Matur nuwun kanggo ngunjungi Nature.com.Versi browser sing sampeyan gunakake nduweni dhukungan CSS sing winates.Kanggo pengalaman paling apik, disaranake sampeyan nggunakake browser sing dianyari (utawa mateni Mode Kompatibilitas ing Internet Explorer).Ing sawetoro wektu, kanggo mesthekake dhukungan terus, kita bakal nerjemahake situs tanpa gaya lan JavaScript.
4H-SiC wis dikomersialake minangka bahan kanggo piranti semikonduktor daya.Nanging, keandalan jangka panjang piranti 4H-SiC minangka alangan kanggo aplikasi sing wiyar, lan masalah linuwih piranti 4H-SiC sing paling penting yaiku degradasi bipolar.Degradasi iki disebabake dening panyebaran salah siji Shockley stacking fault (1SSF) saka dislokasi bidang basal ing kristal 4H-SiC.Ing kene, kita ngusulake cara kanggo nyuda ekspansi 1SSF kanthi implantasi proton ing wafer epitaxial 4H-SiC.Dioda PiN sing digawe ing wafer kanthi implantasi proton nuduhake karakteristik tegangan saiki sing padha karo dioda tanpa implantasi proton.Ing kontras, ekspansi 1SSF kanthi efektif ditindhes ing dioda PiN sing ditanem proton.Mangkono, implantasi proton menyang wafer epitaxial 4H-SiC minangka cara sing efektif kanggo nyuda degradasi bipolar piranti semikonduktor daya 4H-SiC nalika njaga kinerja piranti.Asil iki nyumbang kanggo pangembangan piranti 4H-SiC sing bisa dipercaya.
Silicon carbide (SiC) diakoni sacara luas minangka bahan semikonduktor kanggo piranti semikonduktor frekuensi dhuwur sing bisa digunakake ing lingkungan sing atos1.Ana akeh politipe SiC, ing antarane 4H-SiC nduweni sifat fisik piranti semikonduktor sing apik kayata mobilitas elektron sing dhuwur lan medan listrik sing rusak banget.Wafer 4H-SiC kanthi diameter 6 inci saiki dikomersialake lan digunakake kanggo produksi massal piranti semikonduktor daya3.Sistem traksi kanggo kendaraan listrik lan sepur digawe nggunakake piranti semikonduktor daya 4H-SiC4.5.Nanging, piranti 4H-SiC isih nandhang masalah keandalan jangka panjang kayata kerusakan dielektrik utawa keandalan sirkuit cendhak, 6,7 salah sawijining masalah keandalan sing paling penting yaiku degradasi bipolar2,8,9,10,11.Degradasi bipolar iki ditemokake luwih saka 20 taun kepungkur lan wis suwe dadi masalah ing fabrikasi piranti SiC.
Degradasi bipolar disebabake dening cacat tumpukan Shockley tunggal (1SSF) ing kristal 4H-SiC kanthi dislokasi bidang basal (BPDs) sing nyebar kanthi rekombinasi dislokasi sing ditingkatake (REDG) 12,13,14,15,16,17,18,19.Mulane, yen ekspansi BPD ditindhes dadi 1SSF, piranti daya 4H-SiC bisa digawe tanpa degradasi bipolar.Sawetara cara wis dilapurake kanggo nyuda panyebaran BPD, kayata transformasi BPD menyang Thread Edge Dislocation (TED) 20,21,22,23,24.Ing wafer epitaxial SiC paling anyar, BPD utamane ana ing substrat lan ora ana ing lapisan epitaxial amarga konversi BPD dadi TED sajrone tahap awal pertumbuhan epitaxial.Mulane, masalah sing isih ana saka degradasi bipolar yaiku distribusi BPD ing substrat 25,26,27.Penyisipan "lapisan penguat komposit" ing antarane lapisan drift lan substrat wis diusulake minangka cara efektif kanggo nyuda ekspansi BPD ing substrat28, 29, 30, 31. Lapisan iki nambah kemungkinan rekombinasi pasangan elektron-hole ing lapisan epitaxial lan substrat SiC.Ngurangi jumlah pasangan electron-hole nyuda daya nyopir REDG menyang BPD ing substrat, saéngga lapisan penguat komposit bisa nyuda degradasi bipolar.Sampeyan kudu nyatet sing selipan saka lapisan entails biaya tambahan ing produksi wafer, lan tanpa selipan saka lapisan iku angel kanggo ngurangi jumlah pasangan elektron-bolongan dening kontrol mung kontrol umur operator.Mulane, isih ana kabutuhan sing kuat kanggo ngembangake cara penindasan liyane kanggo entuk keseimbangan sing luwih apik ing antarane biaya manufaktur piranti lan ngasilake.
Amarga extension saka BPD kanggo 1SSF mbutuhake gerakan dislokasi parsial (PD), pinning PD minangka pendekatan janjeni kanggo nyandhet degradasi bipolar.Senajan PD pinning dening impurities logam wis kacarita, FPDs ing substrat 4H-SiC dumunung ing kadohan luwih saka 5 μm saka lumahing lapisan epitaxial.Kajaba iku, amarga koefisien difusi saka logam apa wae ing SiC cilik banget, mula impurities logam angel nyebar menyang substrat34.Amarga massa atom logam sing relatif gedhe, implantasi ion logam uga angel.Ing kontras, ing kasus hidrogen, unsur paling entheng, ion (proton) bisa ditanem ing 4H-SiC nganti ambane luwih saka 10 µm nggunakake akselerator kelas MeV.Mulane, yen implantasi proton mengaruhi pinning PD, banjur bisa digunakake kanggo nyuda propagasi BPD ing substrat.Nanging, implantasi proton bisa ngrusak 4H-SiC lan nyebabake kinerja piranti suda37,38,39,40.
Kanggo ngatasi degradasi piranti amarga implantasi proton, anil suhu dhuwur digunakake kanggo ndandani karusakan, padha karo cara anil sing umum digunakake sawise implantasi ion akseptor ing pangolahan piranti1, 40, 41, 42. Senajan spektrometri massa ion sekunder (SIMS)43 nduweni kacarita panyebaran hidrogen amarga annealing suhu dhuwur, bisa mung Kapadhetan atom hidrogen cedhak FD ora cukup kanggo ndeteksi pinning PR nggunakake SIMS.Mulane, ing panliten iki, kita nandurake proton menyang wafer epitaxial 4H-SiC sadurunge proses fabrikasi piranti, kalebu anil suhu dhuwur.Kita nggunakake dioda PiN minangka struktur piranti eksperimen lan digawe ing wafer epitaxial 4H-SiC sing ditanem proton.Kita banjur mirsani karakteristik volt-ampere kanggo nyinaoni degradasi kinerja piranti amarga injeksi proton.Salajengipun, kita mirsani ekspansi 1SSF ing gambar electroluminescence (EL) sawise ngetrapake tegangan listrik menyang dioda PiN.Pungkasan, kita ngonfirmasi efek injeksi proton ing penindasan ekspansi 1SSF.
Ing anjir.Gambar 1 nuduhake karakteristik saiki-voltase (CVCs) saka dioda PiN ing suhu kamar ing wilayah karo lan tanpa implantasi proton sadurunge pulsed saiki.Dioda PiN kanthi injeksi proton nuduhake karakteristik pembetulan sing padha karo dioda tanpa injeksi proton, sanajan karakteristik IV ana ing antarane dioda.Kanggo nuduhake prabédan antarane kondisi injeksi, kita ngrancang frekuensi voltase ing Kapadhetan saiki maju 2,5 A / cm2 (cocog karo 100 mA) minangka plot statistik minangka ditampilake ing Figure 2. Kurva kira-kira dening distribusi normal uga dituduhake. dening garis burik.baris.Kaya sing bisa dideleng saka puncak kurva, resistansi rada mundhak ing dosis proton 1014 lan 1016 cm-2, dene dioda PiN kanthi dosis proton 1012 cm-2 nuduhake karakteristik sing meh padha karo tanpa implantasi proton. .Kita uga nindakake implantasi proton sawise nggawe dioda PiN sing ora nuduhake electroluminescence seragam amarga karusakan sing disebabake dening implantasi proton kaya sing dituduhake ing Gambar S1 kaya sing diterangake ing studi sadurunge37,38,39.Mulane, annealing ing 1600 ° C sawise implantasi ion Al minangka proses sing perlu kanggo nggawe piranti kanggo ngaktifake akseptor Al, sing bisa ndandani karusakan sing disebabake dening implantasi proton, sing ndadekake CVC padha ing antarane dioda PiN sing ditanem lan sing ora ditanem. .Frekuensi arus mbalikke ing -5 V uga ditampilake ing Gambar S2, ora ana prabédan sing signifikan antarane dioda karo lan tanpa injeksi proton.
Karakteristik volt-ampere dioda PiN kanthi lan tanpa proton sing disuntikake ing suhu kamar.Legenda nuduhake dosis proton.
Frekuensi voltase ing arus langsung 2,5 A/cm2 kanggo dioda PiN kanthi proton sing disuntikake lan ora disuntikake.Garis burik cocog karo distribusi normal.
Ing anjir.3 nuduhake gambar EL saka diode PiN karo Kapadhetan saiki 25 A / cm2 sawise voltase.Sadurunge ngetrapake beban saiki pulsed, wilayah peteng dioda ora diamati, kaya sing ditampilake ing Gambar 3. C2.Nanging, kaya sing dituduhake ing anjir.3a, ing dioda PiN tanpa implantasi proton, sawetara wilayah belang peteng kanthi pinggir cahya diamati sawise ngetrapake voltase listrik.Wilayah peteng rod-shaped kuwi diamati ing gambar EL kanggo 1SSF ndawakake saka BPD ing substrat28,29.Nanging, sawetara fault tumpukan lengkap diamati ing diode PiN karo proton implanted, minangka ditampilake ing Fig. 3b-d.Nggunakake topografi sinar-X, kita ngonfirmasi anané PR sing bisa pindhah saka BPD menyang substrat ing pinggiran kontak ing dioda PiN tanpa injeksi proton (Gambar 4: gambar iki tanpa mbusak elektroda ndhuwur (foto, PR). ing sangisore elektrods ora katon).Mulane, area peteng ing gambar EL cocog karo 1SSF BPD lengkap ing landasan. Gambar EL saka dioda PiN dimuat liyane ditampilake ing Gambar 1 lan 2. Video S3-S6 karo lan tanpa ditambahi wilayah peteng (gambar EL wektu-variasi saka dioda PiN tanpa injeksi proton lan implanted ing 1014 cm-2) uga ditampilake ing Informasi Tambahan.
Gambar EL dioda PiN ing 25 A/cm2 sawise 2 jam stres listrik (a) tanpa implantasi proton lan kanthi dosis implan (b) 1012 cm-2, (c) 1014 cm-2 lan (d) 1016 cm-2 proton.
Kita ngitung Kapadhetan 1SSF sing ditambahi kanthi ngitung wilayah peteng kanthi pinggiran sing padhang ing telung dioda PiN kanggo saben kondisi, kaya sing dituduhake ing Gambar 5. Kapadhetan 1SSF sing ditambahi suda kanthi nambah dosis proton, lan malah ing dosis 1012 cm-2, Kapadhetan 1SSF ditambahi Ngartekno luwih murah tinimbang ing diode PiN non-ditanem.
Tambah Kapadhetan dioda SF PiN kanthi lan tanpa implantasi proton sawise dimuat karo arus pulsed (saben negara kalebu telung dioda sing dimuat).
Nyepetake umur operator uga mengaruhi penindasan ekspansi, lan injeksi proton nyuda umur operator32,36.Kita wis diamati umur operator ing lapisan epitaxial 60 µm nglukis karo proton nyuntikaken saka 1014 cm-2.Saka umur operator wiwitan, sanajan implan nyuda regane nganti ~ 10%, annealing sakteruse mbalekake dadi ~ 50%, kaya sing ditampilake ing Gambar S7.Mulane, umur operator, suda amarga implantasi proton, dibalekake kanthi anil suhu dhuwur.Sanajan pangurangan 50% ing urip operator uga nyuda panyebaran kesalahan tumpukan, karakteristik I-V, sing biasane gumantung ing urip operator, mung nuduhake beda cilik antarane dioda sing disuntikake lan ora ditanem.Mulane, kita percaya yen PD anchoring nduweni peran kanggo nyegah ekspansi 1SSF.
Senajan SIMS ora ndeteksi hidrogen sawise anil ing 1600 ° C, kaya sing dilapurake ing studi sadurunge, kita mirsani efek implantasi proton ing penindasan ekspansi 1SSF, kaya sing ditampilake ing Gambar 1 lan 4. 3, 4. Mulane, kita percaya yen PD wis anchored dening atom hidrogen karo Kapadhetan ngisor watesan deteksi SIMS (2 × 1016 cm-3) utawa titik cacat mlebu dening implantasi.Perlu dicathet yen kita durung ngonfirmasi kenaikan resistensi ing negara amarga elongasi 1SSF sawise beban saiki mundhak.Iki bisa uga amarga kontak ohmic sing ora sampurna sing digawe nggunakake proses kita, sing bakal diilangi ing mangsa ngarep.
Kesimpulane, kita ngembangake metode quenching kanggo ndawakake BPD dadi 1SSF ing dioda 4H-SiC PiN nggunakake implantasi proton sadurunge fabrikasi piranti.Kerusakan karakteristik I-V sajrone implantasi proton ora pati penting, utamane ing dosis proton 1012 cm-2, nanging efek nyuda ekspansi 1SSF signifikan.Sanajan ing panliten iki, kita nggawe dioda PiN kandel 10 µm kanthi implantasi proton nganti ambane 10 µm, nanging isih bisa ngoptimalake kahanan implantasi lan digunakake kanggo nggawe jinis piranti 4H-SiC liyane.Biaya tambahan kanggo fabrikasi piranti sajrone implantasi proton kudu dianggep, nanging bakal padha karo implantasi ion aluminium, yaiku proses fabrikasi utama kanggo piranti daya 4H-SiC.Mangkono, implantasi proton sadurunge pangolahan piranti minangka cara potensial kanggo nggawe piranti daya bipolar 4H-SiC tanpa degenerasi.
Wafer 4H-SiC tipe n 4 inci kanthi ketebalan lapisan epitaxial 10 µm lan konsentrasi doping donor 1 × 1016 cm-3 digunakake minangka sampel.Sadurunge ngolah piranti kasebut, ion H + ditanem ing piring kanthi energi akselerasi 0,95 MeV ing suhu kamar nganti ambane kira-kira 10 μm ing sudut normal menyang permukaan piring.Sajrone implantasi proton, topeng ing piring digunakake, lan piring kasebut duwe bagean tanpa lan kanthi dosis proton 1012, 1014, utawa 1016 cm-2.Banjur, ion Al kanthi dosis proton 1020 lan 1017 cm-3 ditanem ing kabeh wafer nganti ambane 0-0.2 µm lan 0.2-0.5 µm saka permukaan, disusul anil ing 1600 ° C kanggo mbentuk tutup karbon kanggo mbentuk lapisan ap.-tipe.Salajengipun, kontak Ni sisih mburi setor ing sisih substrat, nalika 2.0 mm × 2.0 mm sisir-shaped Ti / Al kontak sisih ngarep kawangun dening photolithography lan proses kulit disimpen ing sisih lapisan epitaxial.Pungkasan, anil kontak ditindakake ing suhu 700 ° C.Sawise nglereni wafer menyang chip, kita nindakake karakterisasi stres lan aplikasi.
Karakteristik I-V saka dioda PiN sing digawe diamati nggunakake penganalisis parameter semikonduktor HP4155B.Minangka tegangan listrik, arus pulsa 10 milidetik 212,5 A/cm2 dienal sajrone 2 jam kanthi frekuensi 10 pulsa/detik.Nalika kita milih Kapadhetan saiki luwih utawa frekuensi, kita ora mirsani expansion 1SSF malah ing diode PiN tanpa injeksi proton.Sajrone voltase listrik sing ditrapake, suhu dioda PiN sekitar 70 ° C tanpa pemanasan sing disengaja, kaya sing ditampilake ing Gambar S8.Gambar electroluminescent dijupuk sadurunge lan sawise kaku listrik ing Kapadhetan saiki 25 A / cm2.Topografi sinar-X kejadian refleksi sinkrotron nggunakake sinar X monokromatik (λ = 0,15 nm) ing Pusat Radiasi Synchrotron Aichi, vektor ag ing BL8S2 yaiku -1-128 utawa 11-28 (deleng ref. 44 kanggo rincian) .).
Frekuensi voltase ing Kapadhetan saiki maju 2,5 A / cm2 diekstrak kanthi interval 0,5 V ing anjir.2 miturut CVC saben negara dioda PiN.Saka nilai rata-rata tegangan Vave lan standar deviasi σ saka kaku, kita plot kurva distribusi normal ing wangun garis titik ing Figure 2 nggunakake persamaan ing ngisor iki:
Werner, MR & Fahrner, WR Review ing materi, microsensors, sistem lan piranti kanggo suhu dhuwur lan aplikasi lingkungan atos. Werner, MR & Fahrner, WR Review ing materi, microsensors, sistem lan piranti kanggo suhu dhuwur lan aplikasi lingkungan atos.Werner, MR lan Farner, WR Ringkesan materi, microsensors, sistem lan piranti kanggo aplikasi ing suhu dhuwur lan lingkungan atos. Werner, MR & Fahrner, WR 对用于高温和恶劣环境应用的材料、微传感器、系统和设备的评设。 Werner, MR & Fahrner, WR Review saka bahan, microsensors, sistem lan piranti kanggo suhu dhuwur lan aplikasi lingkungan salabetipun.Werner, MR lan Farner, WR Ringkesan materi, microsensors, sistem lan piranti kanggo aplikasi ing suhu dhuwur lan kahanan atos.IEEE Trans.Elektronika Industri.48, 249–257 (2001).
Kimoto, T. & Cooper, JA Fundamentals of Silicon Carbide Technology Fundamentals of Silicon Carbide Technology: Wutah, Karakterisasi, Piranti lan Aplikasi Vol. Kimoto, T. & Cooper, JA Fundamentals of Silicon Carbide Technology Fundamentals of Silicon Carbide Technology: Wutah, Karakterisasi, Piranti lan Aplikasi Vol.Kimoto, T. lan Cooper, JA Dasar Teknologi Silicon Carbide Dasar Teknologi Silicon Carbide: Wutah, Karakteristik, Piranti lan Aplikasi Vol. Kimoto, T. & Cooper, JA 碳化硅技术基础碳化硅技术基础：增长、表征、设备和应用卷。 Kimoto, T. & Cooper, JA Carbon 化silicon technology base Carbon 化silicon technology base: growth, description, equipment and application volume.Kimoto, T. lan Cooper, J. Dasar Teknologi Silicon Carbide Dasar Teknologi Silicon Carbide: Wutah, Karakteristik, Peralatan lan Aplikasi Vol.252 (Wiley Singapore Pte Ltd, 2014).
Veliadis, V. Komersialisasi Skala Gedhe SiC: Status Quo lan Rintangan sing Bakal Ditanggulangi.almamater.ngelmu.Forum 1062, 125–130 (2022).
Broughton, J., Smet, V., Tummala, RR & Joshi, YK Review teknologi kemasan termal kanggo elektronik daya otomotif kanggo tujuan traksi. Broughton, J., Smet, V., Tummala, RR & Joshi, YK Review teknologi kemasan termal kanggo elektronik daya otomotif kanggo tujuan traksi.Broughton, J., Smet, V., Tummala, RR lan Joshi, YK Ringkesan teknologi kemasan termal kanggo elektronik daya otomotif kanggo tujuan traksi. Broughton, J., Smet, V., Tummala, RR & Joshi, YK 用于牵引目的的汽车电力电子热封装技术的回顾。 Broughton, J., Smet, V., Tummala, RR & Joshi, YKBroughton, J., Smet, V., Tummala, RR lan Joshi, YK Ringkesan teknologi kemasan termal kanggo elektronik daya otomotif kanggo tujuan traksi.J. Elektron.Paket.kesurupan.ASME 140, 1-11 (2018).
Sato, K., Kato, H. & Fukushima, T. Pangembangan sistem traksi sing ditrapake SiC kanggo sepur kacepetan dhuwur Shinkansen generasi sabanjure. Sato, K., Kato, H. & Fukushima, T. Pangembangan sistem traksi sing ditrapake SiC kanggo sepur kacepetan dhuwur Shinkansen generasi sabanjure.Sato K., Kato H. lan Fukushima T. Pangembangan sistem traksi SiC sing ditrapake kanggo sepur Shinkansen kacepetan dhuwur generasi sabanjure.Sato K., Kato H. lan Fukushima T. Pengembangan Sistem Traksi kanggo Aplikasi SiC kanggo Sepur Shinkansen Kecepatan Tinggi Generasi Sabanjure.Lampiran IEEJ J. Ind. 9, 453–459 (2020).
Senzaki, J., Hayashi, S., Yonezawa, Y. & Okumura, H. Tantangan kanggo nyadari piranti daya SiC sing dipercaya banget: Saka status saiki lan masalah wafer SiC. Senzaki, J., Hayashi, S., Yonezawa, Y. & Okumura, H. Tantangan kanggo nyadari piranti daya SiC sing dipercaya banget: Saka status saiki lan masalah wafer SiC.Senzaki, J., Hayashi, S., Yonezawa, Y. lan Okumura, H. Masalah ing implementasine piranti daya SiC sing bisa dipercaya banget: wiwit saka negara saiki lan masalah wafer SiC. Senzaki, J., Hayashi, S., Yonezawa, Y. & Okumura, H. 实现高可靠性SiC. Senzaki, J., Hayashi, S., Yonezawa, Y. & Okumura, H. Tantangan kanggo nggayuh keandalan dhuwur ing piranti daya SiC: saka SiC 晶圆的电视和问题设计。Senzaki J, Hayashi S, Yonezawa Y. lan Okumura H. Tantangan ing pangembangan piranti daya linuwih dhuwur adhedhasar karbida silikon: review status lan masalah sing ana gandhengane karo wafer karbida silikon.Ing 2018 IEEE International Symposium on Reliability Physics (IRPS).(Senzaki, J. et al. eds.) 3B.3-1-3B.3-6 (IEEE, 2018).
Kim, D. & Sung, W. Ngapikake ruggedness short-circuit kanggo 1.2kV 4H-SiC MOSFET nggunakake jero P-well dipun ginakaken dening channeling implantasi. Kim, D. & Sung, W. Ngapikake ruggedness short-circuit kanggo 1.2kV 4H-SiC MOSFET nggunakake jero P-well dipun ginakaken dening channeling implantasi.Kim, D. lan Sung, V. Apik kakebalan short-circuit kanggo 1,2 kV 4H-SiC MOSFET nggunakake jero P-well dipun ginakaken dening implantasi saluran. Kim, D. & Sung, W. 使用通过沟道注入实现的深P 阱提高了1.2kV 4H-SiC MOSFET 的短路耐用性。 Kim, D. & Sung, W. P 阱提高了 1.2kV 4H-SiC MOSFETKim, D. lan Sung, V. Apik toleransi short-circuit saka 1,2 kV 4H-SiC MOSFETs nggunakake jero P-wells dening implantasi saluran.Piranti Elektronik IEEE Lett.42, 1822–1825 (2021).
Skowronski M. et al.Gerakan cacat rekombinasi-ditingkatake ing dioda pn 4H-SiC bias maju.J. Aplikasi.fisika.92, 4699–4704 (2002).
Ha, S., Mieszkowski, P., Skowronski, M. & Rowland, Konversi Dislokasi LB ing epitaksi silikon karbida 4H. Ha, S., Mieszkowski, P., Skowronski, M. & Rowland, Konversi Dislokasi LB ing epitaksi silikon karbida 4H.Ha S., Meszkowski P., Skowronski M. lan Rowland LB Dislokasi transformasi sajrone 4H silikon karbida epitaxy. Ha, S., Mieszkowski, P., Skowronski, M. & Rowland, LB 4H 碳化硅外延中的位错转换。 Ha, S., Mieszkowski, P., Skowronski, M. & Rowland, LB 4H Ha, S., Meszkowski, P., Skowronski, M. & Rowland, LBTransisi dislokasi 4H ing epitaksi silikon karbida.J. Kristal.Wutah 244, 257–266 (2002).
Skowronski, M. & Ha, S. Degradasi piranti bipolar adhedhasar silikon-karbida heksagonal. Skowronski, M. & Ha, S. Degradasi piranti bipolar adhedhasar silikon-karbida heksagonal.Skowronski M. lan Ha S. Degradasi piranti bipolar heksagonal adhedhasar silikon karbida. Skowronski, M. & Ha, S. 六方碳化硅基双极器件的降解。 Skowronski M. & Ha S.Skowronski M. lan Ha S. Degradasi piranti bipolar heksagonal adhedhasar silikon karbida.J. Aplikasi.fisika 99, 011101 (2006).
Agarwal, A., Fatima, H., Haney, S. & Ryu, S.-H. Agarwal, A., Fatima, H., Haney, S. & Ryu, S.-H.Agarwal A., Fatima H., Heini S. and Ryu S.-H. Agarwal, A., Fatima, H., Haney, S. & Ryu, S.-H. Agarwal, A., Fatima, H., Haney, S. & Ryu, S.-H.Agarwal A., Fatima H., Heini S. and Ryu S.-H.Mekanisme degradasi anyar kanggo MOSFET daya SiC voltase dhuwur.Piranti Elektronik IEEE Lett.28, 587–589 (2007).
Caldwell, JD, Stahlbush, RE, Ancona, MG, Glembocki, OJ & Hobart, KD. Caldwell, JD, Stahlbush, RE, Ancona, MG, Glembocki, OJ & Hobart, KD Ing gaya nyopir kanggo rekombinasi-mlebu gerakan fault tumpukan ing 4H-SiC.Caldwell, JD, Stalbush, RE, Ancona, MG, Glemboki, OJ, lan Hobart, KD On the driving force of recombination-induced stacking fault motion in 4H-SiC. Caldwell, JD, Stahlbush, RE, Ancona, MG, Glembocki, OJ & Hobart, KD 关于4H-SiC 中复合引起的层错运动的驱动力。 Caldwell, JD, Stahlbush, RE, Ancona, MG, Glembocki, OJ & Hobart, KDCaldwell, JD, Stalbush, RE, Ancona, MG, Glemboki, OJ, lan Hobart, KD, On the driving force of recombination-induced stacking fault motion in 4H-SiC.J. Aplikasi.fisika.108, 044503 (2010).
Iijima, A. & Kimoto, T. Model energi elektronik kanggo tatanan kesalahan tumpukan Shockley tunggal ing kristal 4H-SiC. Iijima, A. & Kimoto, T. Model energi elektronik kanggo tatanan kesalahan tumpukan Shockley tunggal ing kristal 4H-SiC.Iijima, A. lan Kimoto, T. Elektron-energi model tatanan saka cacat siji packing Shockley ing kristal 4H-SiC. Iijima, A. & Kimoto, T. 4H-SiC 晶体中单Shockley 堆垛层错形成的电子能量模型。 Iijima, A. & Kimoto, T. Model energi elektronik saka tatanan kesalahan tumpukan Shockley tunggal ing kristal 4H-SiC.Iijima, A. lan Kimoto, T. Elektron-energi model tatanan saka siji cacat Shockley packing ing kristal 4H-SiC.J. Aplikasi.fisika 126, 105703 (2019).
Iijima, A. & Kimoto, T. Perkiraan saka kondisi kritis kanggo expansion / kontraksi kesalahan tumpukan Shockley tunggal ing dioda 4H-SiC PiN. Iijima, A. & Kimoto, T. Perkiraan saka kondisi kritis kanggo expansion / kontraksi kesalahan tumpukan Shockley tunggal ing dioda 4H-SiC PiN.Iijima, A. lan Kimoto, T. Perkiraan saka negara kritis kanggo expansion / komprèsi siji Shockley packing cacat ing 4H-SiC PiN-dioda. Iijima, A. & Kimoto, T. 估计4H-SiC PiN 二极管中单个Shockley 堆垛层错膨胀/收缩的临界条件。 Iijima, A. & Kimoto, T. Perkiraan siji Shockley tumpukan lapisan expansion / kondisi kontraksi ing 4H-SiC PiN diode.Iijima, A. lan Kimoto, T. Perkiraan saka kahanan kritis kanggo expansion / komprèsi siji cacat packing Shockley ing 4H-SiC PiN-dioda.fisika aplikasi Wright.116, 092105 (2020).
Mannen, Y., Shimada, K., Asada, K. & Ohtani, N. Model aksi sumur kuantum kanggo pambentukan kesalahan tumpukan Shockley tunggal ing kristal 4H-SiC ing kahanan non-keseimbangn. Mannen, Y., Shimada, K., Asada, K. & Ohtani, N. Model aksi sumur kuantum kanggo pambentukan kesalahan tumpukan Shockley tunggal ing kristal 4H-SiC ing kahanan non-keseimbangn.Mannen Y., Shimada K., Asada K., lan Otani N. Model sumur kuantum kanggo pambentukan kesalahan tumpukan Shockley tunggal ing kristal 4H-SiC ing kahanan nonequilibrium.Mannen Y., Shimada K., Asada K. lan Otani N. Model interaksi sumur kuantum kanggo pambentukan kesalahan tumpukan Shockley tunggal ing kristal 4H-SiC ing kahanan nonequilibrium.J. Aplikasi.fisika.125, 085705 (2019).
Galeckas, A., Linnros, J. & Pirouz, P. Recombination-induced stacking faults: Bukti kanggo mekanisme umum ing hexagonal SiC. Galeckas, A., Linnros, J. & Pirouz, P. Recombination-induced stacking faults: Bukti kanggo mekanisme umum ing hexagonal SiC.Galeckas, A., Linnros, J. lan Pirouz, P. Recombination-Induced Packing Defects: Bukti kanggo Mekanisme Umum ing Hexagonal SiC. Galeckas, A., Linnros, J. & Pirouz, P. 复合诱导的堆垛层错：六方SiC 中一般机制的证据。 Galeckas, A., Linnros, J. & Pirouz, P. Bukti kanggo mekanisme umum lapisan tumpukan induksi komposit: 六方SiC.Galeckas, A., Linnros, J. lan Pirouz, P. Recombination-Induced Packing Defects: Bukti kanggo Mekanisme Umum ing Hexagonal SiC.fisika Pastor Wright.96, 025502 (2006).
Ishikawa, Y., Sudo, M., Yao, Y.-Z., Sugawara, Y. & Kato, M. Ekspansi kesalahan tumpukan Shockley tunggal ing lapisan epitaxial 4H-SiC (11 2 ¯0) sing disebabake elektron iradiasi sinar.Ishikawa, Y., M. Sudo, Y.-Z iradiasi sinar.Ishikawa, Y., Sudo M., Y.-Z Psikologi.Kotak, M., M.Судо, Y.-Z Chem., J. Chem., 123, 225101 (2018).
Kato, M., Katahira, S., Ichikawa, Y., Harada, S. & Kimoto, T. Observasi rekombinasi operator ing kesalahan tumpukan Shockley tunggal lan ing dislokasi parsial ing 4H-SiC. Kato, M., Katahira, S., Ichikawa, Y., Harada, S. & Kimoto, T. Observasi rekombinasi operator ing kesalahan tumpukan Shockley tunggal lan ing dislokasi parsial ing 4H-SiC.Kato M., Katahira S., Itikawa Y., Harada S. and Kimoto T. Observation of Carrier Recombination in Single Shockley Packing Defects and Partial Dislocations in 4H-SiC. Kato, M., Katahira, S., Ichikawa, Y., Harada, S. & Kimoto, T. 单Shockley 堆垛层错和4H-SiC 部分位错中载流子复合的观察。 Kato, M., Katahira, S., Ichikawa, Y., Harada, S. & Kimoto, T. 单Shockley stacking stacking和4H-SiC parsial 位错中载流子去生的可以。Kato M., Katahira S., Itikawa Y., Harada S. and Kimoto T. Observation of Carrier Recombination in Single Shockley Packing Defects and Partial Dislocations in 4H-SiC.J. Aplikasi.fisika 124, 095702 (2018).
Kimoto, T. & Watanabe, H. Rekayasa cacat ing teknologi SiC kanggo piranti daya voltase dhuwur. Kimoto, T. & Watanabe, H. Rekayasa cacat ing teknologi SiC kanggo piranti daya voltase dhuwur.Kimoto, T. lan Watanabe, H. Pangembangan cacat ing teknologi SiC kanggo piranti daya voltase dhuwur. Kimoto, T. & Watanabe, H. 用于高压功率器件的SiC 技术中的缺陷工程。 Kimoto, T. & Watanabe, H. Rekayasa cacat ing teknologi SiC kanggo piranti daya voltase dhuwur.Kimoto, T. lan Watanabe, H. Pangembangan cacat ing teknologi SiC kanggo piranti daya voltase dhuwur.fisika aplikasi Express 13, 120101 (2020).
Zhang, Z. & Sudarshan, TS Basal bidang epitaksi bebas dislokasi silikon karbida. Zhang, Z. & Sudarshan, TS Basal bidang epitaksi bebas dislokasi silikon karbida.Zhang Z. lan Sudarshan TS epitaxy bebas Dislokasi silikon karbida ing bidang basal. Zhang, Z. & Sudarshan, TS 碳化硅基面无位错外延。 Zhang, Z. & Sudarshan, TSZhang Z. lan Sudarshan TS Epitaxy bebas dislokasi saka bidang basal silikon karbida.pratelan.fisika.Wright.87, 151913 (2005).
Zhang, Z., Moulton, E. & Sudarshan, TS Mekanisme ngilangi dislokasi bidang basal ing film tipis SiC kanthi epitaksi ing substrat etched. Zhang, Z., Moulton, E. & Sudarshan, TS Mekanisme ngilangi dislokasi bidang basal ing film tipis SiC kanthi epitaksi ing substrat etched.Zhang Z., Moulton E. lan Sudarshan TS Mekanisme penghapusan dislokasi bidang dasar ing film tipis SiC kanthi epitaksi ing substrat etched. Zhang, Z., Moulton, E. & Sudarshan, TS 通过在蚀刻衬底上外延消除SiC 薄膜中基面位错的机制。 Zhang, Z., Moulton, E. & Sudarshan, TS Mekanisme eliminasi film tipis SiC kanthi etsa substrat.Zhang Z., Moulton E. lan Sudarshan TS Mekanisme eliminasi dislokasi bidang dasar ing film tipis SiC kanthi epitaksi ing substrat etched.fisika aplikasi Wright.89, 081910 (2006).
Shtalbush RE et al.Gangguan pertumbuhan nyebabake nyuda dislokasi bidang basal sajrone epitaksi 4H-SiC.pratelan.fisika.Wright.94, 041916 (2009).
Zhang, X. & Tsuchida, H. Konversi saka dislocations bidang basal kanggo threading pinggiran dislocations ing 4H-SiC epilayers dening suhu dhuwur annealing. Zhang, X. & Tsuchida, H. Konversi saka dislocations bidang basal kanggo threading pinggiran dislocations ing 4H-SiC epilayers dening suhu dhuwur annealing.Zhang, X. lan Tsuchida, H. Transformasi saka dislocations bidang basal menyang threading pinggiran dislocations ing 4H-SiC lapisan epitaxial dening suhu dhuwur annealing. Zhang, X. & Tsuchida, H. 通过高温退火将4H-SiC 外延层中的基面位错转化为螺纹刃位错。 Zhang, X. & Tsuchida, H. 通过高温退火将4H-SiCZhang, X. lan Tsuchida, H. Transformasi dislocations bidang basa menyang dislocations pinggiran filamen ing 4H-SiC lapisan epitaxial dening suhu dhuwur annealing.J. Aplikasi.fisika.111, 123512 (2012).
Song, H. & Sudarshan, TS Konversi dislokasi bidang basal cedhak antarmuka epilayer / substrat ing wutah epitaxial 4 ° sumbu mati 4H-SiC. Song, H. & Sudarshan, TS Konversi dislokasi bidang basal cedhak antarmuka epilayer / substrat ing wutah epitaxial 4 ° sumbu mati 4H-SiC.Song, H. lan Sudarshan, TS Transformasi dislokasi bidang basal cedhak antarmuka lapisan / substrat epitaxial sajrone wutah epitaxial sumbu 4H-SiC. Song, H. & Sudarshan, TS 在4° 离轴4H-SiC 外延生长中外延层/衬底界面附近的基底平面位错转换。 Song, H. & Sudarshan, TS 在4° 离轴4H-SiC Song, H. & Sudarshan, TSTransisi dislokasi planar saka substrat ing cedhak lapisan epitaxial / wates substrat sajrone pertumbuhan epitaxial 4H-SiC ing njaba sumbu 4 °.J. Kristal.Wutah 371, 94–101 (2013).
Konishi, K. et al.Ing dhuwur saiki, panyebaran fault tumpukan dislokasi dislokasi basal ing lapisan epitaxial 4H-SiC dadi dislokasi pinggiran filamen.J. Aplikasi.fisika.114, 014504 (2013).
Konishi, K. et al.Desain lapisan epitaxial kanggo bipolar non-degradable SiC MOSFET kanthi ndeteksi situs nukleasi fault tumpukan lengkap ing analisis topografi sinar-X operasional.AIP Lanjut 12, 035310 (2022).
Lin, S. et al.Pengaruh struktur dislokasi bidang basal ing panyebaran fault stacking tipe Shockley siji nalika bosok saiki maju saka dioda pin 4H-SiC.Jepang.J. Aplikasi.fisika.57, 04FR07 (2018).
Tahara, T., et al.Umur operator minoritas cendhak ing epilayers 4H-SiC sing sugih nitrogen digunakake kanggo nyuda kesalahan tumpukan ing dioda PiN.J. Aplikasi.fisika.120, 115101 (2016).
Tahara, T. et al.Ketergantungan konsentrasi operator injeksi saka panyebaran kesalahan tumpukan Shockley tunggal ing dioda 4H-SiC PiN.J. Aplikasi.Fisika 123, 025707 (2018).
Mae, S., Tawara, T., Tsuchida, H. & Kato, M. Microscopic FCA system for depth-resolved carrier life measurement in SiC. Mae, S., Tawara, T., Tsuchida, H. & Kato, M. Microscopic FCA system for depth-resolved carrier life measurement in SiC.Mei, S., Tawara, T., Tsuchida, H. lan Kato, M. Sistem Mikroskopik FCA kanggo Pangukuran Umur Carrier sing Ditanggulangi Kedalaman ing Silicon Carbide. Mae, S.、Tawara, T.、Tsuchida, H. & Kato, M. 用于SiC 中深度分辨载流子寿命测量的显微FCA 系统。 Mae, S., Tawara, T., Tsuchida, H. & Kato, M. Kanggo SiC medium-depth 分辨载流子lifetime measurement的月微FCA system。Mei S., Tawara T., Tsuchida H. lan Kato M. Sistem Micro-FCA kanggo pangukuran umur operator sing ditanggulangi jero ing silikon karbida.Forum ilmu almamater 924, 269–272 (2018).
Hirayama, T. et al.Distribusi ambane umur operator ing lapisan epitaxial 4H-SiC sing kandel diukur non-destructively nggunakake resolusi wektu panyerepan operator gratis lan nyabrang cahya.Ngalih menyang ilmu.meter.91, 123902 (2020).
Wektu kirim: Nov-06-2022