Σας ευχαριστούμε που επισκεφτήκατε το Nature.com.Η έκδοση του προγράμματος περιήγησης που χρησιμοποιείτε έχει περιορισμένη υποστήριξη CSS.Για την καλύτερη εμπειρία, συνιστούμε να χρησιμοποιήσετε ένα ενημερωμένο πρόγραμμα περιήγησης (ή να απενεργοποιήσετε τη λειτουργία συμβατότητας στον Internet Explorer).Στο μεταξύ, για να διασφαλίσουμε τη συνεχή υποστήριξη, θα αποδώσουμε τον ιστότοπο χωρίς στυλ και JavaScript.
Το 4H-SiC έχει διατεθεί στο εμπόριο ως υλικό για συσκευές ημιαγωγών ισχύος.Ωστόσο, η μακροπρόθεσμη αξιοπιστία των συσκευών 4H-SiC αποτελεί εμπόδιο στην ευρεία εφαρμογή τους και το σημαντικότερο πρόβλημα αξιοπιστίας των συσκευών 4H-SiC είναι η διπολική υποβάθμιση.Αυτή η υποβάθμιση προκαλείται από τη διάδοση ενός απλού ρήγματος στοίβαξης Shockley (1SSF) των εξαρθρώσεων του βασικού επιπέδου σε κρυστάλλους 4H-SiC.Εδώ, προτείνουμε μια μέθοδο για την καταστολή της διαστολής 1SSF με εμφύτευση πρωτονίων σε επιταξιακές γκοφρέτες 4H-SiC.Οι δίοδοι PinN που κατασκευάστηκαν σε γκοφρέτες με εμφύτευση πρωτονίου έδειξαν τα ίδια χαρακτηριστικά ρεύματος-τάσης με τις δίοδοι χωρίς εμφύτευση πρωτονίου.Αντίθετα, η επέκταση 1SSF καταστέλλεται αποτελεσματικά στην εμφυτευμένη με πρωτόνιο δίοδο PinN.Έτσι, η εμφύτευση πρωτονίων σε επιταξιακές γκοφρέτες 4H-SiC είναι μια αποτελεσματική μέθοδος για την καταστολή της διπολικής υποβάθμισης των συσκευών ημιαγωγών ισχύος 4H-SiC διατηρώντας παράλληλα την απόδοση της συσκευής.Αυτό το αποτέλεσμα συμβάλλει στην ανάπτυξη εξαιρετικά αξιόπιστων συσκευών 4H-SiC.
Το καρβίδιο του πυριτίου (SiC) αναγνωρίζεται ευρέως ως υλικό ημιαγωγών για συσκευές ημιαγωγών υψηλής ισχύος και υψηλής συχνότητας που μπορούν να λειτουργήσουν σε σκληρά περιβάλλοντα1.Υπάρχουν πολλοί πολυτύποι SiC, μεταξύ των οποίων το 4H-SiC έχει εξαιρετικές φυσικές ιδιότητες συσκευής ημιαγωγών, όπως υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων και ισχυρό ηλεκτρικό πεδίο διάσπασης2.Οι γκοφρέτες 4H-SiC με διάμετρο 6 ιντσών διατίθενται σήμερα στο εμπόριο και χρησιμοποιούνται για μαζική παραγωγή συσκευών ημιαγωγών ισχύος3.Τα συστήματα έλξης για ηλεκτρικά οχήματα και τρένα κατασκευάστηκαν χρησιμοποιώντας συσκευές ημιαγωγών ισχύος 4H-SiC4.5.Ωστόσο, οι συσκευές 4H-SiC εξακολουθούν να υποφέρουν από μακροπρόθεσμα ζητήματα αξιοπιστίας, όπως η διηλεκτρική βλάβη ή η αξιοπιστία βραχυκυκλώματος,6,7 εκ των οποίων ένα από τα πιο σημαντικά ζητήματα αξιοπιστίας είναι η διπολική υποβάθμιση2,8,9,10,11.Αυτή η διπολική υποβάθμιση ανακαλύφθηκε πριν από περισσότερα από 20 χρόνια και αποτελεί εδώ και καιρό πρόβλημα στην κατασκευή συσκευών SiC.
Η διπολική υποβάθμιση προκαλείται από ένα μόνο ελάττωμα στοίβας Shockley (1SSF) σε κρυστάλλους 4H-SiC με εξαρθρήματα βασικού επιπέδου (BPDs) που διαδίδονται με ολίσθηση ενισχυμένης εξάρθρωσης ανασυνδυασμού (REDG) 12,13,14,15,16,17,18,19.Επομένως, εάν η επέκταση BPD κατασταλεί σε 1SSF, οι συσκευές ισχύος 4H-SiC μπορούν να κατασκευαστούν χωρίς διπολική υποβάθμιση.Έχουν αναφερθεί αρκετές μέθοδοι για την καταστολή της διάδοσης του BPD, όπως ο μετασχηματισμός BPD σε εξάρθρωση άκρων νήματος (TED) 20,21,22,23,24.Στις πιο πρόσφατες επιταξιακές γκοφρέτες SiC, η BPD είναι κυρίως παρούσα στο υπόστρωμα και όχι στην επιταξιακή στιβάδα λόγω της μετατροπής της BPD σε TED κατά το αρχικό στάδιο της επιταξιακής ανάπτυξης.Επομένως, το εναπομείναν πρόβλημα της διπολικής αποικοδόμησης είναι η κατανομή της BPD στο υπόστρωμα 25,26,27.Η εισαγωγή ενός "σύνθετου ενισχυτικού στρώματος" μεταξύ του στρώματος μετατόπισης και του υποστρώματος έχει προταθεί ως αποτελεσματική μέθοδος για την καταστολή της διαστολής BPD στο υπόστρωμα28, 29, 30, 31. Αυτό το στρώμα αυξάνει την πιθανότητα ανασυνδυασμού ζεύγους ηλεκτρονίων-οπών στο επιταξιακό στρώμα και υπόστρωμα SiC.Η μείωση του αριθμού των ζευγών ηλεκτρονίων-οπών μειώνει την κινητήρια δύναμη του REDG σε BPD στο υπόστρωμα, έτσι το σύνθετο στρώμα ενίσχυσης μπορεί να καταστείλει τη διπολική υποβάθμιση.Θα πρέπει να σημειωθεί ότι η εισαγωγή ενός στρώματος συνεπάγεται πρόσθετο κόστος στην παραγωγή γκοφρετών, και χωρίς την εισαγωγή ενός στρώματος είναι δύσκολο να μειωθεί ο αριθμός των ζευγών ηλεκτρονίων-οπών ελέγχοντας μόνο τον έλεγχο της διάρκειας ζωής του φορέα.Επομένως, εξακολουθεί να υπάρχει έντονη ανάγκη ανάπτυξης άλλων μεθόδων καταστολής για να επιτευχθεί καλύτερη ισορροπία μεταξύ του κόστους κατασκευής της συσκευής και της απόδοσης.
Επειδή η επέκταση του BPD στο 1SSF απαιτεί μετακίνηση μερικών εξαρθρώσεων (PDs), η στερέωση του PD είναι μια πολλά υποσχόμενη προσέγγιση για την αναστολή της διπολικής υποβάθμισης.Αν και έχει αναφερθεί καρφίτσωμα PD από ακαθαρσίες μετάλλων, τα FPD σε υποστρώματα 4H-SiC βρίσκονται σε απόσταση μεγαλύτερη από 5 μm από την επιφάνεια του επιταξιακού στρώματος.Επιπλέον, δεδομένου ότι ο συντελεστής διάχυσης οποιουδήποτε μετάλλου σε SiC είναι πολύ μικρός, είναι δύσκολο για τις ακαθαρσίες μετάλλων να διαχέονται στο υπόστρωμα34.Λόγω της σχετικά μεγάλης ατομικής μάζας των μετάλλων, η εμφύτευση ιόντων των μετάλλων είναι επίσης δύσκολη.Αντίθετα, στην περίπτωση του υδρογόνου, το ελαφρύτερο στοιχείο, τα ιόντα (πρωτόνια) μπορούν να εμφυτευθούν σε 4H-SiC σε βάθος μεγαλύτερο από 10 μm χρησιμοποιώντας έναν επιταχυντή κατηγορίας MeV.Επομένως, εάν η εμφύτευση πρωτονίων επηρεάζει το καρφίτσωμα PD, τότε μπορεί να χρησιμοποιηθεί για την καταστολή της διάδοσης του BPD στο υπόστρωμα.Ωστόσο, η εμφύτευση πρωτονίων μπορεί να βλάψει το 4H-SiC και να οδηγήσει σε μειωμένη απόδοση της συσκευής37,38,39,40.
Για να ξεπεραστεί η υποβάθμιση της συσκευής λόγω εμφύτευσης πρωτονίων, χρησιμοποιείται ανόπτηση σε υψηλή θερμοκρασία για την επιδιόρθωση ζημιών, παρόμοια με τη μέθοδο ανόπτησης που χρησιμοποιείται συνήθως μετά την εμφύτευση ιόντων δέκτη στην επεξεργασία της συσκευής1, 40, 41, 42. Αν και η φασματομετρία μάζας δευτερογενούς ιόντος (SIMS)43 έχει ανέφερε διάχυση υδρογόνου λόγω ανόπτησης σε υψηλή θερμοκρασία, είναι πιθανό ότι μόνο η πυκνότητα των ατόμων υδρογόνου κοντά στο FD δεν είναι αρκετή για να ανιχνεύσει το κάρφωμα του PR χρησιμοποιώντας SIMS.Ως εκ τούτου, σε αυτή τη μελέτη, εμφυτεύσαμε πρωτόνια σε επιταξιακές γκοφρέτες 4H-SiC πριν από τη διαδικασία κατασκευής της συσκευής, συμπεριλαμβανομένης της ανόπτησης σε υψηλή θερμοκρασία.Χρησιμοποιήσαμε διόδους PiN ως πειραματικές δομές συσκευών και τις κατασκευάσαμε σε επιταξιακές γκοφρέτες 4H-SiC εμφυτευμένες με πρωτόνιο.Στη συνέχεια, παρατηρήσαμε τα χαρακτηριστικά βολτ-αμπέρ για να μελετήσουμε την υποβάθμιση της απόδοσης της συσκευής λόγω της έγχυσης πρωτονίου.Στη συνέχεια, παρατηρήσαμε την επέκταση του 1SSF σε εικόνες ηλεκτροφωταύγειας (EL) μετά την εφαρμογή ηλεκτρικής τάσης στη δίοδο PiN.Τέλος, επιβεβαιώσαμε την επίδραση της έγχυσης πρωτονίων στην καταστολή της διαστολής 1SSF.
Στο σχ.Το σχήμα 1 δείχνει τα χαρακτηριστικά ρεύματος-τάσης (CVC) των διόδων PiN σε θερμοκρασία δωματίου σε περιοχές με και χωρίς εμφύτευση πρωτονίου πριν από το παλμικό ρεύμα.Οι δίοδοι PinN με έγχυση πρωτονίου παρουσιάζουν χαρακτηριστικά ανόρθωσης παρόμοια με τις δίοδοι χωρίς έγχυση πρωτονίου, παρόλο που τα χαρακτηριστικά IV είναι κοινά μεταξύ των διόδων.Για να υποδείξουμε τη διαφορά μεταξύ των συνθηκών έγχυσης, σχεδιάσαμε τη συχνότητα τάσης με πυκνότητα προς τα εμπρός ρεύματος 2,5 A/cm2 (που αντιστοιχεί σε 100 mA) ως στατιστική γραφική παράσταση όπως φαίνεται στο Σχήμα 2. Η καμπύλη που προσεγγίζεται από μια κανονική κατανομή απεικονίζεται επίσης από μια διακεκομμένη γραμμή.γραμμή.Όπως μπορεί να φανεί από τις κορυφές των καμπυλών, η αντίσταση κατά την άνοδο αυξάνεται ελαφρώς σε δόσεις πρωτονίων 1014 και 1016 cm-2, ενώ η δίοδος Pin με δόση πρωτονίου 1012 cm-2 παρουσιάζει σχεδόν τα ίδια χαρακτηριστικά με αυτά χωρίς εμφύτευση πρωτονίου .Πραγματοποιήσαμε επίσης εμφύτευση πρωτονίων μετά την κατασκευή διόδων PiN που δεν εμφάνισαν ομοιόμορφη ηλεκτροφωταύγεια λόγω βλάβης που προκλήθηκε από την εμφύτευση πρωτονίων όπως φαίνεται στο Σχήμα S1 όπως περιγράφεται σε προηγούμενες μελέτες37,38,39.Επομένως, η ανόπτηση στους 1600 °C μετά την εμφύτευση ιόντων Al είναι μια απαραίτητη διαδικασία για την κατασκευή συσκευών για την ενεργοποίηση του δέκτη Al, ο οποίος μπορεί να επιδιορθώσει τη ζημιά που προκαλείται από την εμφύτευση πρωτονίων, γεγονός που καθιστά τα CVCs ίδια μεταξύ των εμφυτευμένων και μη εμφυτευμένων διόδων πρωτονίου PinN .Η συχνότητα αντίστροφου ρεύματος στα -5 V παρουσιάζεται επίσης στο Σχήμα S2, δεν υπάρχει σημαντική διαφορά μεταξύ διόδων με και χωρίς έγχυση πρωτονίου.
Χαρακτηριστικά Volt-ampere των διόδων PiN με και χωρίς έγχυση πρωτονίων σε θερμοκρασία δωματίου.Ο μύθος υποδεικνύει τη δόση των πρωτονίων.
Συχνότητα τάσης σε συνεχές ρεύμα 2,5 A/cm2 για διόδους PiN με πρωτόνια με έγχυση και μη.Η διακεκομμένη γραμμή αντιστοιχεί στην κανονική κατανομή.
Στο σχ.Το σχήμα 3 δείχνει μια εικόνα EL μιας διόδου PinN με πυκνότητα ρεύματος 25 A/cm2 μετά την τάση.Πριν από την εφαρμογή του φορτίου παλμικού ρεύματος, οι σκοτεινές περιοχές της διόδου δεν παρατηρήθηκαν, όπως φαίνεται στο Σχήμα 3. C2.Ωστόσο, όπως φαίνεται στο σχ.3α, σε μια δίοδο PiN χωρίς εμφύτευση πρωτονίου, παρατηρήθηκαν αρκετές σκοτεινές ριγέ περιοχές με ανοιχτόχρωμα άκρα μετά την εφαρμογή ηλεκτρικής τάσης.Τέτοιες σκοτεινές περιοχές σε σχήμα ράβδου παρατηρούνται σε εικόνες EL για 1SSF που εκτείνονται από το BPD στο υπόστρωμα28,29.Αντίθετα, ορισμένα εκτεταμένα σφάλματα στοίβαξης παρατηρήθηκαν σε διόδους PiN με εμφυτευμένα πρωτόνια, όπως φαίνεται στο Σχ. 3b–d.Χρησιμοποιώντας τοπογραφία ακτίνων Χ, επιβεβαιώσαμε την παρουσία PR που μπορούν να μετακινηθούν από το BPD στο υπόστρωμα στην περιφέρεια των επαφών στη δίοδο PiN χωρίς έγχυση πρωτονίου (Εικ. 4: αυτή η εικόνα χωρίς αφαίρεση του επάνω ηλεκτροδίου (φωτογραφία, PR κάτω από τα ηλεκτρόδια δεν είναι ορατή). Επομένως, η σκοτεινή περιοχή στην εικόνα EL αντιστοιχεί σε μια εκτεταμένη 1SSF BPD στο υπόστρωμα. Οι εικόνες EL άλλων φορτωμένων διόδων PiN φαίνονται στα Σχήματα 1 και 2. Βίντεο S3-S6 με και χωρίς επέκταση σκοτεινές περιοχές (εικόνες EL που μεταβάλλονται χρονικά με διόδους PiN χωρίς έγχυση πρωτονίου και εμφυτευμένες στα 1014 cm-2) εμφανίζονται επίσης στις Συμπληρωματικές Πληροφορίες .
Εικόνες EL διόδων PiN στα 25 A/cm2 μετά από 2 ώρες ηλεκτρικής καταπόνησης (α) χωρίς εμφύτευση πρωτονίου και με εμφυτευμένες δόσεις (β) 1012 cm-2, (γ) 1014 cm-2 και (δ) 1016 cm-2 πρωτόνια.
Υπολογίσαμε την πυκνότητα του διογκωμένου 1SSF υπολογίζοντας τις σκοτεινές περιοχές με φωτεινές άκρες σε τρεις διόδους PinN για κάθε συνθήκη, όπως φαίνεται στο Σχήμα 5. Η πυκνότητα του διευρυμένου 1SSF μειώνεται με την αύξηση της δόσης πρωτονίου και ακόμη και σε δόση 1012 cm-2, η πυκνότητα του διογκωμένου 1SSF είναι σημαντικά χαμηλότερη από ό,τι σε μια μη εμφυτευμένη δίοδο PinN.
Αυξημένες πυκνότητες διόδων SF PiN με και χωρίς εμφύτευση πρωτονίου μετά τη φόρτωση με παλμικό ρεύμα (κάθε κατάσταση περιλάμβανε τρεις φορτωμένες διόδους).
Η συντόμευση της διάρκειας ζωής του φορέα επηρεάζει επίσης την καταστολή της διαστολής και η έγχυση πρωτονίου μειώνει τη διάρκεια ζωής του φορέα32,36.Έχουμε παρατηρήσει χρόνους ζωής φορέα σε ένα επιταξιακό στρώμα πάχους 60 μm με εγχυμένα πρωτόνια 1014 cm-2.Από την αρχική διάρκεια ζωής του φορέα, αν και το εμφύτευμα μειώνει την τιμή στο ~10%, η επακόλουθη ανόπτηση την επαναφέρει στο ~50%, όπως φαίνεται στο Σχ. S7.Επομένως, η διάρκεια ζωής του φορέα, μειωμένη λόγω εμφύτευσης πρωτονίων, αποκαθίσταται με ανόπτηση σε υψηλή θερμοκρασία.Αν και μια μείωση κατά 50% στη διάρκεια ζωής του φορέα καταστέλλει επίσης τη διάδοση των σφαλμάτων στοίβαξης, τα χαρακτηριστικά I–V, τα οποία τυπικά εξαρτώνται από τη διάρκεια ζωής του φορέα, δείχνουν μόνο μικρές διαφορές μεταξύ των διόδων έγχυσης και των μη εμφυτευμένων διόδων.Επομένως, πιστεύουμε ότι η αγκύρωση PD παίζει ρόλο στην αναστολή της επέκτασης 1SSF.
Αν και το SIMS δεν ανίχνευσε υδρογόνο μετά την ανόπτηση στους 1600°C, όπως αναφέρθηκε σε προηγούμενες μελέτες, παρατηρήσαμε την επίδραση της εμφύτευσης πρωτονίων στην καταστολή της επέκτασης του 1SSF, όπως φαίνεται στα Σχήματα 1 και 4. 3, 4. Επομένως, πιστεύουμε ότι η PD είναι αγκυρωμένη από άτομα υδρογόνου με πυκνότητα κάτω από το όριο ανίχνευσης του SIMS (2 × 1016 cm-3) ή σημειακά ελαττώματα που προκαλούνται από την εμφύτευση.Θα πρέπει να σημειωθεί ότι δεν έχουμε επιβεβαιώσει αύξηση της αντίστασης κατά την κατάσταση λόγω της επιμήκυνσης του 1SSF μετά από ένα φορτίο ρεύματος υπέρτασης.Αυτό μπορεί να οφείλεται σε ατελείς ωμικές επαφές που έγιναν με τη διεργασία μας, οι οποίες θα εξαλειφθούν στο εγγύς μέλλον.
Συμπερασματικά, αναπτύξαμε μια μέθοδο σβέσης για την επέκταση του BPD σε 1SSF σε διόδους 4H-SiC PiN χρησιμοποιώντας εμφύτευση πρωτονίων πριν από την κατασκευή της συσκευής.Η επιδείνωση του χαρακτηριστικού I–V κατά την εμφύτευση πρωτονίου είναι ασήμαντη, ειδικά σε δόση πρωτονίου 1012 cm–2, αλλά η επίδραση της καταστολής της επέκτασης 1SSF είναι σημαντική.Αν και σε αυτή τη μελέτη κατασκευάσαμε διόδους PiN πάχους 10 μm με εμφύτευση πρωτονίου σε βάθος 10 μm, είναι ακόμα δυνατό να βελτιστοποιήσουμε περαιτέρω τις συνθήκες εμφύτευσης και να τις εφαρμόσουμε για την κατασκευή άλλων τύπων συσκευών 4H-SiC.Θα πρέπει να ληφθούν υπόψη πρόσθετα έξοδα για την κατασκευή της συσκευής κατά την εμφύτευση πρωτονίων, αλλά θα είναι παρόμοια με αυτά για την εμφύτευση ιόντων αλουμινίου, η οποία είναι η κύρια διαδικασία κατασκευής για συσκευές ισχύος 4H-SiC.Έτσι, η εμφύτευση πρωτονίων πριν από την επεξεργασία της συσκευής είναι μια πιθανή μέθοδος για την κατασκευή συσκευών διπολικής ισχύος 4H-SiC χωρίς εκφυλισμό.
Ως δείγμα χρησιμοποιήθηκε μια γκοφρέτα n τύπου 4H-SiC 4 ιντσών με πάχος επιταξιακής στρώσης 10 μm και συγκέντρωση ντόπινγκ δότη 1 × 1016 cm–3.Πριν από την επεξεργασία της συσκευής, ιόντα Η+ εμφυτεύτηκαν στην πλάκα με ενέργεια επιτάχυνσης 0,95 MeV σε θερμοκρασία δωματίου σε βάθος περίπου 10 μm σε κανονική γωνία ως προς την επιφάνεια της πλάκας.Κατά τη διάρκεια της εμφύτευσης πρωτονίων, χρησιμοποιήθηκε μια μάσκα σε μια πλάκα και η πλάκα είχε τμήματα χωρίς και με δόση πρωτονίου 1012, 1014 ή 1016 cm-2.Στη συνέχεια, ιόντα Al με δόσεις πρωτονίων 1020 και 1017 cm–3 εμφυτεύθηκαν σε ολόκληρο το πλακίδιο σε βάθος 0–0,2 μm και 0,2–0,5 μm από την επιφάνεια, ακολουθούμενη από ανόπτηση στους 1600 °C για να σχηματιστεί ένα καπάκι άνθρακα για να σχηματίζουν στρώμα ap.-τύπος.Ακολούθως, μια επαφή Ni στην πίσω πλευρά εναποτέθηκε στην πλευρά του υποστρώματος, ενώ μια μπροστινή πλευρική επαφή Ti/Al σε σχήμα χτένας 2,0 mm × 2,0 mm που σχηματίστηκε με φωτολιθογραφία και μια διαδικασία αποφλοίωσης εναποτέθηκε στην πλευρά της επιταξιακής στρώσης.Τέλος, η ανόπτηση εξ επαφής πραγματοποιείται σε θερμοκρασία 700 °C.Αφού κόψαμε τη γκοφρέτα σε τσιπς, πραγματοποιήσαμε χαρακτηρισμό και εφαρμογή στρες.
Τα χαρακτηριστικά I–V των κατασκευασμένων διόδων PiN παρατηρήθηκαν χρησιμοποιώντας έναν αναλυτή παραμέτρων ημιαγωγών HP4155B.Ως ηλεκτρική τάση, εισήχθη ένα παλμικό ρεύμα 10 χιλιοστών του δευτερολέπτου 212,5 A/cm2 για 2 ώρες με συχνότητα 10 παλμών/δευτ.Όταν επιλέξαμε χαμηλότερη πυκνότητα ή συχνότητα ρεύματος, δεν παρατηρήσαμε διαστολή 1SSF ακόμη και σε δίοδο PiN χωρίς έγχυση πρωτονίου.Κατά τη διάρκεια της εφαρμοζόμενης ηλεκτρικής τάσης, η θερμοκρασία της διόδου PiN είναι περίπου 70°C χωρίς σκόπιμη θέρμανση, όπως φαίνεται στο Σχήμα S8.Ελήφθησαν εικόνες ηλεκτροφωταύγειας πριν και μετά την ηλεκτρική καταπόνηση σε πυκνότητα ρεύματος 25 A/cm2.Τοπογραφία ακτίνων Χ επίπτωσης ανάκλασης σύγχροτρον με βοσκή με χρήση μονοχρωματικής δέσμης ακτίνων Χ (λ = 0,15 nm) στο Κέντρο Ακτινοβολίας Synchrotron Aichi, ο φορέας ag στο BL8S2 είναι -1-128 ή 11-28 (βλ. αναφ. 44 για λεπτομέρειες) .).
Η συχνότητα τάσης σε πυκνότητα μπροστινού ρεύματος 2,5 A/cm2 εξάγεται με ένα διάστημα 0,5 V στο σχ.2 σύμφωνα με το CVC κάθε κατάστασης της διόδου PinN.Από τη μέση τιμή της τάσης Vave και την τυπική απόκλιση σ της τάσης, σχεδιάζουμε μια καμπύλη κανονικής κατανομής με τη μορφή διακεκομμένης γραμμής στο Σχήμα 2 χρησιμοποιώντας την ακόλουθη εξίσωση:
Werner, MR & Fahrner, WR Ανασκόπηση για υλικά, μικροαισθητήρες, συστήματα και συσκευές για εφαρμογές υψηλής θερμοκρασίας και σκληρού περιβάλλοντος. Werner, MR & Fahrner, WR Ανασκόπηση για υλικά, μικροαισθητήρες, συστήματα και συσκευές για εφαρμογές υψηλής θερμοκρασίας και σκληρού περιβάλλοντος.Werner, MR and Farner, WR Επισκόπηση υλικών, μικροαισθητήρων, συστημάτων και συσκευών για εφαρμογές σε υψηλές θερμοκρασίες και σκληρά περιβάλλοντα. Werner, MR & Fahrner, WR 对用于高温和恶劣环境应用的材料、微传感器、系统和设备讄蚄 Werner, MR & Fahrner, WR Ανασκόπηση υλικών, μικροαισθητήρων, συστημάτων και συσκευών για υψηλές θερμοκρασίες και δυσμενείς περιβαλλοντικές εφαρμογές.Werner, MR and Farner, WR Επισκόπηση υλικών, μικροαισθητήρων, συστημάτων και συσκευών για εφαρμογές σε υψηλές θερμοκρασίες και σκληρές συνθήκες.IEEE Trans.Βιομηχανικά ηλεκτρονικά.48, 249–257 (2001).
Kimoto, T. & Cooper, JA Fundamentals of Silicon Carbide Technology Fundamentals of Silicon Carbide Technology: Growth, Characterization, Devices and Applications Vol. Kimoto, T. & Cooper, JA Fundamentals of Silicon Carbide Technology Fundamentals of Silicon Carbide Technology: Growth, Characterization, Devices and Applications Vol.Kimoto, T. and Cooper, JA Basics of Silicon Carbide Technology Basics of Silicon Carbide Technology: Growth, Characteristics, Devices and Applications Vol. Kimoto, T. & Cooper, JA 碳化硅技术基础碳化硅技术基础：增长、表征、设备和应用卷。 Kimoto, T. & Cooper, JA Βάση τεχνολογίας Carbon化silicon Βάση τεχνολογίας Carbon化πυριτίου: ανάπτυξη, περιγραφή, εξοπλισμός και όγκος εφαρμογών.Kimoto, T. and Cooper, J. Basics of Silicon Carbide Technology Basics of Silicon Carbide Technology: Growth, Characteristics, Equipment and Applications Vol.252 (Wiley Singapore Pte Ltd, 2014).
Βελιάδης, Β. Εμπορευματοποίηση SiC σε μεγάλη κλίμακα: Status Quo και εμπόδια που πρέπει να ξεπεραστούν.alma mater.η επιστήμη.Forum 1062, 125–130 (2022).
Broughton, J., Smet, V., Tummala, RR & Joshi, YK Ανασκόπηση των τεχνολογιών θερμικής συσκευασίας για ηλεκτρονικά ισχύος αυτοκινήτων για σκοπούς έλξης. Broughton, J., Smet, V., Tummala, RR & Joshi, YK Ανασκόπηση των τεχνολογιών θερμικής συσκευασίας για ηλεκτρονικά ισχύος αυτοκινήτων για σκοπούς έλξης.Broughton, J., Smet, V., Tummala, RR and Joshi, YK Επισκόπηση των τεχνολογιών θερμικής συσκευασίας για ηλεκτρονικά ηλεκτρικά αυτοκίνητα αυτοκινήτων για σκοπούς έλξης. Broughton, J., Smet, V., Tummala, RR & Joshi, YK 用于牵引目的的汽车电力电子热封装技术的回顾。 Broughton, J., Smet, V., Tummala, RR & Joshi, ΥΚBroughton, J., Smet, V., Tummala, RR and Joshi, YK Επισκόπηση της τεχνολογίας θερμικής συσκευασίας για ηλεκτρονικά συστήματα ισχύος αυτοκινήτων για σκοπούς έλξης.J. Electron.Πακέτο.έκσταση.ASME 140, 1-11 (2018).
Sato, K., Kato, H. & Fukushima, T. Ανάπτυξη εφαρμοσμένου συστήματος έλξης SiC για τρένα υψηλής ταχύτητας Shinkansen επόμενης γενιάς. Sato, K., Kato, H. & Fukushima, T. Ανάπτυξη εφαρμοσμένου συστήματος έλξης SiC για τρένα υψηλής ταχύτητας Shinkansen επόμενης γενιάς.Sato K., Kato H. και Fukushima T. Ανάπτυξη ενός εφαρμοσμένου συστήματος έλξης SiC για τρένα υψηλής ταχύτητας Shinkansen επόμενης γενιάς.Sato K., Kato H. και Fukushima T. Ανάπτυξη συστήματος έλξης για εφαρμογές SiC για τρένα υψηλής ταχύτητας Shinkansen επόμενης γενιάς.Παράρτημα IEEJ J. Ind. 9, 453–459 (2020).
Senzaki, J., Hayashi, S., Yonezawa, Y. & Okumura, H. Προκλήσεις για την υλοποίηση εξαιρετικά αξιόπιστων συσκευών ισχύος SiC: Από την τρέχουσα κατάσταση και τα ζητήματα των πλακιδίων SiC. Senzaki, J., Hayashi, S., Yonezawa, Y. & Okumura, H. Προκλήσεις για την υλοποίηση εξαιρετικά αξιόπιστων συσκευών ισχύος SiC: Από την τρέχουσα κατάσταση και τα ζητήματα των πλακιδίων SiC.Senzaki, J., Hayashi, S., Yonezawa, Y. and Okumura, H. Προβλήματα στην εφαρμογή εξαιρετικά αξιόπιστων συσκευών ισχύος SiC: ξεκινώντας από την τρέχουσα κατάσταση και το πρόβλημα του Wafer SiC. Senzaki, J., Hayashi, S., Yonezawa, Y. & Okumura, H. 实现高可靠性SiC 功率器件的挑战：从SiC 晶圆的现状功率器件的挑战：从SiC 晶圆的现状功 Senzaki, J., Hayashi, S., Yonezawa, Y. & Okumura, H. Η πρόκληση της επίτευξης υψηλής αξιοπιστίας σε συσκευές ισχύος SiC: από SiC 晶圆的电视和问题设计。Senzaki J, Hayashi S, Yonezawa Y. and Okumura H. Προκλήσεις στην ανάπτυξη συσκευών ισχύος υψηλής αξιοπιστίας που βασίζονται στο καρβίδιο του πυριτίου: μια ανασκόπηση της κατάστασης και των προβλημάτων που σχετίζονται με τις γκοφρέτες καρβιδίου του πυριτίου.Στο Διεθνές Συμπόσιο της IEEE 2018 για τη Φυσική Αξιοπιστίας (IRPS).(Senzaki, J. et al. eds.) 3B.3-1-3B.3-6 (IEEE, 2018).
Kim, D. & Sung, W. Βελτιωμένη ανθεκτικότητα βραχυκυκλώματος για MOSFET 4H-SiC 1,2 kV χρησιμοποιώντας ένα βαθύ φρεάτιο P που υλοποιείται με διοχέτευση εμφύτευσης. Kim, D. & Sung, W. Βελτιωμένη ανθεκτικότητα βραχυκυκλώματος για MOSFET 4H-SiC 1,2 kV χρησιμοποιώντας ένα βαθύ φρεάτιο P που υλοποιείται με διοχέτευση εμφύτευσης.Kim, D. and Sung, V. Βελτιωμένη ατρωσία βραχυκυκλώματος για ένα MOSFET 1,2 kV 4H-SiC χρησιμοποιώντας ένα βαθύ φρεάτιο P που υλοποιείται με εμφύτευση καναλιού. Kim, D. & Sung, W. 使用通过沟道注入实现的深P 阱提高了1,2kV 4H-SiC MOSFET 的短路耐用深P Kim, D. & Sung, W. P 阱提高了1,2kV 4H-SiC MOSFETKim, D. and Sung, V. Βελτιωμένη ανοχή βραχυκυκλώματος των 1,2 kV 4H-SiC MOSFET χρησιμοποιώντας βαθιά φρεάτια P με εμφύτευση καναλιού.IEEE Electronic Devices Lett.42, 1822–1825 (2021).
Skowronski Μ. et al.Ενισχυμένη με ανασυνδυασμό κίνηση ελαττωμάτων σε διόδους 4H-SiC pn με πόλωση προς τα εμπρός.J. Εφαρμογή.η φυσικη.92, 4699–4704 (2002).
Ha, S., Mieszkowski, Ρ., Skowronski, M. & Rowland, LB Dislocation conversion in 4H silicon carbide epitaxy. Ha, S., Mieszkowski, Ρ., Skowronski, M. & Rowland, LB Dislocation conversion in 4H silicon carbide epitaxy.Ha S., Meszkowski P., Skowronski M. and Rowland LB Dislocation transformation κατά τη διάρκεια 4Η επιταξίας καρβιδίου του πυριτίου. Ha, S., Mieszkowski, P., Skowronski, M. & Rowland, LB 4H 碳化硅外延中的位错转换。 Ha, S., Mieszkowski, P., Skowronski, M. & Rowland, LB 4H Ha, S., Meszkowski, P., Skowronski, M. & Rowland, LBΜετάβαση εξάρθρωσης 4Η σε επιταξία καρβιδίου του πυριτίου.J. Crystal.Growth 244, 257–266 (2002).
Skowronski, M. & Ha, S. Degradation of hexagonal silicon-carbide-based bipolar devices. Skowronski, M. & Ha, S. Degradation of hexagonal silicon-carbide-based bipolar devices.Skowronski M. and Ha S. Αποικοδόμηση εξαγωνικών διπολικών συσκευών με βάση το καρβίδιο του πυριτίου. Skowronski, M. & Ha, S. 六方碳化硅基双极器件的降解。 Skowronski M. & Ha S.Skowronski M. and Ha S. Αποικοδόμηση εξαγωνικών διπολικών συσκευών με βάση το καρβίδιο του πυριτίου.J. Εφαρμογή.φυσική 99, 011101 (2006).
Agarwal, Α., Fatima, Η., Haney, S. & Ryu, S.-H. Agarwal, Α., Fatima, Η., Haney, S. & Ryu, S.-H.Agarwal A., Fatima H., Heini S. and Ryu S.-H. Agarwal, Α., Fatima, Η., Haney, S. & Ryu, S.-H. Agarwal, Α., Fatima, Η., Haney, S. & Ryu, S.-H.Agarwal A., Fatima H., Heini S. and Ryu S.-H.Ένας νέος μηχανισμός υποβάθμισης για MOSFET υψηλής τάσης SiC ισχύος.IEEE Electronic Devices Lett.28, 587–589 (2007).
Caldwell, JD, Stahlbush, RE, Ancona, MG, Glembocki, OJ & Hobart, KD Σχετικά με την κινητήρια δύναμη για την κίνηση σφάλματος στοίβαξης που προκαλείται από ανασυνδυασμό σε 4H–SiC. Caldwell, JD, Stahlbush, RE, Ancona, MG, Glembocki, OJ & Hobart, KD Σχετικά με την κινητήρια δύναμη για την κίνηση σφάλματος στοίβαξης που προκαλείται από ανασυνδυασμό σε 4H-SiC.Caldwell, JD, Stalbush, RE, Ancona, MG, Glemboki, OJ και Hobart, KD Σχετικά με την κινητήρια δύναμη της κίνησης σφαλμάτων στοίβαξης που προκαλείται από ανασυνδυασμό σε 4H-SiC. Caldwell, JD, Stahlbush, RE, Ancona, MG, Glembocki, OJ & Hobart, KD 关于4H-SiC 中复合引起的层错运动的驱动力。 Caldwell, JD, Stahlbush, RE, Ancona, MG, Glembocki, OJ & Hobart, KDCaldwell, JD, Stalbush, RE, Ancona, MG, Glemboki, OJ και Hobart, KD, Σχετικά με την κινητήρια δύναμη της κίνησης σφαλμάτων στοίβαξης που προκαλείται από ανασυνδυασμό σε 4H-SiC.J. Εφαρμογή.η φυσικη.108, 044503 (2010).
Iijima, A. & Kimoto, T. Ηλεκτρονικό ενεργειακό μοντέλο για σχηματισμό ρήγματος μονής στοίβαξης Shockley σε κρυστάλλους 4H-SiC. Iijima, A. & Kimoto, T. Ηλεκτρονικό ενεργειακό μοντέλο για σχηματισμό ρήγματος μονής στοίβαξης Shockley σε κρυστάλλους 4H-SiC.Iijima, A. and Kimoto, T. Μοντέλο ηλεκτρονικής ενέργειας σχηματισμού μεμονωμένων ελαττωμάτων της συσκευασίας Shockley σε κρυστάλλους 4H-SiC. Iijima, A. & Kimoto, T. 4H-SiC 晶体中单Shockley 堆垛层错形成的电子能量模型。 Iijima, A. & Kimoto, T. Ηλεκτρονικό ενεργειακό μοντέλο σχηματισμού ρήγματος μονής στοίβαξης Shockley σε κρύσταλλο 4H-SiC.Iijima, A. and Kimoto, T. Μοντέλο ηλεκτρονικής ενέργειας σχηματισμού μονού ελαττώματος συσκευασίας Shockley σε κρυστάλλους 4H-SiC.J. Εφαρμογή.φυσική 126, 105703 (2019).
Iijima, A. & Kimoto, T. Εκτίμηση της κρίσιμης συνθήκης για διαστολή/συστολή απλών σφαλμάτων στοίβαξης Shockley σε διόδους 4H-SiC PiN. Iijima, A. & Kimoto, T. Εκτίμηση της κρίσιμης συνθήκης για διαστολή/συστολή απλών σφαλμάτων στοίβαξης Shockley σε διόδους 4H-SiC PiN.Iijima, A. and Kimoto, T. Εκτίμηση της κρίσιμης κατάστασης για διαστολή/συμπίεση ελαττωμάτων μονής συσκευασίας Shockley σε διόδους 4H-SiC PiN. Iijima, A. & Kimoto, T. 估计4H-SiC PiN 二极管中单个Shockley 堆垛层错膨胀/收缩的临界条件。 Iijima, A. & Kimoto, T. Εκτίμηση των συνθηκών επέκτασης/συστολής στρώσης στοίβαξης μονής Shockley σε διόδους 4H-SiC PiN.Iijima, A. and Kimoto, T. Εκτίμηση των κρίσιμων συνθηκών για τη διαστολή/συμπίεση της συσκευασίας μεμονωμένου ελαττώματος Shockley σε διόδους 4H-SiC PiN.εφαρμογή φυσικής Wright.116, 092105 (2020).
Mannen, Y., Shimada, K., Asada, K. & Ohtani, N. Μοντέλο δράσης κβαντικού φρεατίου για το σχηματισμό ενός απλού ρήγματος στοίβαξης Shockley σε κρύσταλλο 4H-SiC υπό συνθήκες μη ισορροπίας. Mannen, Y., Shimada, K., Asada, K. & Ohtani, N. Μοντέλο δράσης κβαντικού φρεατίου για το σχηματισμό ενός απλού ρήγματος στοίβαξης Shockley σε κρύσταλλο 4H-SiC υπό συνθήκες μη ισορροπίας.Mannen Y., Shimada K., Asada K. και Otani N. Ένα μοντέλο κβαντικού φρεατίου για το σχηματισμό ενός απλού ρήγματος στοίβαξης Shockley σε έναν κρύσταλλο 4H-SiC υπό συνθήκες μη ισορροπίας.Mannen Y., Shimada K., Asada K. και Otani N. Μοντέλο αλληλεπίδρασης κβαντικού φρεατίου για τον σχηματισμό απλών σφαλμάτων στοίβαξης Shockley σε κρυστάλλους 4H-SiC υπό συνθήκες μη ισορροπίας.J. Εφαρμογή.η φυσικη.125, 085705 (2019).
Galeckas, A., Linnros, J. & Pirouz, P. Σφάλματα στοίβαξης που προκαλούνται από ανασυνδυασμό: Απόδειξη για έναν γενικό μηχανισμό στο εξαγωνικό SiC. Galeckas, A., Linnros, J. & Pirouz, P. Σφάλματα στοίβαξης που προκαλούνται από ανασυνδυασμό: Απόδειξη για έναν γενικό μηχανισμό στο εξαγωνικό SiC.Galeckas, Α., Linnros, J. and Pirouz, Ρ. Ελαττώματα συσκευασίας που προκαλούνται από ανασυνδυασμό: Απόδειξη για έναν κοινό μηχανισμό σε εξαγωνικό SiC. Galeckas, A., Linnros, J. & Pirouz, P. 复合诱导的堆垛层错：六方SiC 中一般机制的证据。 Galeckas, A., Linnros, J. & Pirouz, P. Στοιχεία για τον γενικό μηχανισμό του σύνθετου επαγωγικού στρώματος στοίβαξης: 六方SiC.Galeckas, Α., Linnros, J. and Pirouz, Ρ. Ελαττώματα συσκευασίας που προκαλούνται από ανασυνδυασμό: Απόδειξη για έναν κοινό μηχανισμό σε εξαγωνικό SiC.φυσικής πάστορας Ράιτ.96, 025502 (2006).
Ishikawa, Y., Sudo, M., Yao, Y.-Z., Sugawara, Y. & Kato, M. Επέκταση ενός μεμονωμένου σφάλματος στοίβαξης Shockley σε ένα επιταξιακό στρώμα 4H-SiC (11 2 ¯0) που προκαλείται από ηλεκτρόνιο ακτινοβολία δέσμης.Ishikawa, Υ., Μ. Sudo, Υ.-Ζ ακτινοβολία δέσμης.Ishikawa, Y., Sudo M., Y.-Z Psychology.Box, Ю., М.Судо, Y.-Z Chem., J. Chem., 123, 225101 (2018).
Kato, M., Katahira, S., Ichikawa, Y., Harada, S. & Kimoto, Τ. Παρατήρηση ανασυνδυασμού φορέα σε μεμονωμένα ρήγματα στοίβαξης Shockley και σε μερικές εξαρθρώσεις σε 4H-SiC. Kato, M., Katahira, S., Ichikawa, Y., Harada, S. & Kimoto, Τ. Παρατήρηση ανασυνδυασμού φορέα σε μεμονωμένα ρήγματα στοίβαξης Shockley και σε μερικές εξαρθρώσεις σε 4H-SiC.Kato M., Katahira S., Itikawa Y., Harada S. and Kimoto T. Παρατήρηση του ανασυνδυασμού φορέα σε ελαττώματα μονής σπασμωδικής συσκευασίας και μερικές εξαρθρώσεις σε 4H-SiC. Kato, M., Katahira, S., Ichikawa, Y., Harada, S. & Kimoto, T. 单Shockley 堆垛层错和4H-SiC 部分位错中载流子复傈 Kato, M., Katahira, S., Ichikawa, Y., Harada, S. & Kimoto, T. 单Shockley stacking stacking和4H-SiC partal 位错中载流子去生的可以。Kato M., Katahira S., Itikawa Y., Harada S. and Kimoto T. Παρατήρηση του ανασυνδυασμού φορέα σε ελαττώματα μονής σπασμωδικής συσκευασίας και μερικές εξαρθρώσεις σε 4H-SiC.J. Εφαρμογή.φυσική 124, 095702 (2018).
Kimoto, T. & Watanabe, H. Defect engineering in SiC technology for high-voltage power devices. Kimoto, T. & Watanabe, H. Defect engineering in SiC technology for high-voltage power devices.Kimoto, T. and Watanabe, H. Ανάπτυξη ελαττωμάτων στην τεχνολογία SiC για συσκευές ισχύος υψηλής τάσης. Kimoto, T. & Watanabe, H. 用于高压功率器件的SiC 技术中的缺陷工程。 Kimoto, T. & Watanabe, H. Defect engineering in SiC technology for high-voltage power devices.Kimoto, T. and Watanabe, H. Ανάπτυξη ελαττωμάτων στην τεχνολογία SiC για συσκευές ισχύος υψηλής τάσης.εφαρμογή φυσικής Express 13, 120101 (2020).
Zhang, Z. & Sudarshan, TS Επίταξη καρβιδίου του πυριτίου χωρίς εξάρθρωση βασικού επιπέδου. Zhang, Z. & Sudarshan, TS Επίταξη καρβιδίου του πυριτίου χωρίς εξάρθρωση βασικού επιπέδου.Zhang Z. και Sudarshan TS Επίταξη καρβιδίου του πυριτίου χωρίς εξάρθρωση στο βασικό επίπεδο. Zhang, Z. & Sudarshan, TS 碳化硅基面无位错外延。 Zhang, Z. & Sudarshan, TSZhang Z. και Sudarshan TS Επίταξη χωρίς εξάρθρωση βασικών επιπέδων καρβιδίου του πυριτίου.δήλωση.η φυσικη.Κατασκευαστής.87, 151913 (2005).
Zhang, Z., Moulton, E. & Sudarshan, TS Μηχανισμός εξάλειψης εξαρθρώσεων βασικού επιπέδου σε λεπτές μεμβράνες SiC με επιταξία σε χαραγμένο υπόστρωμα. Zhang, Z., Moulton, E. & Sudarshan, TS Μηχανισμός εξάλειψης εξαρθρώσεων βασικού επιπέδου σε λεπτές μεμβράνες SiC με επιταξία σε χαραγμένο υπόστρωμα.Zhang Z., Moulton E. και Sudarshan TS Μηχανισμός εξάλειψης των εξαρθρώσεων του επιπέδου βάσης σε λεπτές μεμβράνες SiC με επιταξία σε ένα χαραγμένο υπόστρωμα. Zhang, Z., Moulton, E. & Sudarshan, TS 通过在蚀刻衬底上外延消除SiC 薄膜中基面位错的机制。 Zhang, Z., Moulton, E. & Sudarshan, TS Ο μηχανισμός εξάλειψης της λεπτής μεμβράνης SiC με χάραξη του υποστρώματος.Zhang Z., Moulton E. και Sudarshan TS Μηχανισμός εξάλειψης των εξαρθρώσεων του επιπέδου βάσης σε λεπτές μεμβράνες SiC με επιταξία σε χαραγμένα υποστρώματα.εφαρμογή φυσικής Wright.89, 081910 (2006).
Shtalbush RE et al.Η διακοπή της ανάπτυξης οδηγεί σε μείωση των εξαρθρώσεων του βασικού επιπέδου κατά τη διάρκεια της επιταξίας 4H-SiC.δήλωση.η φυσικη.Κατασκευαστής.94, 041916 (2009).
Zhang, X. & Tsuchida, H. Μετατροπή εξαρθρώσεων βασικού επιπέδου σε εξαρθρήματα ακμών σπειρώματος σε επιστιβάδες 4H-SiC με ανόπτηση υψηλής θερμοκρασίας. Zhang, X. & Tsuchida, H. Μετατροπή εξαρθρώσεων βασικού επιπέδου σε εξαρθρήματα ακμών σπειρώματος σε επιστιβάδες 4H-SiC με ανόπτηση υψηλής θερμοκρασίας.Zhang, X. and Tsuchida, Η. Μετασχηματισμός εξαρθρώσεων βασικού επιπέδου σε εξαρθρήματα ακμής σπειρώματος σε επιταξιακά στρώματα 4H-SiC με ανόπτηση υψηλής θερμοκρασίας. Zhang, X. & Tsuchida, H. 通过高温退火将4H-SiC 外延层中的基面位错转化为螺纹刃位错。 Zhang, X. & Tsuchida, H. 通过高温退火将4H-SiCZhang, X. and Tsuchida, Η. Μετασχηματισμός εξαρθρώσεων επιπέδου βάσης σε εξαρθρήματα ακμών νήματος σε επιταξιακά στρώματα 4H-SiC με ανόπτηση σε υψηλή θερμοκρασία.J. Εφαρμογή.η φυσικη.111, 123512 (2012).
Song, H. & Sudarshan, TS Μετατροπή εξάρθρωσης βασικού επιπέδου κοντά στη διεπιφάνεια επιστιβάδας/υποστρώματος σε επιταξιακή ανάπτυξη 4° εκτός άξονα 4H–SiC. Song, H. & Sudarshan, TS Μετατροπή εξάρθρωσης βασικού επιπέδου κοντά στη διεπιφάνεια επιστιβάδας/υποστρώματος σε επιταξιακή ανάπτυξη 4° εκτός άξονα 4H–SiC.Song, H. and Sudarshan, TS Μετασχηματισμός εξαρθρώσεων βασικού επιπέδου κοντά στην επιταξιακή διεπιφάνεια στρώματος/υποστρώματος κατά τη διάρκεια της επιταξιακής ανάπτυξης εκτός άξονα του 4H–SiC. Song, H. & Sudarshan, TS 在4° 离轴4H-SiC 外延生长中外延层/衬底界面附近的基底平面位 Song, H. & Sudarshan, TS 在4° 离轴4H-SiC Song, H. & Sudarshan, TSΕπίπεδη μετάβαση εξάρθρωσης του υποστρώματος κοντά στο επιταξιακό όριο στρώματος/υποστρώματος κατά την επιταξιακή ανάπτυξη του 4H-SiC εκτός του άξονα 4°.J. Crystal.Growth 371, 94–101 (2013).
Konishi, Κ. et αϊ.Σε υψηλό ρεύμα, η διάδοση του σφάλματος στοίβαξης εξάρθρωσης βασικού επιπέδου σε επιταξιακά στρώματα 4H-SiC μετατρέπεται σε εξαρθρήματα ακμών νήματος.J. Εφαρμογή.η φυσικη.114, 014504 (2013).
Konishi, Κ. et αϊ.Σχεδιάστε επιταξιακά στρώματα για διπολικά μη αποικοδομήσιμα SiC MOSFET ανιχνεύοντας εκτεταμένες θέσεις πυρηνοποίησης σφαλμάτων στοίβαξης σε επιχειρησιακή τοπογραφική ανάλυση ακτίνων Χ.AIP Advanced 12, 035310 (2022).
Lin, S. et αϊ.Επίδραση της δομής εξάρθρωσης βασικού επιπέδου στη διάδοση ενός μεμονωμένου σφάλματος στοίβαξης τύπου Shockley κατά τη διάσπαση του μπροστινού ρεύματος των διόδων ακίδων 4H-SiC.Ιαπωνία.J. Εφαρμογή.η φυσικη.57, 04FR07 (2018).
Tahara, Τ., et αϊ.Η σύντομη διάρκεια ζωής του φορέα μειοψηφίας στις πλούσιες σε άζωτο επιστρώσεις 4H-SiC χρησιμοποιείται για την καταστολή σφαλμάτων στοίβαξης στις διόδους PinN.J. Εφαρμογή.η φυσικη.120, 115101 (2016).
Tahara, Τ. et αϊ.Εξάρτηση από τη συγκέντρωση έγχυσης φορέα της διάδοσης μεμονωμένων σφαλμάτων στοίβαξης Shockley σε διόδους 4H-SiC PinN.J. Εφαρμογή.Φυσική 123, 025707 (2018).
Mae, S., Tawara, T., Tsuchida, H. & Kato, M. Microscopic FCA system for depth-resolved μέτρηση διάρκειας ζωής φορέα σε SiC. Mae, S., Tawara, T., Tsuchida, H. & Kato, M. Microscopic FCA system for depth-resolved μέτρηση διάρκειας ζωής φορέα σε SiC.Mei, S., Tawara, T., Tsuchida, H. and Kato, M. FCA Microscopic System for Depth-Resolved Carrier Lifetime Measurements in Silicon Carbide. Mae, S.、Tawara, T.、Tsuchida, H. & Kato, M. 用于SiC 中深度分辨载流子寿命测量的显微FCA 系统 Mae, S.、Tawara, T.、Tsuchida, H. & Kato, M. Για SiC μεσαίου βάθους 分辨载流子μέτρηση διάρκειας ζωής的月微FCA σύστημα。Mei S., Tawara T., Tsuchida H. and Kato M. Σύστημα Micro-FCA για μετρήσεις διάρκειας ζωής φορέα με ανάλυση βάθους σε καρβίδιο του πυριτίου.alma mater science Forum 924, 269–272 (2018).
Hirayama, Τ. et αϊ.Η κατανομή βάθους των ζωών του φορέα σε παχιά επιταξιακά στρώματα 4H-SiC μετρήθηκε μη καταστροφικά χρησιμοποιώντας τη χρονική ανάλυση της απορρόφησης ελεύθερου φορέα και του διασταυρούμενου φωτός.Μετάβαση στην επιστήμη.μετρητής.91, 123902 (2020).
Ώρα δημοσίευσης: Νοε-06-2022