të 1SSF është i rëndësishëm.Edhe pse në këtë studim kemi fabrikuar dioda PinN me trashësi 10 µm me implantimin e protonit në një thellësi prej 10 µm, është ende e mundur të optimizohen më tej kushtet e implantimit dhe t'i zbatojmë ato për të fabrikuar lloje të tjera të pajisjeve 4H-SiC.Duhet të merren parasysh kostot shtesë për fabrikimin e pajisjes gjatë implantimit të protonit, por ato do të jenë të ngjashme me ato për implantimin e joneve të aluminit, që është procesi kryesor i fabrikimit për pajisjet me fuqi 4H-SiC.Kështu, implantimi i protonit përpara përpunimit të pajisjes është një metodë e mundshme për fabrikimin e pajisjeve të fuqisë bipolare 4H-SiC pa degjenerim.
Një vafer 4-inç n-lloj 4H-SiC me një trashësi shtresë epitaksiale prej 10 μm dhe një përqendrim dopingu të donatorëve prej 1 × 1016 cm-3 u përdor si mostër.Përpara përpunimit të pajisjes, jonet H+ u implantuan në pllakë me një energji nxitimi prej 0,95 MeV në temperaturën e dhomës deri në një thellësi prej rreth 10 μm në një kënd normal me sipërfaqen e pllakës.Gjatë implantimit të protonit, u përdor një maskë në një pjatë, dhe pllaka kishte seksione pa dhe me një dozë protoni prej 1012, 1014 ose 1016 cm-2.Më pas, jonet e Alit me doza proton 1020 dhe 1017 cm-3 u implantuan mbi të gjithë vaferin në një thellësi prej 0-0,2 μm dhe 0,2-0,5 μm nga sipërfaqja, e ndjekur nga pjekja në 1600°C për të formuar një kapak karboni në formojnë shtresën ap.-lloj.Më pas, një kontakt Ni në anën e pasme u depozitua në anën e nënshtresës, ndërsa një kontakt anësor i përparmë Ti/Al në formë krehri 2,0 mm × 2,0 mm, i formuar nga fotolitografia dhe një proces lëvore u depozitua në anën e shtresës epitaksiale.Në fund, pjekja me kontakt kryhet në një temperaturë prej 700 °C.Pas prerjes së meshës në patate të skuqura, ne kryem karakterizimin dhe aplikimin e stresit.
Karakteristikat I–V të diodave të fabrikuara PiN u vëzhguan duke përdorur një analizues të parametrave gjysmëpërçues HP4155B.Si një stres elektrik, një rrymë pulsuese 10 milisekonda prej 212,5 A/cm2 u fut për 2 orë me një frekuencë prej 10 pulsesh/sek.Kur zgjodhëm një densitet ose frekuencë më të ulët të rrymës, nuk vëzhguam zgjerimin 1SSF as në një diodë PinN pa injeksion proton.Gjatë tensionit elektrik të aplikuar, temperatura e diodës PinN është rreth 70°C pa ngrohje të qëllimshme, siç tregohet në figurën S8.Imazhet elektrolumineshente janë marrë para dhe pas stresit elektrik me një densitet të rrymës prej 25 A/cm2.Topografia me rreze X të incidencës së kullotjes së reflektimit sinkrotron duke përdorur një rreze rreze X monokromatike (λ = 0,15 nm) në Qendrën e Rrezatimit Synchrotron Aichi, vektori ag në BL8S2 është -1-128 ose 11-28 (shih ref. 44 për detaje) .).
Frekuenca e tensionit në një densitet të rrymës së përparme prej 2,5 A/cm2 nxirret me një interval prej 0,5 V në fig.2 sipas CVC të secilës gjendje të diodës PinN.Nga vlera mesatare e Valës së stresit dhe devijimi standard σ i stresit, ne vizatojmë një kurbë normale të shpërndarjes në formën e një vije me pika në Figurën 2 duke përdorur ekuacionin e mëposhtëm:
Werner, MR & Fahrner, WR Rishikim mbi materialet, mikrosensorët, sistemet dhe pajisjet për aplikime në temperatura të larta dhe në mjedis të ashpër. Werner, MR & Fahrner, WR Rishikim mbi materialet, mikrosensorët, sistemet dhe pajisjet për aplikime në temperatura të larta dhe në mjedis të ashpër.Werner, MR dhe Farner, WR Përmbledhje e materialeve, mikrosensorëve, sistemeve dhe pajisjeve për aplikime në temperatura të larta dhe mjedise të ashpra. Werner, MR & Fahrner, WR. Werner, MR & Fahrner, WR Rishikimi i materialeve, mikrosensorëve, sistemeve dhe pajisjeve për temperatura të larta dhe aplikime të pafavorshme mjedisore.Werner, MR dhe Farner, WR Përmbledhje e materialeve, mikrosensorëve, sistemeve dhe pajisjeve për aplikime në temperatura të larta dhe kushte të vështira.IEEE Trans.Elektronikë industriale.48, 249-257 (2001).
Kimoto, T. & Cooper, JA Bazat e teknologjisë së karabit të silikonit Bazat e teknologjisë së karabit të silikonit: Rritja, Karakterizimi, Pajisjet dhe Aplikacionet Vol. Kimoto, T. & Cooper, JA Bazat e teknologjisë së karabit të silikonit Bazat e teknologjisë së karabit të silikonit: Rritja, Karakterizimi, Pajisjet dhe Aplikacionet Vol.Kimoto, T. dhe Cooper, JA Bazat e teknologjisë së karabit të silikonit Bazat e teknologjisë së karabit të silikonit: Rritja, karakteristikat, pajisjet dhe aplikimet Vol. Kimoto, T. & Cooper, JA 碳化硅技术基础碳化硅技术基础：增长、表征、设备和应用卷。 Kimoto, T. & Cooper, JA Baza e teknologjisë së karbonit dhe silicit Baza e teknologjisë së karbonit dhe silikonit: rritja, përshkrimi, pajisjet dhe vëllimi i aplikimit.Kimoto, T. dhe Cooper, J. Bazat e teknologjisë së karabit të silikonit Bazat e teknologjisë së karabit të silikonit: Rritja, karakteristikat, pajisjet dhe aplikimet Vol.252 (Wiley Singapore Pte Ltd, 2014).
Veliadis, V. Komercializimi në shkallë të gjerë i SiC: Status Quo dhe pengesat që duhen kapërcyer.alma mater.shkenca.Forum 1062, 125–130 (2022).
Broughton, J., Smet, V., Tummala, RR & Joshi, YK Rishikimi i teknologjive të paketimit termik për elektronikë të fuqisë së automobilave për qëllime tërheqëse. Broughton, J., Smet, V., Tummala, RR & Joshi, YK Rishikimi i teknologjive të paketimit termik për elektronikë të fuqisë së automobilave për qëllime tërheqëse.Broughton, J., Smet, V., Tummala, RR dhe Joshi, YK Përmbledhje e teknologjive të paketimit termik për elektronikë të fuqisë së automobilave për qëllime tërheqëse. Broughton, J., Smet, V., Tummala, RR & Joshi, YK 用于牵引目的的汽车电力电子热封装技术的回顾。 Broughton, J., Smet, V., Tummala, RR & Joshi, YKBroughton, J., Smet, V., Tummala, RR dhe Joshi, YK Përmbledhje e teknologjisë së paketimit termik për elektronikë të fuqisë së automobilave për qëllime tërheqëse.J. Elektroni.Paketa.ekstazë.ASME 140, 1-11 (2018).
Sato, K., Kato, H. & Fukushima, T. Zhvillimi i sistemit tërheqës të aplikuar SiC për trenat me shpejtësi të lartë Shinkansen të gjeneratës së ardhshme. Sato, K., Kato, H. & Fukushima, T. Zhvillimi i sistemit tërheqës të aplikuar SiC për trenat me shpejtësi të lartë Shinkansen të gjeneratës së ardhshme.Sato K., Kato H. dhe Fukushima T. Zhvillimi i një sistemi tërheqës të aplikuar SiC për trenat Shinkansen me shpejtësi të lartë të gjeneratës së ardhshme.Zhvillimi i sistemit të tërheqjes Sato K., Kato H. dhe Fukushima T. për aplikacionet SiC për trenat Shinkansen me shpejtësi të lartë të gjeneratës së ardhshme.Shtojca IEEJ J. Ind. 9, 453–459 (2020).
Senzaki, J., Hayashi, S., Yonezawa, Y. & Okumura, H. Sfidat për të realizuar pajisje shumë të besueshme të fuqisë SiC: Nga statusi aktual dhe çështjet e vaferave SiC. Senzaki, J., Hayashi, S., Yonezawa, Y. & Okumura, H. Sfidat për të realizuar pajisje shumë të besueshme të fuqisë SiC: Nga statusi aktual dhe çështjet e vaferave SiC.Senzaki, J., Hayashi, S., Yonezawa, Y. dhe Okumura, H. Probleme në zbatimin e pajisjeve të fuqisë SiC shumë të besueshme: duke filluar nga gjendja aktuale dhe problemi i vaferës SiC. Senzaki, J., Hayashi, S., Yonezawa, Y. & Okumura, H. Senzaki, J., Hayashi, S., Yonezawa, Y. & Okumura, H. Sfida e arritjes së besueshmërisë së lartë në pajisjet e fuqisë SiC: nga SiC 晶圆的电视和问题设计。Senzaki J, Hayashi S, Yonezawa Y. dhe Okumura H. Sfidat në zhvillimin e pajisjeve të fuqisë me besueshmëri të lartë bazuar në karabit silikoni: një përmbledhje e statusit dhe problemeve që lidhen me vaferat e karbitit të silikonit.Në Simpoziumin Ndërkombëtar të IEEE 2018 mbi Fizikën e Besueshmërisë (IRPS).(Senzaki, J. et al. eds.) 3B.3-1-3B.3-6 (IEEE, 2018).
Kim, D. & Sung, W. Përmirësimi i qëndrueshmërisë së qarkut të shkurtër për MOSFET 4H-SiC 1.2 kV duke përdorur një pus të thellë P të zbatuar duke kanalizuar implantimin. Kim, D. & Sung, W. Përmirësimi i qëndrueshmërisë së qarkut të shkurtër për MOSFET 4H-SiC 1.2 kV duke përdorur një pus të thellë P të zbatuar duke kanalizuar implantimin.Kim, D. dhe Sung, V. Përmirësuan imunitetin e qarkut të shkurtër për një MOSFET 1.2 kV 4H-SiC duke përdorur një pus të thellë P të zbatuar nga implantimi i kanalit. Kim, D. & Sung, W. 使用通过沟道注入实现的深P 阱提高了1.2kV 4H-SiC MOSFET 的短路耐用深P Kim, D. & Sung, W. P 阱提高了1.2kV 4H-SiC MOSFETKim, D. dhe Sung, V. Përmirësoi tolerancën e qarkut të shkurtër të MOSFET-ve 1.2 kV 4H-SiC duke përdorur puse të thella P me implantimin e kanalit.IEEE Elektronike Devices Lett.42, 1822–1825 (2021).
Skowronski M. et al.Lëvizja e përmirësuar me rikombinim të defekteve në diodat 4H-SiC pn me anim përpara.J. Aplikimi.fizikës.92, 4699–4704 (2002).
Ha, S., Mieszkowski, P., Skowronski, M. & Rowland, Konvertimi i dislokimit LB në epitaksinë e karbitit të silikonit 4H. Ha, S., Mieszkowski, P., Skowronski, M. & Rowland, Konvertimi i dislokimit LB në epitaksinë e karbitit të silikonit 4H.Ha S., Meszkowski P., Skowronski M. dhe Rowland LB transformimi i dislokimit gjatë epitaksisë së karbitit të silikonit 4H. Ha, S., Mieszkowski, P., Skowronski, M. & Rowland, LB 4H 碳化硅外延中的位错转换。 Ha, S., Mieszkowski, P., Skowronski, M. & Rowland, LB 4H Ha, S., Meszkowski, P., Skowronski, M. & Rowland, LBTranzicioni i dislokimit 4H në epitaksinë e karbitit të silikonit.J. Kristal.Rritja 244, 257-266 (2002).
Skowronski, M. & Ha, S. Degradimi i pajisjeve bipolare gjashtëkëndore me bazë silikoni-karbit. Skowronski, M. & Ha, S. Degradimi i pajisjeve bipolare gjashtëkëndore me bazë silikoni-karbit.Skowronski M. dhe Ha S. Degradimi i pajisjeve bipolare gjashtëkëndore të bazuara në karabit silikoni. Skowronski, M. & Ha, S. 六方碳化硅基双极器件的降解. Skowronski M. & Ha S.Skowronski M. dhe Ha S. Degradimi i pajisjeve bipolare gjashtëkëndore të bazuara në karabit silikoni.J. Aplikimi.fizika 99, 011101 (2006).
Agarwal, A., Fatima, H., Haney, S. & Ryu, S.-H. Agarwal, A., Fatima, H., Haney, S. & Ryu, S.-H.Agarwal A., Fatima H., Heini S. dhe Ryu S.-H. Agarwal, A., Fatima, H., Haney, S. & Ryu, S.-H. Agarwal, A., Fatima, H., Haney, S. & Ryu, S.-H.Agarwal A., Fatima H., Heini S. dhe Ryu S.-H.Një mekanizëm i ri degradimi për MOSFET-et me fuqi SiC me tension të lartë.IEEE Elektronike Devices Lett.28, 587-589 (2007).
Caldwell, JD, Stahlbush, RE, Ancona, MG, Glembocki, OJ & Hobart, KD Mbi forcën lëvizëse për lëvizjen e defektit të grumbullimit të shkaktuar nga rikombinimi në 4H–SiC. Caldwell, JD, Stahlbush, RE, Ancona, MG, Glembocki, OJ & Hobart, KD Mbi forcën lëvizëse për lëvizjen e defektit të grumbullimit të shkaktuar nga rikombinimi në 4H-SiC.Caldwell, JD, Stalbush, RE, Ancona, MG, Glemboki, OJ dhe Hobart, KD Mbi forcën lëvizëse të lëvizjes së defektit të grumbullimit të shkaktuar nga rikombinimi në 4H-SiC. Caldwell, JD, Stahlbush, RE, Ancona, MG, Glembocki, OJ & Hobart, KD 关于4H-SiC 中复合引起的层错运动的驱动力。 Caldwell, JD, Stahlbush, RE, Ancona, MG, Glembocki, OJ & Hobart, KDCaldwell, JD, Stalbush, RE, Ancona, MG, Glemboki, OJ dhe Hobart, KD, Mbi forcën lëvizëse të lëvizjes së fajit të grumbullimit të shkaktuar nga rikombinimi në 4H-SiC.J. Aplikimi.fizikës.108, 044503 (2010).
Iijima, A. & Kimoto, T. Modeli elektronik i energjisë për formimin e gabimeve të grumbullimit të vetëm Shockley në kristalet 4H-SiC. Iijima, A. & Kimoto, T. Modeli elektronik i energjisë për formimin e gabimeve të grumbullimit të vetëm Shockley në kristalet 4H-SiC.Iijima, A. dhe Kimoto, T. Modeli elektron-energjetik i formimit të defekteve të vetme të paketimit Shockley në kristalet 4H-SiC. Iijima, A. & Kimoto, T. 4H-SiC 晶体中单Shockley 堆垛层错形成的电子能量模型。 Iijima, A. & Kimoto, T. Modeli elektronik i energjisë i formimit të gabimeve të grumbullimit të vetëm Shockley në kristal 4H-SiC.Iijima, A. dhe Kimoto, T. Modeli elektron-energjetik i formimit të paketimit të vetëm Shockley me defekt në kristalet 4H-SiC.J. Aplikimi.fizika 126, 105703 (2019).
Iijima, A. & Kimoto, T. Vlerësimi i gjendjes kritike për zgjerimin/tkurrjen e gabimeve të vetme të grumbullimit të Shockley në diodat 4H-SiC PinN. Iijima, A. & Kimoto, T. Vlerësimi i gjendjes kritike për zgjerimin/tkurrjen e gabimeve të vetme të grumbullimit të Shockley në diodat 4H-SiC PinN.Iijima, A. dhe Kimoto, T. Vlerësimi i gjendjes kritike për zgjerimin/kompresimin e defekteve të paketimit të vetëm Shockley në diodat 4H-SiC PiN. Iijima, A. & Kimoto, T. 估计4H-SiC Pin 二极管中单个Shockley 堆垛层错膨胀/收缩的临界条件。 Iijima, A. & Kimoto, T. Vlerësimi i kushteve të zgjerimit/tkurrjes së shtresës së grumbullimit të vetëm Shockley në diodat 4H-SiC PiN.Iijima, A. dhe Kimoto, T. Vlerësimi i kushteve kritike për zgjerimin/kompresimin e paketimit të vetëm me defekt Shockley në diodat 4H-SiC PiN.fizika e aplikacionit Wright.116, 092105 (2020).
Mannen, Y., Shimada, K., Asada, K. & Ohtani, N. Modeli i veprimit të pusit kuantik për formimin e një gabimi të vetëm grumbullimi Shockley në një kristal 4H-SiC në kushte jo ekuilibri. Mannen, Y., Shimada, K., Asada, K. & Ohtani, N. Modeli i veprimit të pusit kuantik për formimin e një gabimi të vetëm grumbullimi Shockley në një kristal 4H-SiC në kushte jo ekuilibri.Mannen Y., Shimada K., Asada K. dhe Otani N. Një model i pusit kuantik për formimin e një gabimi të vetëm të grumbullimit të Shockley në një kristal 4H-SiC në kushte jo ekuilibri.Mannen Y., Shimada K., Asada K. dhe Otani N. Modeli i ndërveprimit të puseve kuantike për formimin e gabimeve të vetme të grumbullimit të Shockley në kristalet 4H-SiC në kushte jo ekuilibri.J. Aplikimi.fizikës.125, 085705 (2019).
Galeckas, A., Linnros, J. & Pirouz, P. Gabimet e grumbullimit të shkaktuara nga rekombinimi: Dëshmi për një mekanizëm të përgjithshëm në SiC gjashtëkëndor. Galeckas, A., Linnros, J. & Pirouz, P. Gabimet e grumbullimit të shkaktuara nga rekombinimi: Dëshmi për një mekanizëm të përgjithshëm në SiC gjashtëkëndor.Galeckas, A., Linnros, J. dhe Pirouz, P. Defektet e paketimit të shkaktuara nga rekombinimi: Dëshmi për një mekanizëm të përbashkët në SiC gjashtëkëndor. Galeckas, A., Linnros, J. & Pirouz, P. 复合诱导的堆垛层错：六方SiC 中一般机制的证据。 Galeckas, A., Linnros, J. & Pirouz, P. Dëshmi për mekanizmin e përgjithshëm të shtresës së grumbullimit të induksionit të përbërë: 六方SiC.Galeckas, A., Linnros, J. dhe Pirouz, P. Defektet e paketimit të shkaktuara nga rekombinimi: Dëshmi për një mekanizëm të përbashkët në SiC gjashtëkëndor.fizikës Pastor Wright.96, 025502 (2006).
Ishikawa, Y., Sudo, M., Yao, Y.-Z., Sugawara, Y. & Kato, M. Zgjerimi i një gabimi të vetëm të grumbullimit të Shockley në një shtresë epitaksiale 4H-SiC (11 2 ¯0) të shkaktuar nga elektroni rrezatimi me rreze.Ishikawa, Y., M. Sudo, rrezatimi me rreze Y.-Z.Ishikawa, Y., Sudo M., Y.-Z Psikologji.Kutia, Ю., М.Судо, Y.-Z Chem., J. Chem., 123, 225101 (2018).
Kato, M., Katahira, S., Ichikawa, Y., Harada, S. & Kimoto, T. Vëzhgimi i rikombinimit të bartësit në gabimet e vetme të grumbullimit të Shockley dhe në dislokimet e pjesshme në 4H-SiC. Kato, M., Katahira, S., Ichikawa, Y., Harada, S. & Kimoto, T. Vëzhgimi i rikombinimit të bartësit në gabimet e vetme të grumbullimit të Shockley dhe në dislokimet e pjesshme në 4H-SiC.Kato M., Katahira S., Itikawa Y., Harada S. dhe Kimoto T. Vëzhgimi i rikombinimit të bartësit në defektet e paketimit të vetëm të tronditjes dhe dislokimet e pjesshme në 4H-SiC. Kato, M., Katahira, S., Ichikawa, Y., Harada, S. & Kimoto, T. 单Shockley 堆垛层错和4H-SiC 部分位错中载流子复傈 Kato, M., Katahira, S., Ichikawa, Y., Harada, S. & Kimoto, T. 单Shockley stacking stacking和4H-SiC parcial 位错中载流子去生的可以。Kato M., Katahira S., Itikawa Y., Harada S. dhe Kimoto T. Vëzhgimi i rikombinimit të bartësit në defektet e paketimit të vetëm të tronditjes dhe dislokimet e pjesshme në 4H-SiC.J. Aplikimi.fizika 124, 095702 (2018).
Kimoto, T. & Watanabe, H. Inxhinieri me defekte në teknologjinë SiC për pajisjet e fuqisë me tension të lartë. Kimoto, T. & Watanabe, H. Inxhinieri me defekte në teknologjinë SiC për pajisjet e fuqisë me tension të lartë.Kimoto, T. dhe Watanabe, H. Zhvillimi i defekteve në teknologjinë SiC për pajisjet e fuqisë me tension të lartë. Kimoto, T. & Watanabe, H. 用于高压功率器件的SiC 技术中的缺陷工程。 Kimoto, T. & Watanabe, H. Inxhinieri me defekte në teknologjinë SiC për pajisjet e fuqisë me tension të lartë.Kimoto, T. dhe Watanabe, H. Zhvillimi i defekteve në teknologjinë SiC për pajisjet e fuqisë me tension të lartë.fizika e aplikacionit Express 13, 120101 (2020).
Zhang, Z. & Sudarshan, TS Epitaksia pa dislokim të planit bazë të karabit të silikonit. Zhang, Z. & Sudarshan, TS Epitaksia pa dislokim të planit bazë të karabit të silikonit.Zhang Z. dhe Sudarshan TS Epitaksia pa dislokim të karbitit të silikonit në rrafshin bazal. Zhang, Z. & Sudarshan, TS 碳化硅基面无位错外延. Zhang, Z. & Sudarshan, TSZhang Z. dhe Sudarshan TS Epitaksia pa dislokim të planeve bazale të karbitit të silikonit.deklaratë.fizikës.Wright.87, 151913 (2005).
Zhang, Z., Moulton, E. & Sudarshan, TS Mekanizmi i eliminimit të dislokimeve të planit bazal në filmat e hollë SiC me anë të epitaksisë në një substrat të etched. Zhang, Z., Moulton, E. & Sudarshan, TS Mekanizmi i eliminimit të dislokimeve të planit bazal në filmat e hollë SiC me anë të epitaksisë në një substrat të etched.Zhang Z., Moulton E. dhe Sudarshan TS Mekanizmi i eliminimit të dislokimeve të planit bazë në filmat e hollë SiC me anë të epitaksisë në një substrat të etched. Zhang, Z., Moulton, E. & Sudarshan, TS 通过在蚀刻衬底上外延消除SiC 薄膜中基面位错的机制。 Zhang, Z., Moulton, E. & Sudarshan, TS Mekanizmi i eliminimit të shtresës së hollë të SiC nga gravimi i substratit.Zhang Z., Moulton E. dhe Sudarshan TS Mekanizmi i eliminimit të dislokimeve të planit bazë në filmat e hollë SiC me anë të epitaksisë në nënshtresa të etched.fizika e aplikacionit Wright.89, 081910 (2006).
Shtalbush RE etj.Ndërprerja e rritjes çon në një ulje të dislokimeve të planit bazal gjatë epitaksisë 4H-SiC.deklaratë.fizikës.Wright.94, 041916 (2009).
Zhang, X. & Tsuchida, H. Konvertimi i dislokimeve të rrafshit bazal në dislokime të skajeve filetore në epilayers 4H-SiC nga pjekja me temperaturë të lartë. Zhang, X. & Tsuchida, H. Konvertimi i dislokimeve të rrafshit bazal në dislokime të skajeve filetore në epilayers 4H-SiC nga pjekja me temperaturë të lartë.Zhang, X. dhe Tsuchida, H. Transformimi i dislokimeve të rrafshit bazal në dislokime të skajeve të filetimit në shtresat epitaksiale 4H-SiC nga pjekja me temperaturë të lartë. Zhang, X. & Tsuchida, H. 通过高温退火将4H-SiC 外延层中的基面位错转化为螺纹刃位错。 Zhang, X. & Tsuchida, H. 通过高温退火将4H-SiCZhang, X. dhe Tsuchida, H. Transformimi i dislokimeve të planit bazë në dislokime të skajit të filamentit në shtresat epitaksiale 4H-SiC nga pjekja me temperaturë të lartë.J. Aplikimi.fizikës.111, 123512 (2012).
Song, H. & Sudarshan, TS Konvertimi i dislokimit të rrafshit bazal pranë ndërfaqes epilayer/substrat në rritjen epitaksiale prej 4° jashtë boshtit 4H–SiC. Song, H. & Sudarshan, TS Konvertimi i dislokimit të rrafshit bazal pranë ndërfaqes epilayer/substrat në rritjen epitaksiale prej 4° jashtë boshtit 4H–SiC.Song, H. dhe Sudarshan, TS Transformimi i dislokimeve të planit bazal pranë ndërfaqes së shtresës/substratit epitaksial gjatë rritjes epitaksiale jashtë boshtit të 4H-SiC. Song, H. & Sudarshan, TS 在4° 离轴4H-SiC 外延生长中外延层/衬底界面附近的基底平面位 Song, H. & Sudarshan, TS 在4° 离轴4H-SiC Song, H. & Sudarshan, TSKalimi planar i dislokimit të nënshtresës pranë kufirit të shtresës/substratit epitaksial gjatë rritjes epitaksiale të 4H-SiC jashtë boshtit 4°.J. Kristal.Rritja 371, 94–101 (2013).
Konishi, K. etj.Në rrymë të lartë, përhapja e gabimit të grumbullimit të dislokimit të planit bazal në shtresat epitaksiale 4H-SiC shndërrohet në dislokime të skajit të filamentit.J. Aplikimi.fizikës.114, 014504 (2013).
Konishi, K. etj.Dizenjoni shtresa epitaksiale për MOSFET-ët SiC të padegradueshëm bipolarë duke zbuluar zona të zgjatura të bërthamës së defektit të grumbullimit në analizën topografike operacionale me rreze X.AIP Advanced 12, 035310 (2022).
Lin, S. et al.Ndikimi i strukturës së dislokimit të planit bazal në përhapjen e një defekti të vetëm të grumbullimit të tipit Shockley gjatë prishjes së rrymës së përparme të diodave pin 4H-SiC.Japonia.J. Aplikimi.fizikës.57, 04FR07 (2018).
Tahara, T., etj.Jetëgjatësia e shkurtër e transportuesit të pakicës në epilayerët 4H-SiC të pasura me azot përdoret për të shtypur defektet e grumbullimit në diodat PinN.J. Aplikimi.fizikës.120, 115101 (2016).
Tahara, T. et al.Varësia e përqendrimit të bartësit të injektuar e përhapjes së gabimit të vetëm të grumbullimit të Shockley në diodat 4H-SiC PinN.J. Aplikimi.Fizikë 123, 025707 (2018).
Mae, S., Tawara, T., Tsuchida, H. & Kato, M. Sistemi FCA mikroskopik për matjen e jetëgjatësisë së bartësit të zgjidhur në thellësi në SiC. Mae, S., Tawara, T., Tsuchida, H. & Kato, M. Sistemi FCA mikroskopik për matjen e jetëgjatësisë së bartësit të zgjidhur në thellësi në SiC.Mei, S., Tawara, T., Tsuchida, H. dhe Kato, M. Sistemi mikroskopik FCA për matjet e jetës së bartësit me zgjidhje në thellësi në karabit silikoni. Mae, S.、Tawara, T.、Tsuchida, H. & Kato, M. 用于SiC 中深度分辨载流子寿命测量的显微FCA 系统 Mae, S.、Tawara, T.、Tsuchida, H. & Kato, M. Për SiC me thellësi mesatare 分辨载流子matjen e jetëgjatësisë的月微FCA.Mei S., Tawara T., Tsuchida H. dhe Kato M. Sistemi Micro-FCA për matjet e jetëgjatësisë së bartësit të zgjidhur në thellësi në karabit silikoni.Forumi i shkencës alma mater 924, 269–272 (2018).
Hirayama, T. et al.Shpërndarja e thellësisë së jetëgjatësisë së bartësit në shtresat e trasha epitaksiale 4H-SiC u mat në mënyrë jo destruktive duke përdorur rezolucionin kohor të përthithjes së lirë të transportuesit dhe dritës së kryqëzuar.Kaloni në shkencë.metër.91, 123902 (2020).
Koha e postimit: Nëntor-06-2022