Grazzi talli żort Nature.com.Il-verżjoni tal-browser li qed tuża għandha appoġġ limitat għal CSS.Għall-aħjar esperjenza, nirrakkomandaw li tuża browser aġġornat (jew tiddiżattiva l-Modalità ta' Kompatibbiltà fl-Internet Explorer).Sadanittant, biex niżguraw appoġġ kontinwu, aħna se nirrendu s-sit mingħajr stili u JavaScript.
4H-SiC ġie kummerċjalizzat bħala materjal għal apparati semikondutturi tal-enerġija.Madankollu, l-affidabbiltà fit-tul tal-apparati 4H-SiC hija ostaklu għall-applikazzjoni wiesgħa tagħhom, u l-aktar problema ta 'affidabbiltà importanti tal-apparati 4H-SiC hija d-degradazzjoni bipolari.Din id-degradazzjoni hija kkawżata minn propagazzjoni waħda Shockley stacking fault (1SSF) ta 'dislokazzjonijiet tal-pjan bażali fi kristalli 4H-SiC.Hawnhekk, nipproponu metodu għat-trażżin tal-espansjoni ta '1SSF billi impjantaw protoni fuq wejfers epitassjali 4H-SiC.Dajowds PiN fabbrikati fuq wejfers b'impjantazzjoni ta 'protoni wrew l-istess karatteristiċi ta' vultaġġ kurrenti bħal dajowds mingħajr impjantazzjoni ta 'protoni.B'kuntrast, l-espansjoni 1SSF hija effettivament mrażżna fid-dijodu PiN impjantat bi protoni.Għalhekk, l-impjantazzjoni ta 'protoni f'wejfers epitassjali 4H-SiC huwa metodu effettiv biex irażżan id-degradazzjoni bipolari ta' apparati semikondutturi tal-qawwa 4H-SiC filwaqt li tinżamm il-prestazzjoni tal-apparat.Dan ir-riżultat jikkontribwixxi għall-iżvilupp ta 'apparat 4H-SiC affidabbli ħafna.
Il-karbur tas-silikon (SiC) huwa rikonoxxut b'mod wiesa 'bħala materjal semikonduttur għal apparati semikondutturi ta' qawwa għolja u ta 'frekwenza għolja li jistgħu joperaw f'ambjenti ħarxa1.Hemm ħafna politipi SiC, fosthom 4H-SiC għandu proprjetajiet fiżiċi eċċellenti ta 'apparat semikonduttur bħal mobilità għolja ta' l-elettroni u kamp elettriku ta 'tqassim qawwi2.Wafers 4H-SiC b'dijametru ta '6 pulzieri bħalissa huma kummerċjalizzati u użati għall-produzzjoni tal-massa ta' apparati semikondutturi tal-enerġija3.Sistemi ta 'trazzjoni għal vetturi elettriċi u ferroviji ġew iffabbrikati bl-użu ta' apparat semikonduttur tal-qawwa 4H-SiC4.5.Madankollu, l-apparati 4H-SiC għadhom ibatu minn kwistjonijiet ta 'affidabbiltà fit-tul bħal tqassim dielettriku jew affidabbiltà ta' ċirkwit qasir, 6,7 li minnhom waħda mill-kwistjonijiet ta 'affidabbiltà l-aktar importanti hija d-degradazzjoni bipolari2,8,9,10,11.Din id-degradazzjoni bipolari ġiet skoperta aktar minn 20 sena ilu u ilha problema fil-fabbrikazzjoni tal-apparat tas-SiC.
Id-degradazzjoni bipolari hija kkawżata minn difett wieħed ta 'Shockley stack (1SSF) fi kristalli 4H-SiC b'dislokazzjonijiet tal-pjan bażali (BPDs) li jinfirxu permezz ta' glide ta 'dislokazzjoni msaħħa b'rikombinazzjoni (REDG)12,13,14,15,16,17,18,19.Għalhekk, jekk l-espansjoni tal-BPD tiġi mrażżna għal 1SSF, apparati tal-enerġija 4H-SiC jistgħu jiġu fabbrikati mingħajr degradazzjoni bipolari.Ġew irrappurtati diversi metodi li jrażżnu l-propagazzjoni tal-BPD, bħat-trasformazzjoni BPD għal Thread Edge Dislocation (TED) 20,21,22,23,24.Fl-aħħar wafers epitassjali SiC, il-BPD huwa prinċipalment preżenti fis-sottostrat u mhux fis-saff epitassjali minħabba l-konverżjoni ta 'BPD għal TED matul l-istadju inizjali tat-tkabbir epitassjali.Għalhekk, il-problema li fadal ta 'degradazzjoni bipolari hija d-distribuzzjoni ta' BPD fis-sottostrat 25,26,27.L-inserzjoni ta '"saff ta' rinfurzar kompost" bejn is-saff tad-drift u s-sottostrat ġiet proposta bħala metodu effettiv għat-trażżin tal-espansjoni tal-BPD fis-substrat28, 29, 30, 31. Dan is-saff iżid il-probabbiltà ta 'rikombinazzjoni ta' par elettron-toqba fil- saff epitassjali u substrat tas-SiC.It-tnaqqis tan-numru ta 'pari ta' elettron-toqba inaqqas il-forza tas-sewqan ta 'REDG għal BPD fis-sottostrat, sabiex is-saff ta' rinfurzar kompost jista 'jrażżan id-degradazzjoni bipolari.Għandu jiġi nnutat li l-inserzjoni ta 'saff tinvolvi spejjeż addizzjonali fil-produzzjoni ta' wejfers, u mingħajr l-inserzjoni ta 'saff huwa diffiċli li jitnaqqas in-numru ta' pari ta 'elettron-toqba billi jiġi kkontrollat biss il-kontroll tal-ħajja tat-trasportatur.Għalhekk, għad hemm ħtieġa qawwija li jiġu żviluppati metodi oħra ta 'soppressjoni biex jinkiseb bilanċ aħjar bejn l-ispiża tal-manifattura tal-apparat u r-rendiment.
Minħabba li l-estensjoni tal-BPD għal 1SSF teħtieġ moviment ta 'dislokazzjonijiet parzjali (PDs), il-pinning tal-PD huwa approċċ promettenti biex jinibixxi d-degradazzjoni bipolari.Għalkemm PD pinning minn impuritajiet tal-metall ġie rrappurtat, FPDs f'sottostrati 4H-SiC jinsabu f'distanza ta 'aktar minn 5 μm mill-wiċċ tas-saff epitassjali.Barra minn hekk, peress li l-koeffiċjent tad-diffużjoni ta 'kwalunkwe metall fis-SiC huwa żgħir ħafna, huwa diffiċli li l-impuritajiet tal-metall jinfirxu fis-sottostrat34.Minħabba l-massa atomika relattivament kbira tal-metalli, l-impjantazzjoni tal-jone tal-metalli hija wkoll diffiċli.B'kuntrast, fil-każ tal-idroġenu, l-eħfef element, joni (protoni) jistgħu jiġu impjantati f'4H-SiC sa fond ta 'aktar minn 10 µm bl-użu ta' aċċeleratur tal-klassi MeV.Għalhekk, jekk l-impjantazzjoni tal-protoni taffettwa l-pinning tal-PD, allura tista 'tintuża biex trażżan il-propagazzjoni tal-BPD fis-sottostrat.Madankollu, l-impjantazzjoni tal-protoni tista 'tagħmel ħsara lil 4H-SiC u tirriżulta fi prestazzjoni mnaqqsa tal-apparat37,38,39,40.
Biex tingħeleb id-degradazzjoni tal-apparat minħabba l-impjantazzjoni tal-protoni, ittemprar f'temperatura għolja jintuża biex isewwi l-ħsara, simili għall-metodu ta 'ttemprar użat komunement wara l-impjantazzjoni tal-jone tal-aċċettatur fl-ipproċessar tal-apparat1, 40, 41, 42. Għalkemm l-ispettrometrija tal-massa tal-jone sekondarja (SIMS)43 għandha diffużjoni tal-idroġenu rrappurtata minħabba ttemprar f'temperatura għolja, huwa possibbli li d-densità biss tal-atomi tal-idroġenu ħdejn l-FD mhix biżżejjed biex tiskopri l-pinning tal-PR bl-użu ta ' SIMS.Għalhekk, f'dan l-istudju, impjantajna protoni f'wejfers epitassjali 4H-SiC qabel il-proċess tal-fabbrikazzjoni tal-apparat, inkluż ittemprar b'temperatura għolja.Aħna użajna dajowds PiN bħala strutturi ta 'apparat sperimentali u fabbrikajnahom fuq wejfers epitassjali 4H-SiC impjantati bi protoni.Imbagħad osservajna l-karatteristiċi tal-volt-ampere biex nistudjaw id-degradazzjoni tal-prestazzjoni tal-apparat minħabba l-injezzjoni tal-protoni.Sussegwentement, osservajna l-espansjoni ta '1SSF f'immaġini elettroluminixxenti (EL) wara li applikajna vultaġġ elettriku għad-dijodu PiN.Fl-aħħarnett, ikkonfermajna l-effett tal-injezzjoni tal-protoni fuq is-soppressjoni tal-espansjoni 1SSF.
Fuq il-fig.Il-Figura 1 turi l-karatteristiċi tal-kurrent-vultaġġ (CVCs) tad-dijodi PiN f'temperatura tal-kamra f'reġjuni bi u mingħajr impjantazzjoni ta 'protoni qabel il-kurrent pulsat.Dajowds PiN b'injezzjoni ta 'protoni juru karatteristiċi ta' rettifika simili għal dajowds mingħajr injezzjoni ta 'protoni, anke jekk il-karatteristiċi IV huma kondiviżi bejn id-dijodi.Biex tindika d-differenza bejn il-kundizzjonijiet tal-injezzjoni, aħna plottajna l-frekwenza tal-vultaġġ f'densità ta 'kurrent 'il quddiem ta' 2.5 A / cm2 (li tikkorrispondi għal 100 mA) bħala plott statistiku kif muri fil-Figura 2. Il-kurva approssimata b'distribuzzjoni normali hija rappreżentata wkoll b'linja bit-tikek.linja.Kif jidher mill-qċaċet tal-kurvi, ir-reżistenza fuq tiżdied ftit f'dożi ta 'protoni ta' 1014 u 1016 cm-2, filwaqt li d-dijodu PiN b'doża ta 'protoni ta' 1012 cm-2 juri kważi l-istess karatteristiċi bħal mingħajr impjantazzjoni ta 'protoni .Aħna wettaqna wkoll impjantazzjoni tal-protoni wara l-fabbrikazzjoni ta 'dijodi PiN li ma wrewx elettroluminixxenza uniformi minħabba ħsara kkawżata mill-impjantazzjoni tal-protoni kif muri fil-Figura S1 kif deskritt fi studji preċedenti37,38,39.Għalhekk, ittemprar f'1600 °C wara l-impjantazzjoni ta 'jonji Al huwa proċess meħtieġ biex jiġu ffabbrikati apparati biex jattiva l-aċċettatur Al, li jista' jsewwi l-ħsara kkawżata mill-impjantazzjoni tal-protoni, li jagħmel is-CVCs l-istess bejn dijodi PiN tal-protoni impjantati u mhux impjantati. .Il-frekwenza tal-kurrent b'lura f'-5 V hija ppreżentata wkoll fil-Figura S2, m'hemm l-ebda differenza sinifikanti bejn dajowds bi u mingħajr injezzjoni tal-protoni.
Karatteristiċi ta 'volt-ampere ta' dajowds PiN bi u mingħajr protoni injettati f'temperatura tal-kamra.Il-leġġenda tindika d-doża ta 'protoni.
Frekwenza tal-vultaġġ f'kurrent dirett 2.5 A/cm2 għal dajowds PiN bi protoni injettati u mhux injettati.Il-linja bit-tikek tikkorrispondi għad-distribuzzjoni normali.
Fuq il-fig.3 turi immaġni EL ta 'dijodu PiN b'densità ta' kurrent ta '25 A/cm2 wara l-vultaġġ.Qabel ma tiġi applikata t-tagħbija tal-kurrent pulsat, ir-reġjuni skuri tad-dijodu ma ġewx osservati, kif muri fil-Figura 3. C2.Madankollu, kif muri fil-fig.3a, f'dijodu PiN mingħajr impjantazzjoni tal-protoni, ġew osservati diversi reġjuni strixxi skuri bi truf ħfief wara li applikaw vultaġġ elettriku.Tali reġjuni skuri f'forma ta 'virga huma osservati f'immaġini EL għal 1SSF li jestendi mill-BPD fis-sottostrat28,29.Minflok, xi ħsarat estiżi stivar kienu osservati fil PiN dajowds bi protoni impjantati, kif muri fil-Fig. 3b-d.Bl-użu ta 'topografija tar-raġġi X, aħna kkonfermajna l-preżenza ta' PRs li jistgħu jimxu mill-BPD għas-sottostrat fil-periferija tal-kuntatti fid-dijodu PiN mingħajr injezzjoni ta 'protoni (Fig. 4: din l-immaġni mingħajr ma tneħħi l-elettrodu ta' fuq (ritratt, PR) taħt l-elettrodi mhix viżibbli). Għalhekk, iż-żona skura fl-immaġni EL tikkorrispondi għal 1SSF BPD estiż fis-sottostrat. Immaġini EL ta 'dijodi PiN mgħobbija oħra huma murija fil-Figuri 1 u 2. Vidjows S3-S6 bi u mingħajr estiż żoni skuri (immaġini EL li jvarjaw fil-ħin ta 'dijodi PiN mingħajr injezzjoni ta' protoni u impjantati f'1014 cm-2) huma murija wkoll f'Informazzjoni Supplimentari.
Immaġini EL ta' dajowds PiN f'25 A/cm2 wara sagħtejn ta' stress elettriku (a) mingħajr impjantazzjoni ta' protoni u b'dożi impjantati ta' (b) 1012 cm-2, (c) 1014 cm-2 u (d) 1016 cm-2 protoni .
Aħna kkalkulajna d-densità ta '1SSF estiż billi kkalkola żoni skuri bi truf qawwi fi tliet dajowds PiN għal kull kundizzjoni, kif muri fil-Figura 5. Id-densità ta' 1SSF estiż tonqos maż-żieda fid-doża tal-protoni, u anke f'doża ta '1012 cm-2, id-densità ta '1SSF estiża hija sinifikament aktar baxxa milli f'dijodu PiN mhux impjantat.
Żieda fid-densitajiet tad-dijodi SF PiN bi u mingħajr impjantazzjoni tal-protoni wara t-tagħbija b'kurrent pulsat (kull stat kien jinkludi tliet dajowds mgħobbija).
It-tqassir tal-ħajja tat-trasportatur jaffettwa wkoll is-soppressjoni tal-espansjoni, u l-injezzjoni tal-protoni tnaqqas il-ħajja tat-trasportatur32,36.Osservajna ħajjiet ta' trasportatur f'saff epitassjali ta' 60 µm ħxuna bi protoni injettati ta' 1014 cm-2.Mill-ħajja tat-trasportatur inizjali, għalkemm l-impjant inaqqas il-valur għal ~ 10%, ittemprar sussegwenti jerġa 'jġibha għal ~ 50%, kif muri fil-Fig. S7.Għalhekk, il-ħajja tat-trasportatur, imnaqqsa minħabba l-impjantazzjoni tal-protoni, hija restawrata permezz ta 'ttemprar b'temperatura għolja.Għalkemm tnaqqis ta '50% fil-ħajja tat-trasportatur irażżan ukoll il-propagazzjoni ta' ħsarat fl-istivar, il-karatteristiċi I-V, li huma tipikament dipendenti fuq il-ħajja tal-ġarr, juru biss differenzi żgħar bejn dajowds injettati u mhux impjantati.Għalhekk, nemmnu li l-ankraġġ tal-PD għandu rwol fl-inibizzjoni tal-espansjoni ta '1SSF.
Għalkemm SIMS ma sabx idroġenu wara ttemprar f'1600 ° C, kif irrappurtat fi studji preċedenti, osservajna l-effett tal-impjantazzjoni tal-protoni fuq is-soppressjoni tal-espansjoni ta '1SSF, kif muri fil-Figuri 1 u 4. 3, 4. Għalhekk, nemmnu li il-PD huwa ankrat minn atomi ta' l-idroġenu b'densità taħt il-limitu ta' skoperta ta' SIMS (2 × 1016 cm-3) jew difetti fil-punt indotti mill-impjantazzjoni.Għandu jiġi nnutat li aħna ma kkonfermajnax żieda fir-reżistenza fuq l-istat minħabba t-titwil ta '1SSF wara tagħbija kurrenti ta' żieda.Dan jista 'jkun minħabba kuntatti ohmiċi imperfetti magħmula bl-użu tal-proċess tagħna, li se jiġu eliminati fil-futur qarib.
Bħala konklużjoni, żviluppajna metodu ta 'quenching għall-estensjoni tal-BPD għal 1SSF f'dijodi PiN 4H-SiC bl-użu ta' impjantazzjoni tal-protoni qabel il-fabbrikazzjoni tal-apparat.Id-deterjorazzjoni tal-karatteristika I-V waqt l-impjantazzjoni tal-protoni hija insinifikanti, speċjalment f'doża ta 'proton ta' 1012 cm-2, iżda l-effett tat-trażżin tal-espansjoni 1SSF huwa sinifikanti.Għalkemm f'dan l-istudju aħna ffabbrikajna dajowds PiN ta '10 µm ħxuna b'impjantazzjoni ta' protoni sa fond ta '10 µm, xorta huwa possibbli li jiġu ottimizzati aktar il-kundizzjonijiet ta' impjantazzjoni u japplikawhom biex jiffabbrikaw tipi oħra ta 'apparati 4H-SiC.Għandhom jiġu kkunsidrati spejjeż addizzjonali għall-fabbrikazzjoni tal-apparat waqt l-impjantazzjoni tal-protoni, iżda se jkunu simili għal dawk għall-impjantazzjoni tal-jone tal-aluminju, li huwa l-proċess ewlieni ta 'fabbrikazzjoni għal apparati tal-enerġija 4H-SiC.Għalhekk, l-impjantazzjoni tal-protoni qabel l-ipproċessar tal-apparat hija metodu potenzjali għall-fabbrikazzjoni ta 'apparati tal-enerġija bipolari 4H-SiC mingħajr deġenerazzjoni.
Bħala kampjun intużat wejfer 4H-SiC tat-tip n ta '4 pulzieri bi ħxuna ta' saff epitassjali ta '10 µm u konċentrazzjoni ta' doping tad-donaturi ta '1 × 1016 cm–3.Qabel l-ipproċessar tal-apparat, jonji H + ġew impjantati fil-pjanċa b'enerġija ta 'aċċelerazzjoni ta' 0.95 MeV f'temperatura tal-kamra sa fond ta 'madwar 10 μm f'angolu normali mal-wiċċ tal-pjanċa.Matul l-impjantazzjoni tal-protoni, intużat maskra fuq pjanċa, u l-pjanċa kellha sezzjonijiet mingħajr u b'doża ta 'proton ta' 1012, 1014, jew 1016 cm-2.Imbagħad, jonji Al b’dożi ta’ protoni ta’ 1020 u 1017 cm–3 ġew impjantati fuq il-wejfer kollu sa fond ta’ 0–0.2 µm u 0.2–0.5 µm mill-wiċċ, segwit minn ittemprar f’1600°C biex jiffurmaw għatu tal-karbonju biex forma ap saff.-tip.Sussegwentement, kuntatt tan-naħa ta 'wara Ni ġie depożitat fuq in-naħa tas-sottostrat, filwaqt li kuntatt tan-naħa ta' quddiem Ti/Al f'forma ta 'moxt ta' 2.0 mm × 2.0 mm iffurmat minn fotolitografija u proċess ta 'qoxra ġie depożitat fuq in-naħa tas-saff epitassjali.Fl-aħħarnett, ittemprar ta 'kuntatt isir f'temperatura ta' 700 °C.Wara li qatgħet il-wejfer f'ċipep, wettaqna karatterizzazzjoni u applikazzjoni tal-istress.
Il-karatteristiċi I-V tad-dijodi PiN fabbrikati ġew osservati bl-użu ta 'analizzatur tal-parametri tas-semikondutturi HP4155B.Bħala stress elettriku, ġie introdott kurrent pulsat ta '10 millisekonda ta' 212.5 A/cm2 għal sagħtejn bi frekwenza ta '10 impulsi/sec.Meta għażilna densità jew frekwenza ta 'kurrent aktar baxxa, ma osservajnax espansjoni ta' 1SSF anke f'dijodu PiN mingħajr injezzjoni ta 'protoni.Matul il-vultaġġ elettriku applikat, it-temperatura tad-dijodu PiN hija ta 'madwar 70 ° C mingħajr tisħin intenzjonat, kif muri fil-Figura S8.Immaġini elettroluminixxenti nkisbu qabel u wara stress elettriku f'densità ta 'kurrent ta' 25 A/cm2.Inċidenza tar-rigħi tar-riflessjoni tas-sinkrotron Topografija tar-raġġi-X bl-użu ta' raġġ tar-raġġi X monokromatiku (λ = 0.15 nm) fiċ-Ċentru tar-Radjazzjoni tas-Sinkrotron ta' Aichi, il-vettur ag f'BL8S2 huwa -1-128 jew 11-28 (ara ref. 44 għad-dettalji) .).
Il-frekwenza tal-vultaġġ f'densità ta 'kurrent 'il quddiem ta' 2.5 A/cm2 hija estratta b'intervall ta '0.5 V fil-fig.2 skond il-CVC ta 'kull stat tad-dijodu PiN.Mill-valur medju tal-istress Vave u d-devjazzjoni standard σ tal-istress, aħna nippjanaw kurva ta 'distribuzzjoni normali fil-forma ta' linja bit-tikek fil-Figura 2 billi tuża l-ekwazzjoni li ġejja:
Werner, MR & Fahrner, WR Reviżjoni dwar materjali, mikrosensuri, sistemi u tagħmir għal applikazzjonijiet ta 'temperatura għolja u ambjent ħarxa. Werner, MR & Fahrner, WR Reviżjoni dwar materjali, mikrosensuri, sistemi u tagħmir għal applikazzjonijiet ta 'temperatura għolja u ambjent ħarxa.Werner, MR u Farner, WR Ħarsa ġenerali ta 'materjali, mikrosensuri, sistemi u tagħmir għal applikazzjonijiet f'temperatura għolja u ambjenti ħarxa. Werner, MR & Fahrner, WR 对用于高温和恶劣环境应用的材料、微传感器、系统和设备的评评评 Werner, MR & Fahrner, WR Reviżjoni ta 'materjali, mikrosensuri, sistemi u tagħmir għal temperatura għolja u applikazzjonijiet ambjentali avversi.Werner, MR u Farner, WR Ħarsa ġenerali lejn materjali, mikrosensuri, sistemi u tagħmir għal applikazzjonijiet f'temperaturi għoljin u kundizzjonijiet ħorox.IEEE Trans.Elettronika industrijali.48, 249–257 (2001).
Kimoto, T. & Cooper, JA Fundamenti tat-Teknoloġija tal-Karbur tas-Silikon Fundamenti tat-Teknoloġija tal-Karbur tas-Silikon: Tkabbir, Karatterizzazzjoni, Apparati u Applikazzjonijiet Vol. Kimoto, T. & Cooper, JA Fundamenti tat-Teknoloġija tal-Karbur tas-Silikon Fundamenti tat-Teknoloġija tal-Karbur tas-Silikon: Tkabbir, Karatterizzazzjoni, Apparati u Applikazzjonijiet Vol.Kimoto, T. u Cooper, JA Bażi tat-Teknoloġija tal-Karbur tas-Silikon Bażi tat-Teknoloġija tal-Karbur tas-Silikon: Tkabbir, Karatteristiċi, Apparati u Applikazzjonijiet Vol. Kimoto, T. & Cooper, JA 碳化硅技术基础碳化硅技术基础：增长、表征、设备和应用卷。 Kimoto, T. & Cooper, JA Carbon化bażi tat-teknoloġija tas-silikon Bażi tat-teknoloġija tal-karbonju化silikon: tkabbir, deskrizzjoni, tagħmir u volum ta 'applikazzjoni.Kimoto, T. u Cooper, J. Bażi tat-Teknoloġija tal-Karbur tas-Silikon Bażi tat-Teknoloġija tal-Karbur tas-Silikon: Tkabbir, Karatteristiċi, Tagħmir u Applikazzjonijiet Vol.252 (Wiley Singapore Pte Ltd, 2014).
Veliadis, V. Kummerċjalizzazzjoni fuq Skala Kbira tas-SiC: Status Quo u Ostakli li jridu jingħelbu.alma mater.ix-xjenza.Forum 1062, 125–130 (2022).
Broughton, J., Smet, V., Tummala, RR & Joshi, YK Reviżjoni tat-teknoloġiji tal-ippakkjar termali għall-elettronika tal-enerġija tal-karozzi għal skopijiet ta 'trazzjoni. Broughton, J., Smet, V., Tummala, RR & Joshi, YK Reviżjoni tat-teknoloġiji tal-ippakkjar termali għall-elettronika tal-enerġija tal-karozzi għal skopijiet ta 'trazzjoni.Broughton, J., Smet, V., Tummala, RR u Joshi, YK Ħarsa ġenerali tat-teknoloġiji tal-ippakkjar termali għall-elettronika tal-enerġija tal-karozzi għal skopijiet ta 'trazzjoni. Broughton, J., Smet, V., Tummala, RR & Joshi, YK 用于牵引目的的汽车电力电子热封装技术的回顾。 Broughton, J., Smet, V., Tummala, RR & Joshi, YKBroughton, J., Smet, V., Tummala, RR u Joshi, YK Ħarsa ġenerali tat-teknoloġija tal-ippakkjar termali għall-elettronika tal-qawwa tal-karozzi għal skopijiet ta 'trazzjoni.J. Elettron.Pakkett.trance.ASME 140, 1-11 (2018).
Sato, K., Kato, H. & Fukushima, T. Żvilupp ta 'sistema ta' trazzjoni applikata SiC għal ferroviji ta 'veloċità għolja Shinkansen tal-ġenerazzjoni li jmiss. Sato, K., Kato, H. & Fukushima, T. Żvilupp ta 'sistema ta' trazzjoni applikata SiC għal ferroviji ta 'veloċità għolja Shinkansen tal-ġenerazzjoni li jmiss.Sato K., Kato H. u Fukushima T. Żvilupp ta 'sistema ta' trazzjoni SiC applikata għal ferroviji Shinkansen ta 'veloċità għolja tal-ġenerazzjoni li jmiss.Sato K., Kato H. u Fukushima T. Żvilupp tas-Sistema ta 'Trazzjoni għal Applikazzjonijiet SiC għal Ferroviji Shinkansen ta' Veloċità Għolja tal-Ġenerazzjoni li jmiss.Appendiċi IEEJ J. Ind. 9, 453–459 (2020).
Senzaki, J., Hayashi, S., Yonezawa, Y. & Okumura, H. Sfidi biex jiġu realizzati apparati ta 'enerġija SiC affidabbli ħafna: Mill-istatus attwali u l-kwistjonijiet ta' wejfers tas-SiC. Senzaki, J., Hayashi, S., Yonezawa, Y. & Okumura, H. Sfidi biex jiġu realizzati apparati ta 'enerġija SiC affidabbli ħafna: Mill-istatus attwali u l-kwistjonijiet ta' wejfers tas-SiC.Senzaki, J., Hayashi, S., Yonezawa, Y. u Okumura, H. Problemi fl-implimentazzjoni ta 'apparati ta' enerġija SiC affidabbli ħafna: li jibdew mill-istat attwali u l-problema ta 'wejfer SiC. Senzaki, J., Hayashi, S., Yonezawa, Y. & Okumura, H. 实现高可靠性SiC 功率器件的挑战：从SiC 晶圆的现状咘可靠性SiC Senzaki, J., Hayashi, S., Yonezawa, Y. & Okumura, H. L-isfida li tinkiseb affidabbiltà għolja f'apparati ta 'enerġija SiC: minn SiC 晶圆的电视和问题设计。Senzaki J, Hayashi S, Yonezawa Y. u Okumura H. Sfidi fl-iżvilupp ta 'apparati ta' enerġija ta 'affidabbiltà għolja bbażati fuq karbur tas-silikon: reviżjoni tal-istatus u problemi assoċjati mal-wejfers tal-karbur tas-silikon.Fis-Simpożju Internazzjonali tal-IEEE tal-2018 dwar il-Fiżika tal-Affidabbiltà (IRPS).(Senzaki, J. et al. eds.) 3B.3-1-3B.3-6 (IEEE, 2018).
Kim, D. & Sung, W. Improved short-circuit robustezza għal 1.2kV 4H-SiC MOSFET bl-użu ta 'P-well fil-fond implimentat permezz ta' channeling implantation. Kim, D. & Sung, W. Improved short-circuit robustezza għal 1.2kV 4H-SiC MOSFET bl-użu ta 'P-well fil-fond implimentat permezz ta' channeling implantation.Kim, D. u Sung, V. Improved short-circuit immunità għal 1.2 kV 4H-SiC MOSFET bl-użu ta 'P-well fil-fond implimentat bl-impjantazzjoni tal-kanal. Kim, D. & Sung, W. 使用通过沟道注入实现的深P 阱提高了1.2kV 4H-SiC MOSFET 的短路耐用性。 Kim, D. & Sung, W. P 阱提高了1.2kV 4H-SiC MOSFETKim, D. u Sung, V. Tolleranza mtejba ta 'short-circuit ta' 1.2 kV 4H-SiC MOSFETs li jużaw P-wells fil-fond permezz ta 'impjantazzjoni tal-kanali.Apparat Elettroniku IEEE Lett.42, 1822–1825 (2021).
Skowronski M. et al.Mozzjoni msaħħa bir-rikombinazzjoni ta 'difetti f'dijodi 4H-SiC pn biased 'il quddiem.J. Applikazzjoni.il-fiżika.92, 4699–4704 (2002).
Ha, S., Mieszkowski, P., Skowronski, M. & Rowland, LB Konverżjoni ta 'dislokazzjoni f'epitassija tal-karbur tas-silikon 4H. Ha, S., Mieszkowski, P., Skowronski, M. & Rowland, LB Konverżjoni ta 'dislokazzjoni f'epitassija tal-karbur tas-silikon 4H.Ha S., Meszkowski P., Skowronski M. u Rowland LB Trasformazzjoni ta 'dislokazzjoni matul epitassi tal-karbur tas-silikon 4H. Ha, S., Mieszkowski, P., Skowronski, M. & Rowland, LB 4H 碳化硅外延中的位错转换。 Ha, S., Mieszkowski, P., Skowronski, M. & Rowland, LB 4H Ha, S., Meszkowski, P., Skowronski, M. & Rowland, LBTransizzjoni ta 'dislokazzjoni 4H f'epitassija tal-karbur tas-silikon.J. Kristall.Tkabbir 244, 257–266 (2002).
Skowronski, M. & Ha, S. Degradazzjoni ta 'apparati bipolari eżagonali bbażati fuq karbur tas-silikon. Skowronski, M. & Ha, S. Degradazzjoni ta 'apparati bipolari eżagonali bbażati fuq karbur tas-silikon.Skowronski M. u Ha S. Degradazzjoni ta 'apparati bipolari eżagonali bbażati fuq karbur tas-silikon. Skowronski, M. & Ha, S. 六方碳化硅基双极器件的降解。 Skowronski M. & Ha S.Skowronski M. u Ha S. Degradazzjoni ta 'apparati bipolari eżagonali bbażati fuq karbur tas-silikon.J. Applikazzjoni.fiżika 99, 011101 (2006).
Agarwal, A., Fatima, H., Haney, S. & Ryu, S.-H. Agarwal, A., Fatima, H., Haney, S. & Ryu, S.-H.Agarwal A., Fatima H., Heini S. u Ryu S.-H. Agarwal, A., Fatima, H., Haney, S. & Ryu, S.-H. Agarwal, A., Fatima, H., Haney, S. & Ryu, S.-H.Agarwal A., Fatima H., Heini S. u Ryu S.-H.Mekkaniżmu ġdid ta 'degradazzjoni għal MOSFETs ta' enerġija SiC ta 'vultaġġ għoli.Apparat Elettroniku IEEE Lett.28, 587–589 (2007).
Caldwell, JD, Stahlbush, RE, Ancona, MG, Glembocki, OJ & Hobart, KD Dwar il-forza li tmexxi għal mozzjoni ta 'ħsara ta' stacking indotta mir-rikombinazzjoni f'4H–SiC. Caldwell, JD, Stahlbush, RE, Ancona, MG, Glembocki, OJ & Hobart, KD Dwar il-forza li tmexxi għal mozzjoni ta 'ħsara ta' stacking indotta mir-rikombinazzjoni f'4H-SiC.Caldwell, JD, Stalbush, RE, Ancona, MG, Glemboki, OJ, u Hobart, KD Fuq il-forza li tmexxi l-moviment tal-ħsara tal-istivar indott mir-rikombinazzjoni f'4H-SiC. Caldwell, JD, Stahlbush, RE, Ancona, MG, Glembocki, OJ & Hobart, KD 关于4H-SiC 中复合引起的层错运动的驱动力。 Caldwell, JD, Stahlbush, RE, Ancona, MG, Glembocki, OJ & Hobart, KDCaldwell, JD, Stalbush, RE, Ancona, MG, Glemboki, OJ, u Hobart, KD, Fuq il-forza li tmexxi l-moviment tal-ħsara tal-istivar indott mir-rikombinazzjoni f'4H-SiC.J. Applikazzjoni.il-fiżika.108, 044503 (2010).
Iijima, A. & Kimoto, T. Mudell ta 'enerġija elettronika għal formazzjoni waħda ta' difetti ta 'stivar Shockley fi kristalli 4H-SiC. Iijima, A. & Kimoto, T. Mudell ta 'enerġija elettronika għal formazzjoni waħda ta' difetti ta 'stivar Shockley fi kristalli 4H-SiC.Iijima, A. u Kimoto, T. Mudell ta 'l-elettron-enerġija tal-formazzjoni ta' difetti singoli ta 'ppakkjar Shockley fi kristalli 4H-SiC. Iijima, A. & Kimoto, T. 4H-SiC 晶体中单Shockley 堆垛层错形成的电子能量模型。 Iijima, A. & Kimoto, T. Mudell ta 'enerġija elettronika ta' formazzjoni ta 'ħsara ta' stacking Shockley waħda fil-kristall 4H-SiC.Iijima, A. u Kimoto, T. Mudell ta 'l-elettron-enerġija tal-formazzjoni ta' difett wieħed Shockley pakkjar fi kristalli 4H-SiC.J. Applikazzjoni.fiżika 126, 105703 (2019).
Iijima, A. & Kimoto, T. Stima tal-kundizzjoni kritika għall-espansjoni/kontrazzjoni ta 'ħsarat waħdieni ta' stivar Shockley f'dijodi PiN 4H-SiC. Iijima, A. & Kimoto, T. Stima tal-kundizzjoni kritika għall-espansjoni/kontrazzjoni ta 'ħsarat waħdieni ta' stivar Shockley f'dijodi PiN 4H-SiC.Iijima, A. u Kimoto, T. Stima ta 'l-istat kritiku għall-espansjoni/kompressjoni ta' difetti singoli ta 'ppakkjar Shockley f'4H-SiC PiN-diodes. Iijima, A. & Kimoto, T. 估计4H-SiC PiN 二极管中单个Shockley 堆垛层错膨胀/收缩的临界条件。 Iijima, A. & Kimoto, T. Stima ta 'kundizzjonijiet ta' espansjoni/kontrazzjoni ta 'saff ta' stivar Shockley wieħed f'dijodi PiN 4H-SiC.Iijima, A. u Kimoto, T. Stima tal-kundizzjonijiet kritiċi għall-espansjoni/kompressjoni tal-ippakkjar b'difett wieħed Shockley f'4H-SiC PiN-diodes.applikazzjoni fiżika Wright.116, 092105 (2020).
Mannen, Y., Shimada, K., Asada, K. & Ohtani, N. Mudell ta 'azzjoni tal-bir Quantum għall-formazzjoni ta' ħsara waħda ta 'stivar Shockley fi kristall 4H-SiC taħt kundizzjonijiet ta' mhux ekwilibriju. Mannen, Y., Shimada, K., Asada, K. & Ohtani, N. Mudell ta 'azzjoni tal-bir Quantum għall-formazzjoni ta' ħsara waħda ta 'stivar Shockley fi kristall 4H-SiC taħt kundizzjonijiet ta' mhux ekwilibriju.Mannen Y., Shimada K., Asada K., u Otani N. Mudell ta 'bir quantum għall-formazzjoni ta' ħsara waħda ta 'stivar Shockley fi kristall 4H-SiC taħt kundizzjonijiet ta' nonequilibrium.Mannen Y., Shimada K., Asada K. u Otani N. Mudell ta 'interazzjoni tal-bir Quantum għall-formazzjoni ta' ħsarat waħdieni ta 'stivar Shockley fi kristalli 4H-SiC taħt kundizzjonijiet ta' nonequilibrium.J. Applikazzjoni.il-fiżika.125, 085705 (2019).
Galeckas, A., Linnros, J. & Pirouz, P. Difetti ta 'stacking indotti mir-rikombinazzjoni: Evidenza għal mekkaniżmu ġenerali f'SiC eżagonali. Galeckas, A., Linnros, J. & Pirouz, P. Difetti ta 'stacking indotti mir-rikombinazzjoni: Evidenza għal mekkaniżmu ġenerali f'SiC eżagonali.Galeckas, A., Linnros, J. u Pirouz, P. Difetti tal-Ippakkjar Indotti mir-rikombinazzjoni: Evidenza għal Mekkaniżmu Komuni f'SiC eżagonali. Galeckas, A., Linnros, J. & Pirouz, P. 复合诱导的堆垛层错：六方SiC 中一般机制的证据。 Galeckas, A., Linnros, J. & Pirouz, P. Evidenza għall-mekkaniżmu ġenerali ta 'saff ta' stivar ta 'induzzjoni kompost: 六方SiC.Galeckas, A., Linnros, J. u Pirouz, P. Difetti tal-Ippakkjar Indotti mir-rikombinazzjoni: Evidenza għal Mekkaniżmu Komuni f'SiC eżagonali.fiżika Pastor Wright.96, 025502 (2006).
Ishikawa, Y., Sudo, M., Yao, Y.-Z., Sugawara, Y. & Kato, M. Espansjoni ta' difett wieħed ta' stivar Shockley f'saff epitassjali 4H-SiC (11 2 ¯0) ikkawżat minn elettron irradjazzjoni tar-raġġ.Ishikawa, Y., M. Sudo, Y.-Z irradjazzjoni tar-raġġ.Ishikawa, Y., Sudo M., Y.-Z Psikoloġija.Kaxxa, Ю., М.Судо, Y.-Z Chem., J. Chem., 123, 225101 (2018).
Kato, M., Katahira, S., Ichikawa, Y., Harada, S. & Kimoto, T. Osservazzjoni ta 'rikombinazzjoni ta' trasportatur f'ħsarat waħdieni ta 'stivar ta' Shockley u f'dislokazzjonijiet parzjali f'4H-SiC. Kato, M., Katahira, S., Ichikawa, Y., Harada, S. & Kimoto, T. Osservazzjoni ta 'rikombinazzjoni ta' trasportatur f'ħsarat waħdieni ta 'stivar ta' Shockley u f'dislokazzjonijiet parzjali f'4H-SiC.Kato M., Katahira S., Itikawa Y., Harada S. u Kimoto T. Osservazzjoni ta 'Rikombinazzjoni ta' Carrier f'Difetti Uniċi ta 'Ippakkjar Shockley u Dislokazzjonijiet Parzjali f'4H-SiC. Kato, M., Katahira, S., Ichikawa, Y., Harada, S. & Kimoto, T. 单Shockley 堆垛层错和4H-SiC 部分位错中载流子复合的肈的。 Kato, M., Katahira, S., Ichikawa, Y., Harada, S. & Kimoto, T. 单Shockley stacking stacking和4H-SiC parzjali 位错中载流子去生的可以。Kato M., Katahira S., Itikawa Y., Harada S. u Kimoto T. Osservazzjoni ta 'Rikombinazzjoni ta' Carrier f'Difetti Uniċi ta 'Ippakkjar Shockley u Dislokazzjonijiet Parzjali f'4H-SiC.J. Applikazzjoni.fiżika 124, 095702 (2018).
Kimoto, T. & Watanabe, H. Inġinerija ta 'difetti fit-teknoloġija SiC għal apparati ta' enerġija ta 'vultaġġ għoli. Kimoto, T. & Watanabe, H. Inġinerija ta 'difetti fit-teknoloġija SiC għal apparati ta' enerġija ta 'vultaġġ għoli.Kimoto, T. u Watanabe, H. Żvilupp ta 'difetti fit-teknoloġija SiC għal apparati ta' enerġija b'vultaġġ għoli. Kimoto, T. & Watanabe, H. 用于高压功率器件的SiC 技术中的缺陷工程。 Kimoto, T. & Watanabe, H. Inġinerija ta 'difetti fit-teknoloġija SiC għal apparati ta' enerġija ta 'vultaġġ għoli.Kimoto, T. u Watanabe, H. Żvilupp ta 'difetti fit-teknoloġija SiC għal apparati ta' enerġija b'vultaġġ għoli.applikazzjoni fiżika Express 13, 120101 (2020).
Zhang, Z. & Sudarshan, TS Epitassija mingħajr dislokazzjoni tal-pjan bażali tal-karbur tas-silikon. Zhang, Z. & Sudarshan, TS Epitassija mingħajr dislokazzjoni tal-pjan bażali tal-karbur tas-silikon.Zhang Z. u Sudarshan TS epitassija mingħajr dislokazzjoni tal-karbur tas-silikon fil-pjan bażali. Zhang, Z. & Sudarshan, TS 碳化硅基面无位错外延。 Zhang, Z. & Sudarshan, TSZhang Z. u Sudarshan TS epitassija mingħajr dislokazzjoni tal-pjani bażali tal-karbur tas-silikon.dikjarazzjoni.il-fiżika.Wright.87, 151913 (2005).
Zhang, Z., Moulton, E. & Sudarshan, TS Mekkaniżmu ta 'eliminazzjoni ta' dislokazzjonijiet tal-pjan bażali f'films irqaq SiC permezz ta 'epitassija fuq sottostrat inċiż. Zhang, Z., Moulton, E. & Sudarshan, TS Mekkaniżmu ta 'eliminazzjoni ta' dislokazzjonijiet tal-pjan bażali f'films irqaq SiC permezz ta 'epitassija fuq sottostrat inċiż.Zhang Z., Moulton E. u Sudarshan TS Mekkaniżmu ta 'eliminazzjoni ta' dislokazzjonijiet tal-pjan bażi f'films irqaq SiC permezz ta 'epitassija fuq sottostrat inċiż. Zhang, Z., Moulton, E. & Sudarshan, TS 通过在蚀刻衬底上外延消除SiC 薄膜中基面位错的机制。 Zhang, Z., Moulton, E. & Sudarshan, TS Il-mekkaniżmu ta 'eliminazzjoni ta' film irqiq SiC bl-inċiżjoni tas-sottostrat.Zhang Z., Moulton E. u Sudarshan TS Mekkaniżmu ta 'eliminazzjoni ta' dislokazzjonijiet tal-pjan bażi f'films irqaq SiC permezz ta 'epitassija fuq sottostrati nċiżi.applikazzjoni fiżika Wright.89, 081910 (2006).
Shtalbush RE et al.L-interruzzjoni tat-tkabbir twassal għal tnaqqis fid-dislokazzjonijiet tal-pjan bażali matul l-epitassija 4H-SiC.dikjarazzjoni.il-fiżika.Wright.94, 041916 (2009).
Zhang, X. & Tsuchida, H. Konverżjoni ta 'dislokazzjonijiet tal-pjan bażali għal dislokazzjonijiet tat-tarf tal-kamin f'saffi 4H-SiC permezz ta' ttemprar b'temperatura għolja. Zhang, X. & Tsuchida, H. Konverżjoni ta 'dislokazzjonijiet tal-pjan bażali għal dislokazzjonijiet tat-tarf tal-kamin f'saffi 4H-SiC permezz ta' ttemprar b'temperatura għolja.Zhang, X. u Tsuchida, H. Trasformazzjoni ta 'dislokazzjonijiet tal-pjan bażali f'dislokazzjonijiet tat-tarf tal-kamin f'saffi epitassjali 4H-SiC permezz ta' ttemprar b'temperatura għolja. Zhang, X. & Tsuchida, H. 通过高温退火将4H-SiC 外延层中的基面位错转化为螺纹刃位错。 Zhang, X. & Tsuchida, H. 通过高温退火将4H-SiCZhang, X. u Tsuchida, H. Trasformazzjoni ta 'dislokazzjonijiet tal-pjan bażi f'dislokazzjonijiet tat-tarf tal-filament f'saffi epitassjali 4H-SiC permezz ta' ttemprar b'temperatura għolja.J. Applikazzjoni.il-fiżika.111, 123512 (2012).
Kanzunetta, H. & Sudarshan, TS Konverżjoni ta 'dislokazzjoni tal-pjan bażali ħdejn l-interface ta' epilayer/sottostrat fi tkabbir epitassjali ta '4° off-axis 4H–SiC. Kanzunetta, H. & Sudarshan, TS Konverżjoni ta 'dislokazzjoni tal-pjan bażali ħdejn l-interface ta' epilayer/sottostrat fi tkabbir epitassjali ta '4° off-axis 4H–SiC.Kanzunetta, H. u Sudarshan, TS Trasformazzjoni ta 'dislokazzjonijiet tal-pjan bażali ħdejn is-saff epitassjali / interface tas-sottostrat waqt tkabbir epitassjali barra l-assi ta' 4H-SiC. Song, H. & Sudarshan, TS 在4° 离轴4H-SiC 外延生长中外延层/衬底界面附近的基底平面位错轀位错轀 Kanzunetta, H. & Sudarshan, TS 在4° 离轴4H-SiC Kanzunetta, H. & Sudarshan, TSTransizzjoni ta 'dislokazzjoni planari tas-sottostrat ħdejn is-saff epitassjali/konfini tas-sottostrat waqt it-tkabbir epitassjali ta' 4H-SiC barra l-assi 4°.J. Kristall.Tkabbir 371, 94–101 (2013).
Konishi, K. et al.F'kurrent għoli, il-propagazzjoni tal-ħsara tal-istivar tad-dislokazzjoni tal-pjan bażali f'saffi epitassjali 4H-SiC tittrasforma f'dislokazzjonijiet tat-tarf tal-filament.J. Applikazzjoni.il-fiżika.114, 014504 (2013).
Konishi, K. et al.Iddisinja saffi epitassjali għal MOSFETs SiC bipolari mhux degradabbli billi tiskopri siti ta 'nukleazzjoni ta' difetti ta 'stacking estiżi f'analiżi topografika operattiva tar-raġġi X.AIP Avvanzat 12, 035310 (2022).
Lin, S. et al.Influwenza ta 'l-istruttura ta' dislokazzjoni tal-pjan bażali fuq il-propagazzjoni ta 'ħsara waħda ta' stivar tat-tip Shockley waqt it-tħassir tal-kurrent 'il quddiem ta' dajowds tal-pin 4H-SiC.Ġappun.J. Applikazzjoni.il-fiżika.57, 04FR07 (2018).
Tahara, T., et al.Il-ħajja qasira tat-trasportatur minoritarju f'epilayers 4H-SiC b'ħafna nitroġenu tintuża biex irażżan il-ħsarat tal-istivar fid-dijodi PiN.J. Applikazzjoni.il-fiżika.120, 115101 (2016).
Tahara, T. et al.Dipendenza tal-konċentrazzjoni tat-trasportatur injettat ta 'propagazzjoni waħda ta' difetti ta 'stivar ta' Shockley f'dijodi PiN 4H-SiC.J. Applikazzjoni.Fiżika 123, 025707 (2018).
Mae, S., Tawara, T., Tsuchida, H. & Kato, M. Sistema mikroskopika FCA għall-kejl tal-ħajja tat-trasportatur riżolt fil-fond fis-SiC. Mae, S., Tawara, T., Tsuchida, H. & Kato, M. Sistema mikroskopika FCA għall-kejl tal-ħajja tat-trasportatur riżolt fil-fond fis-SiC.Mei, S., Tawara, T., Tsuchida, H. u Kato, M. Sistema Mikroskopika FCA għal Kejl tal-Ħajja tat-Trasportatur Riżolt fil-Fond fis-Silikon Carbide. Mae, S.、Tawara, T.、Tsuchida, H. & Kato, M. 用于SiC 中深度分辨载流子寿命测量的显微FCA 系统。 Mae, S.、Tawara, T.、Tsuchida, H. & Kato, M. Għal SiC ta' fond medju 分辨载流子kejl tal-ħajja的月微FCA system。Mei S., Tawara T., Tsuchida H. u Kato M. Sistema mikro-FCA għal kejl tal-ħajja tat-trasportatur riżolt fil-fond fil-karbur tas-silikon.alma mater science Forum 924, 269–272 (2018).
Hirayama, T. et al.Id-distribuzzjoni tal-fond tal-ħajja tat-trasportatur f'saffi epitassjali ħoxnin 4H-SiC ġiet imkejla b'mod mhux distruttiv bl-użu tar-riżoluzzjoni tal-ħin ta 'assorbiment ta' trasportatur ħieles u dawl qasmu.Aqleb għax-xjenza.metru.91, 123902 (2020).
Ħin tal-post: Nov-06-2022