Faafetai mo le asiasi ile Nature.com.O le su'esu'ega o lo'o e fa'aogaina e fa'atapula'aina le lagolago a le CSS.Mo le poto sili ona lelei, matou te fautuaina oe e te faʻaogaina se suʻesuʻega fou (pe faʻamalo le Faiga Faʻatasi i Internet Explorer).I le taimi nei, ina ia mautinoa le faʻaauauina o le lagolago, matou te tuʻuina atu le saite e aunoa ma sitaili ma JavaScript.
4H-SiC ua faʻatauina e avea o se mea mo masini semiconductor eletise.Ae ui i lea, o le faʻatuatuaina umi o masini 4H-SiC o se faʻalavelave i la latou faʻaoga lautele, ma o le faʻafitauli sili ona taua o le faʻatuatuaina o masini 4H-SiC o le bipolar degradation.O lenei faʻaleagaina e mafua mai i se faʻalavelave faʻapipiʻi e tasi a Shockley (1SSF) faʻasalalauina o vaʻavaʻa vaʻalele i 4H-SiC tioata.O iinei, matou te tuʻuina atu se metotia mo le taofiofia o le faʻalauteleina o le 1SSF e ala i le faʻapipiʻiina o protons i luga o 4H-SiC epitaxial wafers.PiN diodes faia i luga o wafers ma le proton implantation na fa'aalia ai uiga tutusa-voltage pei o diodes e aunoa ma le fa'apipi'iina o le proton.I se faʻatusatusaga, o le faʻalauteleina o le 1SSF o loʻo taofiofia lelei i le diode PiN faʻapipiʻiina.O le mea lea, o le faʻapipiʻiina o protons i totonu o le 4H-SiC epitaxial wafers o se auala aoga mo le taofiofia o le faʻaleagaina o le bipolar o masini semiconductor eletise 4H-SiC aʻo tausia le faʻatinoga o masini.O lenei taunuuga e saofagā i le atinaʻeina o masini 4H-SiC sili ona faʻatuatuaina.
Silicon carbide (SiC) ua lauiloa lautele o se mea semiconductor mo masini semiconductor maualuga-maualuga, e mafai ona faagaoioia i siosiomaga faigata1.E tele SiC polytypes, e aofia ai le 4H-SiC e sili ona lelei le masini semiconductor mea fa'aletino e pei o le maualuga o le eletise eletise ma le malosi o le eletise eletise2.4H-SiC wafers ma le lautele o le 6 inisi o loʻo faʻatau pisinisi ma faʻaaogaina mo le tele o gaosiga o masini semiconductor eletise.O faiga fa'apipi'i mo ta'avale eletise ma nofoaafi na fa'aaogaina e fa'aaoga ai masini semiconductor eletise 4H-SiC4.5.Ae ui i lea, o masini 4H-SiC o loʻo mafatia pea i mataupu faʻalagolago i taimi uumi e pei o le malepelepe o le dielectric poʻo le faʻalagolago i le puʻupuʻu, 6,7 o se tasi o mataupu faʻalagolago sili ona taua o le bipolar degradation2,8,9,10,11.O lenei fa'aleagaina o le bipolar na maua i luga o le 20 tausaga talu ai ma ua leva ona avea ma fa'afitauli i le gaosiga o masini SiC.
Bipolar degradation e mafua mai i se tasi Shockley stack defect (1SSF) i tioata 4H-SiC faʻatasi ai ma vaʻavaʻa vaʻavaʻa (BPDs) faʻalauteleina e ala i le toe faʻaleleia atili o le faʻafefe (REDG)12,13,14,15,16,17,18,19.O le mea lea, afai o le faʻalauteleina o le BPD e taofiofia i le 1SSF, e mafai ona faʻaogaina masini eletise 4H-SiC e aunoa ma le faʻaleagaina o le bipolar.E tele auala na lipotia mai e taofia ai le faʻalauteleina o le BPD, e pei o le BPD i le Thread Edge Dislocation (TED) suiga 20,21,22,23,24.I le SiC epitaxial wafers sili ona lata mai, o le BPD e masani lava ona i ai i totonu o le substrate ae le o le epitaxial layer ona o le liua o le BPD i le TED i le taimi muamua o le tuputupu aʻe o le epitaxial.O le mea lea, o le faʻafitauli o loʻo totoe o le faʻaleagaina o le bipolar o le tufatufaina atu lea o le BPD i le substrate 25,26,27.O le faʻaofiina o se "faʻapipiʻi faʻamalosi faʻapipiʻi" i le va o le drift layer ma le substrate ua faʻatulagaina e avea o se auala aoga mo le taofiofia o le faʻalauteleina o le BPD i le substrate28, 29, 30, 31. O lenei laulau e faʻateleina ai le avanoa o le toe tuʻufaʻatasia o paipa electron-hole i le. epitaxial layer ma le SiC substrate.Faʻaitiitia le numera o paʻu eletise-puʻu e faʻaitiitia ai le malosi o le REDG i le BPD i le mea faʻapipiʻi, o lea e mafai ai e le faʻapipiʻi faʻamalosi faʻapipiʻi ona taofia le faʻaleagaina o le bipolar.E tatau ona maitauina o le faʻaofiina o se layer e aofia ai tau faaopoopo i le gaosiga o wafers, ma a aunoa ma le faʻaofiina o se layer e faigata ona faʻaitiitia le numera o paʻu eletise e ala i le puleaina naʻo le puleaina o le ola o le ave.O le mea lea, o loʻo i ai pea se manaʻoga malosi e atiaʻe isi auala faʻamalosi e ausia ai se paleni sili atu i le va o le gaosiga o masini ma le gaosiga.
Talu ai ona o le fa'alauteleina o le BPD i le 1SSF e mana'omia ai le fa'agaoioia o vaega fa'aletonu (PDs), o le fa'apipi'iina o le PD o se auala fa'amoemoe e taofia ai le fa'aleagaina o le bipolar.E ui lava o le PD faʻapipiʻiina e ala i le uʻamea eleelea ua lipotia mai, o FPD i 4H-SiC substrates o loʻo tu i se mamao e sili atu i le 5 μm mai luga o le epitaxial layer.E le gata i lea, talu ai o le faʻasalalauga faʻatasi o soʻo se uʻamea i totonu o le SiC e laʻititi tele, e faigata ai ona faʻasalalau mea eleelea i totonu o le substrate34.Ona o le tele o le atomic mass o metals, e faigata foi ona faʻapipiʻiina ion o metals.I se eseesega, i le tulaga o le hydrogen, o le elemene sili ona mama, ions (protons) e mafai ona totoina i le 4H-SiC i le loloto o le sili atu i le 10 μm e faʻaaoga ai le MeV-vasega faʻavave.O le mea lea, afai o le faʻapipiʻiina o le proton e aʻafia ai le pine o le PD, ona mafai lea ona faʻaaogaina e taofia ai le faʻalauteleina o le BPD i le meaʻai.Ae ui i lea, o le faʻapipiʻiina o le proton e mafai ona faʻaleagaina le 4H-SiC ma faʻaitiitia ai le faʻatinoga o masini37,38,39,40.
Ina ia faʻatoʻilaloina le faʻaleagaina o masini ona o le faʻapipiʻiina o le proton, e faʻaaogaina le faʻaogaina o le vevela maualuga e toe faʻaleleia ai mea leaga, e tutusa ma le faʻaogaina o auala e masani ona faʻaaogaina pe a uma le faʻaogaina o le ion acceptor i le gaosiga o masini1, 40, 41, 42. E ui lava o le lua ion mass spectrometry (SIMS)43 ua lipotia hydrogen diffusion ona o le maualuga-vevela annealing, e mafai e na o le density o hydrogen atoms latalata i le FD e le lava e iloa ai le pine o le PR faaaogaina SIMS.O le mea lea, i lenei suʻesuʻega, matou te totoina protons i le 4H-SiC epitaxial wafers aʻo leʻi faia le faʻagasologa o masini, e aofia ai le vevela maualuga.Na matou faʻaogaina PiN diodes e fai ma faʻataʻitaʻiga masini masini ma faʻapipiʻiina i luga o le 4H-SiC epitaxial wafers ua faʻapipiʻiina.Ona matou matauina lea o uiga volt-ampere e suʻesuʻe ai le faʻaleagaina o le faʻatinoga o masini ona o le tui proton.Mulimuli ane, na matou matauina le faʻalauteleina o le 1SSF i ata electroluminescence (EL) pe a uma ona faʻaogaina se eletise eletise i le PiN diode.Mulimuli ane, matou faʻamaonia le aʻafiaga o tui proton i le taofiofia o le faʻalauteleina o le 1SSF.
I luga o le fig.O le Ata 1 o lo'o fa'aalia ai uiga o lo'o i ai nei-voltage (CVCs) o PiN diodes i le vevela o le potu i itulagi fa'atasi ma e aunoa ma le fa'apipi'iina o le proton a'o le'i o'o i le taimi.PiN diodes ma proton tui fa'aalia uiga fa'asa'o e tutusa ma diodes e aunoa ma le tui proton, e ui lava o uiga IV e fa'asoa i le va o diodes.Ina ia faʻaalia le eseesega i le va o tuʻutuʻuga o tui, matou te faʻaogaina le eletise eletise i le maualuga o loʻo i luma o le 2.5 A / cm2 (e fetaui ma le 100 mA) e pei o se fuainumera fuainumera e pei ona faʻaalia i le Ata 2. O le pupuni e faʻatatau i se tufatufa masani o loʻo faʻatusalia foi. e ala i se laina togitogi.laina.E pei ona mafai ona vaʻaia mai tumutumu o pupuni, o le on-resistance e faʻatupulaʻia teisi i le proton doses o le 1014 ma le 1016 cm-2, aʻo le PiN diode ma le proton dose o le 1012 cm-2 o loʻo faʻaalia toetoe lava tutusa uiga e aunoa ma le faʻapipiʻiina o le proton. .Na matou faia foi le faʻaogaina o le proton i le maeʻa ai o le fausiaina o PiN diodes e leʻi faʻaalia le electroluminescence tutusa ona o le faʻaleagaina na mafua mai i le faʻaogaina o le proton e pei ona faʻaalia i le Ata S1 e pei ona faʻamatalaina i suʻesuʻega muamua37,38,39.O le mea lea, o le faʻapipiʻiina i le 1600 ° C ina ua maeʻa le faʻapipiʻiina o Al ion o se faiga talafeagai e faʻaogaina ai masini e faʻagaoioia ai le Al acceptor, lea e mafai ona toe faʻaleleia le faʻaleagaina e mafua mai i le faʻapipiʻiina o le proton, lea e tutusa ai le CVC i le va o le faʻapipiʻiina ma le le faʻapipiʻiina o le proton PiN diodes. .Ole suiga ole taimi nei ile -5 V o loʻo faʻaalia foi ile Ata S2, e leai se eseesega tele i le va o diodes ma le leai o se tui proton.
Volt-ampere uiga o PiN diodes ma ma e aunoa ma tui protons i le vevela potu.O le tala fa'atusa o lo'o fa'ailoa mai ai le fua o protons.
Ole tele ole va'a ile taimi nei 2.5 A/cm2 mo PiN diodes fa'atasi ma protons tui ma le le tui.O le laina togitogi e fetaui ma le tufatufaina masani.
I luga o le fig.3 o loʻo faʻaalia ai se ata EL o se PiN diode ma le maualuga o loʻo iai nei o le 25 A / cm2 pe a uma le voltage.Aʻo leʻi faʻaogaina le avega o loʻo i ai nei, e leʻi matauina vaega pogisa o le diode, e pei ona faʻaalia i le Ata 3. C2.Peitaʻi, e pei ona faaalia i le fig.3a, i totonu o le PiN diode e aunoa ma le faʻapipiʻiina o le proton, o le tele o vaega lanu uliuli ma pito malamalama na matauina ina ua uma ona faʻaogaina se eletise eletise.O ia vaega pogisa e pei o le tootoo o loʻo matauina i ata EL mo le 1SSF faʻalautele mai le BPD i le substrate28,29.Nai lo lena, o nisi faʻalavelave faʻapipiʻi faʻalautele na matauina i PiN diodes ma faʻapipiʻiina protons, e pei ona faʻaalia i le Ata 3b-d.I le faʻaaogaina o le X-ray topography, na matou faʻamaonia ai le i ai o PRs e mafai ona alu ese mai le BPD i le substrate i le pito i tua o fesoʻotaʻiga i le PiN diode e aunoa ma le tui o le proton (Fig. 4: lenei ata e aunoa ma le aveesea o le eletise pito i luga (ata, PR). i lalo o le electrodes e le o vaaia) O le mea lea, o le vaega pogisa i le ata EL e fetaui ma se 1SSF BPD faʻalautele i le substrate. vaega pogisa (taimi-eseese EL ata o PiN diodes e aunoa ma le tui proton ma totoina i le 1014 cm-2) o loʻo faʻaalia foi i Faʻamatalaga Faʻaopoopo.
EL ata o PiN diodes i le 25 A/cm2 pe a uma le 2 itula o le faʻamalosi eletise (a) e aunoa ma le faʻapipiʻiina o le proton ma faʻapipiʻi tui o (b) 1012 cm-2, (c) 1014 cm-2 ma (d) 1016 cm-2 protons .
Na matou fuafuaina le tele o le faʻalauteleina o le 1SSF e ala i le faʻatusatusaina o nofoaga pogisa ma pito susulu i le tolu PiN diodes mo tulaga taʻitasi, e pei ona faʻaalia i le Ata 5. O le mamafa o le faʻalauteleina o le 1SSF e faʻaitiitia i le faʻateleina o le fua o le proton, ma e oʻo lava ile fua ole 1012 cm-2, o le mamafa o le faʻalauteleina o le 1SSF e matua maualalo ifo nai lo le piN diode e le faʻapipiʻiina.
Faʻateleina densities o SF PiN diodes ma e aunoa ma le faʻapipiʻiina o le proton pe a uma ona utaina ma se faʻaogaina o le taimi nei (o setete taʻitasi e aofia ai ni diodes uta e tolu).
O le fa'apu'upu'u o le ola o le va'a e a'afia ai fo'i le fa'ateleina o le taofiofia, ma o le tui proton e fa'aitiitia ai le ola o le va'a32,36.Ua matou matauina le ola o le ave taavale i totonu o se epitaxial layer 60 µm mafiafia ma tui tui o le 1014 cm-2.Mai le taimi muamua o le ave taavale, e ui lava o le implant e faʻaitiitia le tau i le ~ 10%, o le faʻasolosolo mulimuli ane toe faʻafoʻi i le ~ 50%, e pei ona faʻaalia i le Ata S7.O le mea lea, o le ola o le avetaʻavale, faʻaitiitia ona o le faʻapipiʻiina o le proton, e toe faʻafoʻisia e ala i le vevela maualuga.E ui lava o le 50% faʻaitiitiga i le ola vaʻaia e taofia ai foi le faʻasalalauina o faʻalavelave faʻapipiʻi, o uiga I-V, lea e masani ona faʻalagolago i le ola o le vaʻavaʻa, e faʻaalia ai na o nai eseesega laiti i le va o le tui ma le le totoina o diodes.O le mea lea, matou te talitonu o le taula o le PD e iai sona sao i le taofia o le faʻalauteleina o le 1SSF.
E ui lava e leʻi iloa e le SIMS le hydrogen i le maeʻa ai o le faʻafefe i le 1600 ° C, e pei ona lipotia i suʻesuʻega talu ai, na matou matauina le aʻafiaga o le faʻapipiʻiina o le proton i luga o le taofiofia o le faʻalauteleina o le 1SSF, e pei ona faʻaalia i ata 1 ma 4. 3, 4. O le mea lea, matou te talitonu ai. o le PD o loʻo taula i le hydrogen atoms ma le mamafa i lalo ifo o le faʻatapulaʻaina o le SIMS (2 × 1016 cm-3) poʻo le faʻaleagaina o le mata e mafua mai i le faʻapipiʻiina.E tatau ona maitauina matou te leʻi faʻamaonia se faʻaopoopoga o le tetee i luga o le setete ona o le faʻalauteleina o le 1SSF pe a maeʻa le faʻatupulaia o le uta o loʻo i ai nei.Atonu e mafua ona o feso'ota'iga ohmic le atoatoa na fa'aogaina i la tatou fa'agasologa, lea o le a fa'aumatia i se taimi lata mai.
I le faaiuga, na matou fausia se auala faʻafefe mo le faʻalauteleina o le BPD i le 1SSF i 4H-SiC PiN diodes e faʻaaoga ai le faʻaogaina o le proton aʻo leʻi faia le masini.O le faʻaleagaina o le uiga o le I-V i le taimi o le faʻapipiʻiina o le proton e le taua, aemaise lava i le fua o le proton o le 1012 cm-2, ae o le aʻafiaga o le taofiofia o le faʻalauteleina o le 1SSF e taua tele.E ui lava i lenei suʻesuʻega na matou faia ai le 10 μm mafiafia PiN diodes faʻatasi ai ma le faʻapipiʻiina o le proton i le loloto o le 10 μm, e mafai lava ona faʻaleleia atili tulaga faʻapipiʻi ma faʻaoga i latou e fai ai isi ituaiga o masini 4H-SiC.O tau faʻaopoopo mo le faʻaogaina o masini i le taimi o le faʻapipiʻiina o le proton e tatau ona mafaufauina, ae o le a tutusa ma latou mo le faʻapipiʻiina o le alumini, o le faʻagasologa autu o le gaosiga mo masini eletise 4H-SiC.O le mea lea, o le faʻapipiʻiina o le proton aʻo leʻi faʻaogaina masini o se auala talafeagai mo le fausiaina o masini eletise 4H-SiC e aunoa ma le faʻaleagaina.
O le 4-inisi n-type 4H-SiC wafer faʻatasi ai ma le mafiafia o le epitaxial layer o le 10 μm ma le faʻaogaina o le doping o le 1 × 1016 cm-3 na faʻaaogaina e fai ma faʻataʻitaʻiga.Aʻo leʻi faʻaogaina le masini, na faʻapipiʻi le H + ions i totonu o le ipu ma le malosi faʻavavevave o le 0.95 MeV i le vevela o le potu i le loloto o le 10 μm i se tulaga masani i luga o le ipu.I le taimi o le faʻapipiʻiina o le proton, sa faʻaaogaina se ufimata i luga o se ipu, ma o le ipu na i ai ni vaega e aunoa ma le faʻaogaina o le proton dose o le 1012, 1014, poʻo le 1016 cm-2.Ona, o Al ion ma fua o le proton o le 1020 ma le 1017 cm-3 na totoina i luga o le wafer atoa i le loloto o le 0-0.2 μm ma le 0.2-0.5 μm mai luga, sosoo ai ma le faʻafefe i le 1600 ° C e fausia ai se pulou kaponi i. fai ap layer.-ituaiga.Mulimuli ane, o se itu pito i tua Ni faʻafesoʻotaʻi na teuina i luga o le itu substrate, ae o le 2.0 mm × 2.0 mm foliga faʻafesoʻotaʻi Ti / Al pito i luma na faia e photolithography ma se faiga paʻu na teuina i luga o le itu epitaxial layer.Mulimuli ane, fa'afeso'ota'i annealing faia i le vevela o le 700 °C.Ina ua uma ona tipiina le wafer i ni tupe meataalo, sa matou faia le faʻamatalaga faʻamalosi ma le faʻaogaina.
O uiga I-V o diodes PiN faʻapipiʻiina na matauina i le faʻaaogaina o le HP4155B semiconductor parameter analyzer.I le avea ai o se eletise eletise, o le 10-milisecond pulsed current o le 212.5 A / cm2 na faʻafeiloaʻi mo le 2 itula i le taimi ole 10 pulses / sec.Ina ua matou filifilia se maualuga maualalo poʻo taimi masani, matou te leʻi matauina le faʻalauteleina o le 1SSF e oʻo lava i se PiN diode e aunoa ma le tui proton.I le taimi o le eletise eletise faʻaaogaina, o le vevela o le PiN diode e tusa ma le 70 ° C e aunoa ma le faʻamafanafanaina, e pei ona faʻaalia i le Ata S8.Electroluminescent ata na maua aʻo leʻi maeʻa ma pe a maeʻa le faʻamalosi eletise i le maualuga o le 25 A / cm2.Synchrotron reflecting grazing incidence X-ray topography e fa'aaoga ai le X-ray beam (λ = 0.15 nm) i le Aichi Synchrotron Radiation Center, o le ag vector i le BL8S2 o le -1-128 po'o le 11-28 (silasila i le ref. 44 mo auiliiliga) .).
Ole tele ole voltage ile maualuga ole agai i luma ole 2.5 A/cm2 ua maua mai ile va ole 0.5 V ile ata.2 e tusa ai ma le CVC o setete taʻitasi o le PiN diode.Mai le tau fa'atatau o le fa'amamafa Vave ma le va'aiga masani σ o le fa'amamafa, matou te fa'atulagaina se fa'asologa masani fa'asoa i le tulaga o se laina togitogi i le Ata 2 e fa'aaoga ai le fa'atusa:
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Agarwal, A., Fatima, H., Haney, S. & Ryu, S.-H. Agarwal, A., Fatima, H., Haney, S. & Ryu, S.-H.Agarwal A., Fatima H., Heini S. ma Ryu S.-H. Agarwal, A., Fatima, H., Haney, S. & Ryu, S.-H. Agarwal, A., Fatima, H., Haney, S. & Ryu, S.-H.Agarwal A., Fatima H., Heini S. ma Ryu S.-H.O se faiga fa'aleagaina fou mo le maualuga-voltage SiC mana MOSFETs.IEEE Mea Fa'aeletonika Lett.28, 587–589 (2007).
Caldwell, JD, Stahlbush, RE, Ancona, MG, Glembocki, OJ & Hobart, KD I luga o le malosi faʻamalosi mo le toe faʻapipiʻiina o le faʻapipiʻiina o mea sese i le 4H-SiC. Caldwell, JD, Stahlbush, RE, Ancona, MG, Glembocki, OJ & Hobart, KD I luga o le malosi faʻamalosi mo le toe faʻapipiʻiina o le faʻapipiʻiina o mea sese i le 4H-SiC.Caldwell, JD, Stalbush, RE, Ancona, MG, Glemboki, OJ, ma Hobart, KD I luga o le malosi o le faʻaogaina o le faʻaogaina o le faʻapipiʻiina o mea sese i le 4H-SiC. Caldwell, JD, Stahlbush, RE, Ancona, MG, Glembocki, OJ & Hobart, KD 关于4H-SiC 中复合引起的层错运动的驱动力。 Caldwell, JD, Stahlbush, RE, Ancona, MG, Glembocki, OJ & Hobart, KDCaldwell, JD, Stalbush, RE, Ancona, MG, Glemboki, OJ, ma Hobart, KD, I luga o le malosi faʻamalosi o le toe faʻapipiʻiina o le faʻapipiʻiina o mea sese i le 4H-SiC.J. Fa'aoga.fisiki.108, 044503 (2010).
Iijima, A. & Kimoto, T. Fa'ata'ita'iga malosi fa'aeletonika mo le fa'atupuina fa'aletonu o fa'aputuga e tasi a Shockley i tioata 4H-SiC. Iijima, A. & Kimoto, T. Fa'ata'ita'iga malosi fa'aeletonika mo le fa'atupuina fa'aletonu o fa'aputuga e tasi a Shockley i tioata 4H-SiC.Iijima, A. ma Kimoto, T. Electron-malosi faʻataʻitaʻiga o le faʻavaeina o faʻaletonu tasi o le faʻapipiʻiina o Shockley i tioata 4H-SiC. Iijima, A. & Kimoto, T. 4H-SiC 晶体中单Shockley 堆垛层错形成的电子能量模型。 Iijima, A. & Kimoto, T. Fa'ata'ita'iga malosi fa'aeletonika o le fa'avaeina o mea sese fa'apipi'i tasi Shockley i le tioata 4H-SiC.Iijima, A. ma Kimoto, T. Electron-malosi faʻataʻitaʻiga o le faʻavaeina o se faʻaletonu e tasi Shockley faʻapipiʻiina i tioata 4H-SiC.J. Fa'aoga.fisiki 126, 105703 (2019).
Iijima, A. & Kimoto, T. Fuafuaga o le tulaga ogaoga mo le faʻalauteleina / faʻaitiitia o faʻaletonu faʻapipiʻi Shockley tasi i 4H-SiC PiN diodes. Iijima, A. & Kimoto, T. Fuafuaga o le tulaga ogaoga mo le faʻalauteleina / faʻaitiitia o faʻaletonu faʻapipiʻi Shockley tasi i 4H-SiC PiN diodes.Iijima, A. ma Kimoto, T. Fuafuaga o le tulaga taua mo le faʻalauteleina / faʻamalosi o faʻaletonu faʻapipiʻi Shockley tasi i 4H-SiC PiN-diodes. Iijima, A. & Kimoto, T. 估计4H-SiC PiN 二极管中单个Shockley 堆垛层错膨胀/收缩的临界条件。 Iijima, A. & Kimoto, T. Fuafuaga o le Shockley faʻapipiʻi faʻapipiʻi tulaga faʻalauteleina / faʻaitiitia tulaga i 4H-SiC PiN diodes.Iijima, A. ma Kimoto, T. Fuafuaga o tulaga taua mo le faʻalauteleina / faʻapipiʻiina o faʻamaʻi faʻaletonu e tasi Shockley i 4H-SiC PiN-diodes.fa'aoga physics Wright.116, 092105 (2020).
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Zhang, X. & Tsuchida, H. Fa'aliliuina o va'a va'alele basal i fa'a'ese'ese pito i filo i 4H-SiC epilayers e ala i le vevela maualuga. Zhang, X. & Tsuchida, H. Fa'aliliuina o va'a va'alele basal i fa'a'ese'ese pito i filo i 4H-SiC epilayers e ala i le vevela maualuga.Zhang, X. ma Tsuchida, H. Suiga o le vaeluaga o le va'alele basal i le fa'a'ese'esega pito i filo i le 4H-SiC epitaxial layers e ala i le vevela maualuga. Zhang, X. & Tsuchida, H. 通过高温退火将4H-SiC 外延层中的基面位错转化为螺纹刃位错。 Zhang, X. & Tsuchida, H. 通过高温退火将4H-SiCZhang, X. ma Tsuchida, H. Suiga o le va'alele faavae dislocations i filament pito dislocations i 4H-SiC epitaxial layers e ala i le maualuga vevela annealing.J. Fa'aoga.fisiki.111, 123512 (2012).
Pese, H. & Sudarshan, TS Basal vaalele dislocation liua latalata i le epilayer / substrate interface i epitaxial tuputupu aʻe o le 4 ° off-axis 4H-SiC. Pese, H. & Sudarshan, TS Basal vaalele dislocation liua latalata i le epilayer / substrate interface i epitaxial tuputupu aʻe o le 4 ° off-axis 4H-SiC.Pese, H. ma Sudarshan, TS Suiga o le va'alele va'alele basal i tafatafa o le epitaxial layer / substrate interface i le taimi o le tuputupu a'e o le epitaxial o le 4H-SiC. Pese, H. & Sudarshan, TS 在4° 离轴4H-SiC 外延生长中外延层/衬底界面附近的基底平面位错转捯。 Pese, H. & Sudarshan, TS 在4° 离轴4H-SiC Pese, H. & Sudarshan, TSFua'iga fa'a'ese'esega o le mea'ai e lata ane i le pito epitaxial layer / substrate i le taimi o le tuputupu a'e o le epitaxial o le 4H-SiC i fafo atu o le 4° axis.J. Crystal.Tuputupu ae 371, 94–101 (2013).
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Hirayama, T. et al.O le loloto o le tufatufaina atu o le ola o le ave taavale i le mafiafia o le 4H-SiC epitaxial layers sa fuaina e le faʻaleagaina e faʻaaoga ai le taimi e faʻaogaina ai le faʻaogaina o le ave fua ma le malamalama.Sui i le faasaienisi.mita.91, 123902 (2020).
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