Merci fir besicht Nature.com.D'Browser Versioun déi Dir benotzt huet limitéiert CSS Ënnerstëtzung.Fir déi bescht Erfahrung empfeelen mir Iech en aktualiséierte Browser ze benotzen (oder de Kompatibilitéitsmodus am Internet Explorer auszeschalten).An der Tëschenzäit huet mir weider, ginn weider Ënnerstëtzung, maachen et de Site ouni Sitder an Javacript.
4H-SiC gouf kommerzialiséiert als Material fir Kraaft Hallefleitgeräter.Wéi och ëmmer, déi laangfristeg Zouverlässegkeet vun 4H-SiC Geräter ass en Hindernis fir hir breet Uwendung, an de wichtegste Zouverlässegkeetsproblem vun 4H-SiC Geräter ass bipolare Degradatioun.Dës Degradatioun gëtt verursaacht duerch eng eenzeg Shockley Stacking Feeler (1SSF) Ausbreedung vu Basalplane Dislokatiounen an 4H-SiC Kristalle.Hei proposéiere mir eng Method fir 1SSF Expansioun z'ënnerdrécken andeems Protonen op 4H-SiC epitaxial Wafere implantéiert.PiN Dioden fabrizéiert op Wafere mat Protonimplantatioun hunn déiselwecht Stroumspannungseigenschaften gewisen wéi Dioden ouni Protonimplantatioun.Am Géigesaz, ass d'1SSF Expansioun effektiv an der proton-implantéierter PiN Diode ënnerdréckt.Also ass d'Implantatioun vu Protonen an 4H-SiC epitaxial Wafere eng effektiv Method fir d'bipolare Degradatioun vun 4H-SiC Kraaft-Hallefueder-Geräter z'ënnerhalen, wärend d'Apparatleistung behalen.Dëst Resultat bäidréit op d'Entwécklung vun héich zouverléissege 4h-siic Geräter.
Silicon Carbide (SIC) gëtt wäit unerkannt als Semikondantmaterial fir Héichkraaft, High-Frequenz Semikregante Geräter, déi an Harsh Ëmfeld ze bedreiwen.Et ginn vill poppypypen, ënnert deem 4h-hellent Organesch Ecke vum Eltektoresch Eegoresch Eegeschaften a staark ëmgewandelt méi ellen Elektrinkens ElecATron ".4h-siic Wafers mat engem Duerchmiesser vu 6 Zoll kommerziell a benotzt fir Masseproduktioun vu Kraaftresident vum Poste smiconistor Apparater3.Traktiounssystemer fir elektresch Gefierer an Zich goufen fabrizéiert mat 4h-sic4.5 Malmesch Overiconistor Apparater.Dëse booplar Preddatioun gouf iwwer 20 Joer entdeckt an huet wonentlech e Problem am SICPIC-Formatioun.
Bipolare Degradatioun gëtt verursaacht duerch en eenzege Shockley Stack Defekt (1SSF) an 4H-SiC Kristalle mat Basalplane Dislokatiounen (BPDs) propagéieren duerch Rekombinatioun verstäerkte Dislokatiounsgliden (REDG) 12,13,14,15,16,17,18,19.Dofir, wann BPD Expansioun u 1ssf verdrängt gëtt, 4h-sic Power Geräter kann ouni Braolar Degradatioun fabrizéiert ginn.Verschidde Methode goufen gemellt BPD Verbreedung ze verdrängen, sou wéi BPD fir Delader Dislocation (Ted) Transfokation Transformation vun 20.22.24.24.24.24.24.24.24.24.24.24.24.24.24.24.24.24.23.An de leschten SiC epitaxialen Waferen ass d'BPD haaptsächlech am Substrat präsent an net an der epitaxialer Schicht wéinst der Konversioun vu BPD op TED während der initialer Etapp vum epitaxiale Wuesstum.Dofir sinn d'Riserwäit vu der Bioplaratioun Velaldatioun vu BPD an de GPRD 15.27.D'Füügt vun engem "Zesummebrochverträger gëtt d'Wahrscheinlechkeet d'Wonsch vun den Effem entworf, fir d'BPL Expelioun an der Format ze spsultéieren. Epitaxial Schicht an SIC Substrat.D'Zuel vun der Zuel vun Elektron-Lach Puer op der Féierung vu Redg op de BPDD an der Substrat ze bpds, sou datt d'Kompositiounsstäerktsverfeierléisung dauert.Et ass botzen datt d'Zöregt e lay bei der Raumfeieren sech iwwerwaacht d'Liewensquartie ze reduzéieren.Dofir ass de nach ëmmer nach eng staark z'entwéckelen
Well Extensioun vum BPD op 1ssf brauche Bewegung vun deelweisen Dislokatiounen (PDS), PINSNING DEN PD ass eng verspësseg Approche fir Braolar-Degradatioun vum Bagolar.Och wann PD Pining duerch Metall Gëftstoffere goufe gemellt, fpds a 4h-sic substrater sinn op enger Distanz vu méi wéi 5 μM vun der Episodie.Just- ass well daalt Kantasrad fir d'Metaltung vun Imchstein, ass schwéier fir am Metreifraten, déi an de Foururatiounen an der Filialden benotzt ass.Wéinst der relativ grousser grouss atomescher Mass vu Metaller, Ionimplantatioun vun Metaller ass och schwéier.Am Géigesaz zum Fall vu Waasserstoff, déiwensten Element, ISen) kann inneroën a 4h-plamer vun méi wéi 4 Auer un engem Shätter ze benotzen, deen am 4h-classe Wäert gëtt.Dofir, wann d'Proton Implantatioun beaflosst de PD Pining, da kann et benotzt ginn fir BPD-Parzdatioun am Substrat ze verdrängen.Wéi och ëmmer, d'Proton Implantatioun kann 4h-sic a resultéieren a reduzéierter Apparat Performance37,38.39,40.
Fir d'Degradatioun vun der Apparat wéinst der Protonimplantatioun ze iwwerwannen, gëtt Héichtemperatur-Annealing benotzt fir Schued ze reparéieren, ähnlech wéi d'Annealungsmethod déi allgemeng benotzt gëtt no der Akzeptorionimplantatioun an der Apparatveraarbechtung1, 40, 41, 42. Obwuel sekundär Ionmassspektrometrie (SIMS)43 huet gemellt Wasserstoffdiffusioun wéinst Héichtemperatur-annealing, ass et méiglech datt nëmmen d'Dicht vu Waasserstoffatome bei der FD net genuch ass fir de Pinning vum PR mat SIMS z'entdecken.Dofir, an dëser Etude, implantéiert mir Protonen an 4H-SiC epitaxial wafers virum Apparat Fabrikatioun Prozess, dorënner héich Temperatur annealing.Mir hunn PIN Diode als experimentell Apparat Strukturen benotzt a se op Proton-splatcantéiert 4h-schical Wafers benotzt.Mir observéiert hunn d'Volt-Ampere Charakteristike beobachtet fir d'Degradatioun vum Geräter Leeschtung ze studéieren wéinst Proton Injektioun.Duerno beméien mir d'Expansioun vum Einzez Umlagau (El) Biller, nodeems Dir en elektresche Rotschléi gëllt.Déi viq Servicer hu mer trëtt den Effet vun der vipF-Aushuelung vun den Obesseschen Inspenzetzen.
Op Fig.Figur 1 weist den aktuellen Voltage Charakteristiken (CVCs) vu Pin-Diode bei Raumtemperatur an der Regioun mat an ouni Proton Implantantatioun virum Priefant.Zoufalls Diode mat Preton Zefriddenheet fir Dréiung vun Drien.Fir ënner all Ënnerscheed tëscht der Injektiounsbedingungen ze soen, hu mir d'Spannungsfrequenz an enger Forward déi aktuell Dicht mat 2,5 A / cm2 ugewisen) als statistesch Verdeelung wéi eng statistesch Verdeelung duerch eng statesch Verdeelung gëtt och op enger normaler Verdeelung uginn, datt den Ënnerscheed tëscht der Injektiounsbedingungen, hu mir d'Spannungserfrequenz an enger Forward déi aktuell Dicht mat 2,5 A / cm2 ugewisen vun enger gestippter Linn.Linn.Wéi kann aus de Peaks vun de Kéieren gesi ginn, ass d'On-Resistenz liicht op der Proton Dosen vun 1014 an 1016 cm-2 weist, während ouni Pinon Dosis .Mir hunn och Protonimplantatioun no der Struktur vun Pin Diaden gemaach déi net eenheetlech Elektroldrennungszwürzungen ausgedréckt wéinst Schueder verursaacht duerch Protonimplantation wéi am Figur S17,37,37,38,37,38,37,37.Dofir annuléieren op 1600 ° C nodeems Implantatioun vun den Ugrenzer fir ze fabrizéiere fir den alen Acquptor z'aktivéieren, wat de Schued duerch d'MVCLCTRATIVTIOUN ass, wat d'Verlängerung ass .Réckel-Instruktioune un der Institutoperfenz ass och an der Figebot presentéiert. Et gëtt kee groussen Ënnerscheed tëscht Därenenen mat an.
Volt-Ampre Charakteristike vu Pin Diosen mat an ouni injizéierter Protonen bei Raumtemperatur.D'Legend weist d'Dosis vu Protons.
Spannungsfrequenz bei Gläichstroum 2,5 A/cm2 fir PiN-Dioden mat injizéierten an net-injizéierte Protonen.Déi gestippte Linn entsprécht der Normalverdeelung.
Op Fig.3 weist en Elbild vum e Pin Diode mat enger aktueller Dicht vu 25 A / cm2 nom Spannung.Ier d'ganzst aktueller Säit vun der Drecksregung ophuelen, déi däischteren Ëmännerung vun der Diodunge waren net observéiert, wéi a Figra 3. C2 applizéiert gouf, wéi och op Figra 3. c2 benotzt goufen.Wéi och ëmmer a Fig.3A, an engem PINGEI Oder ouni Proteginstruktioun, méi dënn dausend geschriwwe ginn d'Regioune geruffe mat engem elekthenrocknuecht.Sou datt d'Rieder déi donkel d'Regiounen op Elfeegungen gesammelt fir 1SSP aus der BPD an der Bepatcoursen observéiert gëtt.Amplazall goufen a puer freaspsechende Feeler mat Implom gewollt, wéi op der Fig. Ugewellt ginn, wéi gewisen am Beräich} - D.Mat dem Röntgenhrayopphografie benotzen, hu mir d'Präsenz vun de BPRen, déi réckelen op de Substschte bei der Pipeliesch Injektioun (Fig. 4: ënner dem Elektroden ass net ze gesinn). Dofir, dat donkel Gebitt am Elf Bild entsprécht engem verlängerten 1ssf BPD am Substrat. E El Biller vun enger verlängerter Pin-S3-S6-S6. Däischter Beräicher (Zäit-variéierend El Biller vu Pin Diode ouni Proton Injektioun an den 1014 Cm-2 implementéiert ginn.
El Biller vu Pin Diode am 25 a / cm2 no 2 Stonnen Elektresche Stress (a) ouni Protonimplantatioun a mat implantéiert Dosen Dosen vun (B) CM-CM-CM-2, 101 CM-21 Protonen.
Mir berechent d'Dicht vun der erweiderten 1ssf duerch donkel Beräicher mat helle Kanten an dräi Pin Diode fir all Zoustand ze berechnen, wéi am Figur 5. D'Dose vun 1012 cm. d'Dicht vum erweiderten 1ssf ass däitlech méi déif wéi an engem net-implantéierte Pin Diode.
Erhéicht Dicht vun SF PiN Dioden mat an ouni Protonimplantatioun no der Luede mat engem gepulste Stroum (all Staat enthält dräi gelueden Dioden).
Kuerz d'Carrierer d'Liewensdauer beaflosst d'Ausgoverdeelung, a Projekturnurenne reduktioun déi d'Carrierime32,35 reduzéiert.Mir hunn Carrière Liewensdauer an enger Epitaxial Layer 60 μM déck mat injizéierter Protonen vun 1014 cm-2.Aus den initialen Träger Liewensdauer, och wann den Implantrêt de Wäert op ~ 10% reduzéiert, spéider Antienting ass et op ~ 50%, wéi an Fig.Dofir, Fongetengie wéinst der Promothéiéierung fir wéinst héijer Temperaturvenifing z'erreechen.Och wann eng 50% Reduktioun vum Carrier Liewen dréit d'Verbreedung vum stackeren Feeler, d'I-V Charakteristike, déi normalerweis ofhängeg vum Träger ënnerlänneschen ass, weisen an net méi uerdentlechen Ënnerbriechungen tëscht Indianer an net méi implizéierter Douchungen.Dofir gleewen mir datt Pd Adoking spillt eng Roll an der Tëschung Expansioun.
Och wann se Sätz net detizéiert detizéiert nom Anevener op der Anerer De PD huet iwwerdaache Waasserstoffmomer mat Detimitéit vun der Detektiounslimit vun den Detektioun induzéiert.Et sollt bemierkt ginn datt mir keng Erhéijung vun der In-Staat Resistenz net bestätegen wéinst der Erléisung vun 1ssf no enger Basisinformatioun.Dëst kann wéinst onmemekten Orencisst accemporéiert ginn, mat eisem Prozess mat engem anere Prozess ginn, wat an nächster Zukunft eliminéiert gëtt.
Mir hunn et an der Edmol, musse mir eng Spannschléi entwéckelt fir d'BPL ze besträifen de BPD op 1SD-sic PIN-Sicker Dotomatioun virum Apparat mat engem Patron Impropriatioun.D 'Graséierung vum I-V Charakteristik während Proteginatioun ass besonnesch himgument vum 10.12 cm-2, awer d'Effizoe vun 1012 cmespay ass.Och an dëser Etude hu mir 10 géint 3 um figi Décke mat Progropplantatioun op eng Déift vun 10 μlantiséiert, et ass ëmmer méiglech d'Implantatioun vun 4h-sicisiounen ze fabattiséieren.Zousätzlech Käschte fir Apparat Stratker wärend der Premier Implantentatioun soll ugesinn ginn, awer si wäerten ähnlech wéi Aluminium ion Inoniséierungsprozess.Sou, Proton Implantatioun virum Apparatveraarbechtung ass eng potenziell Method fir ze fabrizéieren 4h-sic bipolar Poschen Apparater ouni Degeneratioun.
E 4-Zoll N-Typ 4h-sic wahnall mat enger Epitaxial Schicht Dicke vun 10 μm an enger Spender Konzentratioun vun 1 × 101 cm-3 benotzt.Virun der Veraarbechtung vum Apparat, H + Iononen goufen an der Plack implantéiert mat enger Beschleunigermuecht vun 0,95 MEV bei Raumtemperatur op eng Déift.Während Presitesch asft e Mask vun engem Stroum benotzt, gemaach an an d'Poton mécht Iech mat engem Proton Dan-21 cm-2,00, oder 101100.Dann, al Ionen mat Proton Dosen vun 1020 an 1017 cm-3 goufen iwwer de ganze Wafer op eng Déift vun 0,2 μM.5 μM.5 μMm, gefollegt vun 1600 ° C fir eng Kuelestoff ze bilden formen AP Schicht.-Typ.Duerno ginn eng Récksäit vun der Ni Kontakt op der Substrat Säit deposéiert, wärend engem 2.0 mm × 2.0 mm Kafe vun der Epitaxialde geprägt gouf.Vuetsdag huet Asekealdegkeet vun 75 drotifizéiert duerchgefouert.Nodeems Dir de Wafer an d'Chips ausgedeelt huet, hu mir Stress Charakteriséierung an Uwendung gemaach.
Den i-v Charakteristike vun de fabrizéierte PIN Diosen goufen an engem HP4155r Semicander Parameter-Analyser.Als elektresche Stress, en 10 Millisaturekäschte aktuelle vun 212.5 A / cm2 gouf fir 2 Stonnen an enger Frequenz vun 10 Pullen / sec.Wa mir eng ënnescht aktuell Dicht oder der Entféierung gewielt kënne ginn, hu mir net 1ssf Expansioun observéieren, och an engem Pinon Dioten.All exformell Spendage, ronnen Niveau vum Ärem Pinsel vu 70 ° N° Q ouni ze setzen, wéi Aarden S8.Electolumineszuele Biller goufen virun an no Elektesche Stress an enger aktueller Dicht vun 25 a / cm2 kritt.Synchrotron Reflexioun grazing Heefegkeet RAY-RAYPRAPHY UEWEN E MONOCHROROROMATHAL RAY RAY STAM (λ = 0,15 NM) .).
D'Spannungsfrequenz op enger Forward déi aktuell Dicht vun 2,5 A / cm2 extrahéiert ass mat engem Intervall vun 0,5 v an Fig.2 No der CVC vun all Staat vum Pin Diode.Vum mëttleren Wäert vun der Stresspave an der Standarddeviatioun σ vum Stress, mir plangt eng normal Verdeelung Curve a Form vun enger desttealer Zeil an der Folgend Zeil.
Wirner, Här a blarer, op Material, Mikoponsons, Systemer an Apparater fir Héicht mat héijer Torrière. Wirner, Här a blarer, op Material, Mikoponsons, Systemer an Apparater fir Héicht mat héijer Torrière.Wirner, Här Asbner, wollte Mikhéik, Mat Materialien, Systemer an Apparater an Offallvermeidungen an enger Temperaturen an engem héijen Ëmfeld. WindER, Hannerjer, Mrh an de Wand igno 对对用 用用 用 于 高温 高温 和 和 恶劣 恶劣 应用 应用 的 的 的 的 的 的 的 的 的 的. WERERER, M Här & RHREREN, RIKER MATERIALIONS, Systemer, Systemer an Apparater fir Héichperatur an niddregem Uwendungen.Wirner, Här, Här A Wannen, wäert Microsons vun Materialien, Systems an um Remennengéierungen a Hasamer vir.IEEEE Trans.Industriell Elektronik.48, 249-257 (2001).
Kimoto, T. & Cooper, Jamstoders vu Silikon Karkbueden Technologie Fundament vun der Silicon Carbide Technologie: Charakteriséierung an Uwendung Kimoto, T. & Cooper, Jamstoders vu Silikon Karkbueden Technologie Fundament vun der Silicon Carbide Technologie: Charakteriséierung an UwendungKimoto, T. a Cooper, Ja Basics vu Silikon Carbide Technologie Basics Technics Technologie: Charakteristiken an Uwendungen De Kimoto, T. & Coper, den Jio 碳化硅 基础 碳化硅 技术 基础基础: 增长, 表征, 设备 和 卷 卷 卷 卷 卷 卷 卷 卷 卷 卷 卷 卷 卷 卷 卷 卷 卷 卷 卷 卷 卷 卷 卷 卷. Kimoto, T. & Cooper, Ja Kuel 化 Silicon Technologie Basbel Cabbon 化 Silicon Technologie: Beschreiwung: BeschreiwungKimooto, T. a Cooper, J. Basics vu Silikon Carbide Technologie Basics Technics Technologie: Ausränkungen, Equipementer, Ausrüstung, déi Voliste Volisti sinn.252 (Wiley Singapore pte ltd, 2014).
Veliadis, V. grouss Skala Kommerzuch vum SIC: Status Quo an Hindernisser ze iwwerwannen.alma Mater.D'Wëssen.Forts 1062, 125-130 (2022).
Broveon, J., Somet, V., Tummala, RR & Joshi, YK Review vun der termescher Verpackung Technologien fir Automobilikiker fir Traktiounszwecker. Broveon, J., Somet, V., Tummala, RR & Joshi, YK Review vun der termescher Verpackung Technologien fir Automobilikiker fir Traktiounszwecker.Broppetton, J., Somet, V., Tummala, RR an Joshi, YK Iwwersiicht vun der termescher Verpackungskontrollen fir Automobiliséierung fir Traktiounszwecker. Brouton, J., G., Obomala, RR & Josi, YK 用 回顾 回顾 回顾 回顾 回顾 回顾 回顾 回顾 回顾 回顾 回顾 回顾 回顾 回顾 回顾 回顾 回顾 回顾 回顾 回顾 回顾 回顾 回顾. Broughon, J., Somet, V., Tummala, RR & JOSSHI, YKBroveon, J., Somet, V., Tummala, RR an Joshi, YK Iwwersiicht vun der Thermalpakologie fir ausserhalb Techniker fir Traktiounszwecker fir Traktiounszwecker.J. Elektronen.Package.trance.ASME 140, 1-11 (2018).
Sato, K., dem Kaot, H. & Fukushima, T. Entwécklung vum SIC ugewannten Traktiounssystem fir déi nächst Generatiounsspräis. Sato, K., dem Kaot, H. & Fukushima, T. Entwécklung vum SIC ugewannten Traktiounssystem fir déi nächst Generatiounsspräis.Sato K., KATTO H. A FUKUSIMA T. Entwécklung vun engem applizéierte Sic-Traktiounssystem fir déi nächst Generatioun Héichgeschwindegen Shinkansen Zich.Sato K., KATTO H. A FUKUSHIMA TRY TRACTIONANTION fir SIC Uwendungen fir déi nächst Generatioun Héichgeschwindegen Shinkansen Zich.Appendix Iej J. Ind 9, 453-459 (2020).
De Senzaki, J. Hayashi, S., YoneZawa, Y. & Okumura, H. Erausfuerderunge fir héich zouverléisseg Sic Power Apparater ze realiséieren: Vum aktuellen Zoustand. De Senzaki, J. Hayashi, S., YoneZawa, Y. & Okumura, H. Erausfuerderunge fir héich zouverléisseg Sic Power Apparater ze realiséieren: Vum aktuellen Zoustand.De Senzaki, J. Hayashi, S., YoneZawa, Y. an Okumura, H. Probleemer an der Ëmsetzung vun héich zouverléissege Sic Power Apparater: Start vun der aktueller Staatszoustand. Sennaki J, Hayashi s, Yonnaa y. an Okumura H. Erausfuerderungen an der Entwécklung vun der High-Zouverlässegkeetsverbraucher baséiert op Silizonkarbide: eng Iwwerpréifung vu Silizid Wafler.Am Joer 2018 IEEE International Symposium op Zouverlässegkeet Physik (Irpen).(Senzaki, J. Et ass al.) 3b.3.3b.3-6 (IEEEE, 2018).
Kim, D. & Sung, W. Verbesserung kuerz-Circuit Ruggedness fir 1,2kv 4h-sic Moosfet mat engem déiwe Pannung implementéiert ginn duerch Channling Implantatioun. Kim, D. & Sung, W. Verbesserung kuerz-Circuit Ruggedness fir 1,2kv 4h-sic Moosfet mat engem déiwe Pannung implementéiert ginn duerch Channling Implantatioun.Kiischt, hunn an gesont, déi kuerz-curcuit hiert-000-eigt e 1.2--HIC DERDRATIOUN mat der Kanalformatioun mat enger déiwer eis mat engem Affer ëmfaasst. Kim, D. & Sung, W. 使用 通过 注入 实现 实现 深 深 深 阱 阱 提高 1.2kv 4h-sic mosfet 的 的 性 性 性 性 的 的 的 的 的 的 性 性 性 性 性 性 性 性 性 性 性 性 性 性 性 性 性 性 性 性 的 性 性 性 性 性 性 性 性 的 性 性 性 性 性 性 的 性 Kim, D. & Sung, W. P 阱 提高 了 1.2kv 4h-sic MoosfetKim, D. an ohser, Verbindent kuerzwäerteg Toleranz vun 1,2 kv-s-siclete mat déifem Pentlantatioun benotztIEEE Elektronesch Apparater Lidd.42, 1822–1825 (2021).
Sywowroni M. et al.Recombinatioun-verbessert Bewegung vu Mängel am Forward-pi-pi-sic pn Diosen.J. Applikatioun.Physik.92, Ech 4699-4704 (2002).
Ha, S., Miesekekowski, P., syowronski, M. & Rowland, lb Dislocation Konversioun a 4h Silizbide Epitaxy. Ha, S., Miesekekowski, P., syowronski, M. & Rowland, lb Dislocation Konversioun a 4h Silizbide Epitaxy.Ha s., meszkowki p., seckowronki M. an rowemand lb Dislocation Transformatioun während 4h Silizbide Epitaxy. Am Song. De S., materzkowski, P., Skonowronskius, Jo NOWNIME, LB 4H 4H 转换 碳化硅外延中 碳化硅外延中 碳化硅外延中. Ha, s., miesezkowski, p., syowronski, M. & Rowland, lb 4h Ha, S., meszkowski, P., syowronsi, M. & Rowland, lbDislocation Transititioun 4h zu Silikon Carbide Epitaxy.J. Kristall.Wëlwe 424 274, 257-266 (2002).
Syowrononsi, M. & Ha, S. Degradatioun vu Hexagonal Silicon-Carbide-baséiert BPOLARIKER. Syowrononsi, M. & Ha, S. Degradatioun vu Hexagonal Silicon-Carbide-baséiert BPOLARIKER.Skowronanski M. an ha. Dolagdatioun vun Hexagonal bipolar Geräter baséiert op Silizechtskarbide. Skowbonsi, M. & H, S. 六 方 碳化硅基 双极 器件 降解 降解. Skowronski M. & Ha S.Skowronanski M. an ha. Dolagdatioun vun Hexagonal bipolar Geräter baséiert op Silizechtskarbide.J. Applikatioun.Physik 99, 011101 (2006).
Agarwal, A., Fatima, H., Hane, S. & ryu, s.-h. Agarwal, A., Fatima, H., Hane, S. & ryu, s.-h.Agarwala A., Fatima H., Helini. a Ryu S.-h. Agarwal, A., Fatima, H., Hane, S. & ryu, s.-h. Agarwal, A., Fatima, H., Hane, S. & ryu, s.-h.Agarwala A., Fatima H., Helini. a Ryu S.-h.En neie Degradatioun Mechanismus fir Héichspannung SIK Muechtmuecht Mosfekt.IEEE Elektronesch Apparater Lidd.28, 587–589 (2007).
Calwwell, JD, Stahlbush, Ancona, ancm², oj & Hobart, kafe fir Erböhung vu 4h Calwwell, JD, Stahlbush, Ancona, ancm², oj & Hobart, kafe fir Erböhung vu 4hD'Calmwwuel, Jd, Stalkh, Vollo, SG, GGEMBI an 4h-Sold, kC, a Hobbitioun, Klabilioun vu Reaktioun op 4h-SKART. Caldwell, JD, Stahlbush, Recona, mg, ggmbocki, oj & Hobart, kdD'Progojuur, de JD, Stalskur, MGL, MG, GGBBINI, Habe vun der Rabbéierung, déi fannt sech op Restauranten, op der Réckkraaftbroch an 4h -t?J. Applikatioun.Physik.108, 044503 (2010).
IIjima, A. & Kimoto, T. Elektronesch Energiemodell fir Singcky Shockley Stacking Fault-Bildung an 4h-sic Kristaller. IIjima, A. & Kimoto, T. Elektronesch Energiemodell fir Singcky Shockley Stacking Fault-Bildung an 4h-sic Kristaller.Echjima, A. a Kimoto, T. Electron-Energymodell vun den eenzegen Mängel vum Shockley Plocking am 4h-sic Kristaller. IIjima, A. & Kimoto, T. 4h-sic 晶体 中 单 Shockley 堆垛层错 堆垛层错 电子 电子 模型 模型 模型 模型 模型 模型 模型 模型. IIjima, A. & Kimoto, T. Elektronesch Energiemodell vun der eenzeger Shockley stacking Fault-Bildung an 4h-sic Kristall.Echjima, A. a Kimoto, den Electron-Energymodell vun der Formatiouns-Formation vun engem eenzegen Defekten-Shockley Plocking an 4h-sic Kristaller.J. Applikatioun.Physik 126, 105703 (2019).
IIjima, A. & Kimoto, T. Schätzung vun der kritescher Konditioun fir Expansioun / Kontraktioun vun engem eenzege Shockley ställe Feeler am 4h-siceshäst. IIjima, A. & Kimoto, T. Schätzung vun der kritescher Konditioun fir Expansioun / Kontraktioun vun engem eenzege Shockley ställe Feeler am 4h-siceshäst.IIjima, A. a Kimoto, T. Schätzung vum kritesche Staat fir Expansioun / Kompressioun vun eenzelen Shockele Verdréckten Mängel am 4h-sicaden. IIjima, A. & Kimoto, T. 估计 4h-sic Pin 二极管 二极管 中 个 Shockley 堆垛层 / 错膨胀 / 错膨胀 条件 条件 条件 条件 条件 条件 条件 条件 条件 条件 条件 条件 条件 IIjima, A. & Kimoto, T. Schätzung vun der eenzeger Shockley stacking Schichten Expansioun / Kontraktiounsbedéngungen a 4h-sices Diaden.IIjima, A. an Kimoto, T. Schätzung vun de kritesche Konditiounen fir Erweiderung / Kompressioun vun engem eenzege Defekten Shocksy Shockley an 4h-sic-Diktodien.Applikatioun Physici Wright.116, 092105 (2020).
Mënschen, Y., Shiimada, K., asada, K. & Othani, N. Quantum Scoric fir d'Bildung vun engem eenzege Kristaller. Mënschen, Y., Shiimada, K., asada, K. & Othani, N. Quantum Scoric fir d'Bildung vun engem eenzege Kristaller.Mannen Y., Shischada K., asada K., an Otani N. E Quantelmodell fir d'Bildung vun engem eenzegen Shockley ställe verstoppt.Mannen Y., Shischada K., asada K. an Otani n. Quantum bemierkenswäert fir d'Bildung vun der eenzeger Shockley Strecken an 4h-sikilbriums.J. Uwendung.Physik.125, 085705 (2019).
Galeeckas, A., Linnnos, J. & Pirouz, P. Recombrice-induzéiert stacking Feeler: Beweiser fir en allgemenge Mechanismus an Hexagonismus. Galeeckas, A., Linnnos, J. & Pirouz, P. Recombrice-induzéiert stacking Feeler: Beweiser fir en allgemenge Mechanismus an Hexagonismus.Galeockas, A., Linnnos, J. an Pirouz, P. Erhuelung-inducced Packing Verdacht: Beweiser fir hexagonalesch. Galeeckas, A., Linnetos, J. & Pirouz, P. 复合 诱导 堆垛层错 堆垛层错 堆垛层错 堆垛层错 方 中 般 般 般 般 中 证据 证据 证据 证据 证据 证据 证据 Galeespaarten, A., Linenos, J. & Pirouz, P. Beweiser fir de Generalanismus fir Verkitger Induktiounsbirung: 六 Sichensak.Galeockas, A., Linnnos, J. an Pirouz, P. Erhuelung-inducced Packing Verdacht: Beweiser fir hexagonalesch.Physik Pastor Wright.96, 025502 (2006).
Ishikawa, Y., sudo, m., y.-z., sugawawa, y. & Kato, M. APPITION VUN ENGEM SHOCKLE SITLE SEKTING FLAKE BIS EXTRAIDS VUN ENGEM VUM SOUIGHTA Beam Bestrahlung.Ishikawa, Y., M. sudo, y.-Z beam Bestraffer.Ishikawa, Y., sudo M., Y.-Z Psychologie.Box, Ю., М.Суудо, y.-Z Chem., J. Chem., 123, 225101 (2018).
Dem Kato, M., Filahraa, Samschter, ët, Haamada, Saaadle-Sime-Slockcours an der Trungssuppler an enger deelweis Diszokollung an engem deelweis Diszokollung a Partn. Dem Kato, M., Filahraa, Samschter, ët, Haamada, Saaadle-Sime-Slockcours an der Trungssuppler an enger deelweis Diszokollung an engem deelweis Diszokollung a Partn.KaTo M., Kathaa S., Iikawa Y., Harada S. an Kimoto T. Observatioun vun der Carrière Rekominatioun an eenzeg Shockley Packen an der Partie Disco. Géint, Muecht ass dathnaeg, 6, Istikawa, Yoika, Simo, deen 和 可以 可以 可以 可以 和 和 和 和 和 可以 可以 可以 可以 可以 可以 可以 可以 和 可以 和 和.KaTo M., Kathaa S., Iikawa Y., Harada S. an Kimoto T. Observatioun vun der Carrière Rekominatioun an eenzeg Shockley Packen an der Partie Disco.J. Uwendung.Physik 124, 095702 (2018).
Kimoto, T. & Watanabe, H. Defekt Engineering an SiC Technologie fir High-Volt Power Apparater. Kimoto, T. & Watanabe, H. Defekt Engineering an SiC Technologie fir High-Volt Power Apparater.Kimoto, T. an Watanabe, H. Entwécklung vun Mängel an SiC Technologie fir héich-Volt Muecht Apparater. Kimoto, T. & Watanabe, H. 用于高压功率器件的SiC 技术中的缺陷工程。 Kimoto, T. & Watanabe, H. Defekt Engineering an SiC Technologie fir High-Volt Power Apparater.Kimoto, T. an Watanabe, H. Entwécklung vun Mängel an SiC Technologie fir héich-Volt Muecht Apparater.Applikatioun Physik Express 13, 120101 (2020).
Zhang, Z. & Sudarshan, TS Basal Fliger dislokation-gratis Epitaxie vun Silicon Carbide. Zhang, Z. & Sudarshan, TS Basal Fliger dislokation-gratis Epitaxie vun Silicon Carbide.Zhang z. a Sudarshan Ts Dislocation-gratis Epitaxy vum Silicon Carbide am Basal Fliger. Zhang, Z. & Sudarshan, Ts 碳化硅 基面 无位 错外延. Zhang, Z. & Sudarshan, TsZhang z. a Sudarsharhan Ts Dislocation-gratis Epitaxy vu Silikon Carbide Basges Fliger.Ausso.Physik.Wright.87, 151913 (2005).
Zhang, Z., Molton, E. & Sudarhan, ts Mechanismus fir Basal Fligeren an der Send dënnem Filmer vun engem etcaxy op engem etcaxy op engem etcaxy op engem etcaxy op engem etcaxy. Zhang, Z., Molton, E. & Sudarhan, ts Mechanismus fir Basal Fligeren an der Send dënnem Filmer vun engem etcaxy op engem etcaxy op engem etcaxy op engem etcaxy op engem etcaxy.Zhang Z., Muppon E. a Sudarhan Ts Mechanismus vun der Eliminatioun vun der Basissplatiks Dislokatiounen an der sik dënnem Filmer op eitchized. Zhang, Z., Molton, E. & Sudayhan, ts de Mechanismus vun der Eliminatioun vu sic dënnem Film andeems Dir de Substrement vun der Etude.Zhang Z., Muppon E. a Sudarshan Ts Mechanismus vun der Eliminatioun vun der Basisplatcloratiounen an der sic dënnem Filmer vun der Etikaxy op der Etapper.Applikatioun Physici Wright.89, 081910 (2006).
Shtalbush rel et al.Wuesse Ënnerbriechung féiert zu enger Ofsenkung an de Basal Fligerdispolatioune wärend 4h-sic Epitaxy.Ausso.Physik.Wright.94, 041916 (2009).
Zhang, X. & Tsuchida, H. Konversioun vu Basalplane-Dislokatiounen zu Threadingrand-Dislokatiounen an 4H-SiC-Epilayer duerch Héichtemperatur-Annealing. Zhang, X. & Tsuchida, H. Konversioun vu Basalplane-Dislokatiounen zu Threadingrand-Dislokatiounen an 4H-SiC-Epilayer duerch Héichtemperatur-Annealing.Zhang, X. an Tsuchida, H. Transformatioun vu Basal Fliger Dislokatiounen an der thread Dislokatiounen an 4h-sic Epitaxial Schichten duerch héich Temperaturen. Zhang, x. & Tsuchida, h. 通过 高温 退火 将 4h-sicJ. Uwendung.Physik.111, 12352 (2012).
Song, H. & Sudarsharhan, ts Basal Fliger Konversioun no beim Epilayer / substrat Interface an der Philaxial Wuesstum 4h-°. Song, H. & Sudarsharhan, ts Basal Fliger Konversioun no beim Epilayer / substrat Interface an der Philaxial Wuesstum 4h-°.Song, H. a Sudarshan, TS Transformatioun vu Basalplane-Dislokatiounen no bei der epitaxialer Schicht / Substrat-Interface wärend der Off-Achs epitaxialem Wuesstum vum 4H-SiC. Song, H. & Sudarshan, TS 在4° 离轴4H-SiC Song, H. & Sudarshan, TsPlanar Dislokatiounstransitioun vum Substrat no bei der epitaxialer Schicht / Substratgrenz wärend dem epitaxiale Wuesstum vun 4H-SiC ausserhalb vun der 4 ° Achs.J. Kristall.Wuesstem 371, 94-101 (2013).
Konishi, K. et al.Bei héije Stroum verwandelt sech d'Verbreedung vun der Basalplan-Dislokatiounsstackfaarf an 4H-SiC-epitaxiale Schichten an Filamentrand-Dislokatiounen.J. Uwendung.Physik.114, 014504 (2013).
Konishi, K. et al.Entworf epitaxial Schichten fir bipolare net-degradéierbar SiC MOSFETs andeems se erweidert Stacking Feeler Nukleatiounsplazen an operationeller Röntgen topographescher Analyse erkennen.AIP Advanced 12, 035310 (2022).
Lin, S. et al.Japan.J. Uwendung.Physik.57, 04FR07 (2018).
Tarara, T., et al.Déi kuerz Minoritéit Carrier Longetime zu Niter-räich 4h Epilayers gëtt benotzt fir ze verdéiwen oder Dämpfe.J. Uwendung.Physik.120, 115101 (2016).
Tarara, T. et al.Injizéiert Carrière Konzentratioun Ofhängegkeet vun der eenzeger Shockley stacking Fault Verbreedung am 4h-sic Pin Diode.J. Uwendung.Physik 123, 025707 (2018).
Mae, S., Tawara, T., Tsuchida, H. & Kaot, M. Microskopic FCA System fir Déift-geléist Carrière schi Mae, S., Tawara, T., Tsuchida, H. & Kaot, M. Microskopic FCA System fir Déift-geléist Carrière schiMei, S., Tawara, T., Tsuchida, H. an de Kaot, M. FCA Microskopic System fir Déift-geléist Carrière schliisslech Miessunge beim Silizitime. Mair, S., Tawara, T., Tsuchida, H. & Kao, M. 用 于 Sic 中 中 中 中 中 中 中 中 中 中 中 中 中 中 显微 系统 系统 系统 显微 显微 显微 显微 显微 显微 显微 显微 显微 显微. Mae, S., Tawara, T., Tsuchida, H. & Kaot, M. fir siic Medium modia-Tiefe 分辨载 流子 Lifetime Mätscher 的 的 FCA.Mei S., Tawara T., Tsuchida H. a Kato M. Micro-FCA System fir Déift-geléist Carrierdime Ligenmiessungen zu Silizonkide.Alma Mater Science Forum 924, 269–272 (2018).
Heryaa, t. et al.D'Déift Verdeelung vun der Carrier Liewensdauer an décke 4h-sic Epitaxial Schichten déi net destruktiv gemooss ginn ass déi Zäit Resolutioun vu gratis Carrier vun der fräier Carrier an duerchgräifender Ariichtung.Wiesselt op d'Wëssenschaft.Meter.91, 123902 (2020).
Postzäit: NOV-06-2022