Благодарим вас за посещение Nature.com. Используемая вами версия браузера имеет ограниченную поддержку CSS. Для оптимальной работы рекомендуем использовать обновлённый браузер (или отключить режим совместимости в Internet Explorer). В настоящее время, для обеспечения непрерывной поддержки, мы будем отображать сайт без стилей и JavaScript.
4H-SiC был коммерциализирован в качестве материала для силовых полупроводниковых приборов. Однако долгосрочная надежность 4H-SiC-приборов является препятствием для их широкого применения, а наиболее важной проблемой надежности 4H-SiC-приборов является биполярная деградация. Эта деградация вызвана распространением одиночного дефекта упаковки Шокли (1SSF) дислокаций базисной плоскости в кристаллах 4H-SiC. В данной работе мы предлагаем метод подавления расширения 1SSF путем имплантации протонов в эпитаксиальные пластины 4H-SiC. PiN-диоды, изготовленные на пластинах с протонной имплантацией, показали те же вольт-амперные характеристики, что и диоды без протонной имплантации. Напротив, расширение 1SSF эффективно подавляется в протонно-имплантированном PiN-диоде. Таким образом, имплантация протонов в эпитаксиальные пластины 4H-SiC является эффективным методом подавления биполярной деградации силовых полупроводниковых приборов 4H-SiC при сохранении производительности прибора. Этот результат способствует разработке высоконадежных устройств 4H-SiC.
Карбид кремния (SiC) широко известен как полупроводниковый материал для мощных высокочастотных полупроводниковых приборов, которые могут работать в жестких условиях1. Существует множество политипов SiC, среди которых 4H-SiC обладает превосходными физическими свойствами полупроводниковых приборов, такими как высокая подвижность электронов и сильное электрическое поле пробоя2. Пластины 4H-SiC диаметром 6 дюймов в настоящее время коммерциализированы и используются для массового производства силовых полупроводниковых приборов3. Тяговые системы для электромобилей и поездов были изготовлены с использованием силовых полупроводниковых приборов 4H-SiC4.5. Однако приборы 4H-SiC по-прежнему страдают от проблем с долговременной надежностью, таких как пробой диэлектрика или надежность при коротком замыкании6,7, из которых одной из наиболее важных проблем надежности является биполярная деградация2,8,9,10,11. Эта биполярная деградация была обнаружена более 20 лет назад и долгое время была проблемой при изготовлении приборов SiC.
Биполярная деградация вызвана одиночным дефектом стопки Шокли (1SSF) в кристаллах 4H-SiC с дислокациями базисной плоскости (BPD), распространяющимися посредством скольжения дислокаций, усиленного рекомбинацией (REDG)12,13,14,15,16,17,18,19. Следовательно, если расширение BPD подавляется до 1SSF, силовые приборы 4H-SiC могут быть изготовлены без биполярной деградации. Сообщалось о нескольких методах подавления распространения BPD, таких как преобразование BPD в дислокацию на кромке нити (TED)20,21,22,23,24. В последних эпитаксиальных пластинах SiC BPD в основном присутствует в подложке, а не в эпитаксиальном слое из-за преобразования BPD в TED на начальном этапе эпитаксиального роста. Следовательно, оставшейся проблемой биполярной деградации является распределение BPD в подложке25,26,27. Введение «композитного армирующего слоя» между дрейфовым слоем и подложкой было предложено в качестве эффективного метода подавления расширения ПБД в подложке28, 29, 30, 31. Этот слой увеличивает вероятность рекомбинации электронно-дырочных пар в эпитаксиальном слое и подложке SiC. Уменьшение количества электронно-дырочных пар снижает движущую силу REDG к ПБД в подложке, поэтому композитный армирующий слой может подавлять биполярную деградацию. Следует отметить, что введение слоя влечет за собой дополнительные затраты при производстве пластин, и без введения слоя трудно уменьшить количество электронно-дырочных пар, контролируя только время жизни носителей. Следовательно, по-прежнему существует острая необходимость в разработке других методов подавления для достижения лучшего баланса между стоимостью производства устройств и выходом годных.
Поскольку расширение ППД до 1SSF требует перемещения частичных дислокаций (ПД), закрепление ППД является перспективным подходом к подавлению биполярной деградации. Хотя сообщалось о закреплении ППД примесями металлов, ППД в подложках 4H-SiC расположены на расстоянии более 5 мкм от поверхности эпитаксиального слоя. Кроме того, поскольку коэффициент диффузии любого металла в SiC очень мал, примесям металлов трудно проникать в подложку34. Из-за относительно большой атомной массы металлов ионная имплантация металлов также затруднена. Напротив, в случае водорода, самого лёгкого элемента, ионы (протоны) могут быть имплантированы в 4H-SiC на глубину более 10 мкм с помощью ускорителя МэВ-ного класса. Следовательно, если имплантация протонов влияет на закрепление ППД, то её можно использовать для подавления распространения ППД в подложке. Однако имплантация протонов может повредить 4H-SiC и привести к снижению производительности устройства37,38,39,40.
Чтобы преодолеть деградацию устройства из-за имплантации протонов, для восстановления повреждений используется высокотемпературный отжиг, аналогичный методу отжига, обычно используемому после имплантации ионов-акцепторов при обработке устройств1, 40, 41, 42. Хотя масс-спектрометрия вторичных ионов (SIMS)43 сообщила о диффузии водорода из-за высокотемпературного отжига, возможно, что только плотности атомов водорода вблизи FD недостаточно для обнаружения закрепления PR с помощью SIMS. Поэтому в этом исследовании мы имплантировали протоны в эпитаксиальные пластины 4H-SiC до процесса изготовления устройства, включая высокотемпературный отжиг. Мы использовали PiN-диоды в качестве экспериментальных структур устройств и изготовили их на имплантированных протонами эпитаксиальных пластинах 4H-SiC. Затем мы наблюдали вольт-амперные характеристики для изучения ухудшения характеристик устройства из-за инжекции протонов. Впоследствии мы наблюдали расширение 1SSF на электролюминесцентных (ЭЛ) изображениях после подачи электрического напряжения на PiN-диод. В конечном итоге мы подтвердили влияние инжекции протонов на подавление расширения 1SSF.
На рис. 1 показаны вольт-амперные характеристики (ВАХ) PiN-диодов при комнатной температуре в областях с протонной имплантацией и без нее до подачи импульсного тока. PiN-диоды с протонной инжекцией показывают выпрямительные характеристики, подобные диодам без протонной имплантации, несмотря на то, что ВАХ являются общими для всех диодов. Чтобы показать разницу в условиях инжекции, мы построили график частоты напряжения при прямой плотности тока 2,5 А/см² (что соответствует 100 мА) в виде статистического графика, как показано на рисунке 2. Кривая, аппроксимированная нормальным распределением, также представлена пунктирной линией. линия. Как видно из пиков кривых, сопротивление открытого состояния немного увеличивается при дозах протонов 1014 и 1016 см⁻², в то время как PiN-диод с дозой протонов 1012 см⁻² показывает практически такие же характеристики, как и без протонной имплантации. Мы также провели протонную имплантацию после изготовления PiN-диодов, которые не демонстрировали равномерной электролюминесценции из-за повреждений, вызванных протонной имплантацией, как показано на рисунке S1, как описано в предыдущих исследованиях37,38,39. Следовательно, отжиг при 1600 °C после имплантации ионов Al является необходимым процессом для изготовления устройств, активирующих акцептор Al, способный восстановить повреждения, вызванные протонной имплантацией. Это обеспечивает одинаковые ВАХ имплантированных и неимплантированных протонных PiN-диодов. Частота обратного тока при -5 В также представлена на рисунке S2; существенной разницы между диодами с инжекцией протонов и без неё не наблюдается.
Вольт-амперные характеристики PiN-диодов с инжектированными протонами и без них при комнатной температуре. В легенде указана доза инжектированных протонов.
Частота напряжения при постоянном токе 2,5 А/см² для PiN-диодов с инжектированными и неинжектированными протонами. Пунктирная линия соответствует нормальному распределению.
На рис. 3 показано электролюминесцентное изображение PiN-диода с плотностью тока 25 А/см2 после подачи напряжения. До подачи импульсной токовой нагрузки темные области диода не наблюдались, как показано на рис. 3. C2. Однако, как показано на рис. 3а, в PiN-диоде без имплантации протонов после подачи электрического напряжения наблюдалось несколько темных полосатых областей со светлыми краями. Такие стержнеобразные темные области наблюдаются на электролюминесцентных изображениях для 1SSF, отходящих от ПФД в подложке28,29. Вместо этого в PiN-диодах с имплантированными протонами наблюдались некоторые протяженные дефекты упаковки, как показано на рис. 3б–г. Используя рентгеновскую топографию, мы подтвердили наличие ПР, которые могут перемещаться от ПФД к подложке на периферии контактов в PiN-диоде без инжекции протонов (рис. 4: это изображение без удаления верхнего электрода (сфотографировано, ПР под электродами не видно). Таким образом, темная область на EL-изображении соответствует протяженному 1SSF ПФД в подложке. EL-изображения других нагруженных PiN-диодов показаны на рисунках 1 и 2. Видео S3-S6 с протяженными темными областями и без них (изменяющиеся во времени EL-изображения PiN-диодов без инжекции протонов и имплантированных при 1014 см-2) также показаны в дополнительной информации.
Электролюминесцентные изображения PiN-диодов при 25 А/см2 после 2 часов электрического воздействия (а) без имплантации протонов и с имплантированными дозами (б) 1012 см-2, (в) 1014 см-2 и (г) 1016 см-2 протонов.
Мы рассчитали плотность расширенного 1SSF, вычислив темные области с яркими краями в трех PiN-диодах для каждого состояния, как показано на рисунке 5. Плотность расширенного 1SSF уменьшается с увеличением дозы протонов, и даже при дозе 1012 см-2 плотность расширенного 1SSF значительно ниже, чем в неимплантированном PiN-диоде.
Увеличение плотности SF PiN-диодов с имплантацией протонов и без нее после нагрузки импульсным током (каждое состояние включало три нагруженных диода).
Сокращение времени жизни носителей также влияет на подавление расширения, а инжекция протонов уменьшает время жизни носителей32,36. Мы наблюдали время жизни носителей в эпитаксиальном слое толщиной 60 мкм с инжектированными протонами 1014 см-2. Хотя имплантация уменьшает значение начального времени жизни носителей до ~10%, последующий отжиг восстанавливает его до ~50%, как показано на рис. S7. Таким образом, время жизни носителей, уменьшенное из-за имплантации протонов, восстанавливается высокотемпературным отжигом. Хотя 50%-ное сокращение времени жизни носителей также подавляет распространение дефектов упаковки, вольт-амперные характеристики, которые обычно зависят от времени жизни носителей, показывают лишь незначительные различия между инжектированными и неимплантированными диодами. Поэтому мы полагаем, что закрепление PD играет роль в подавлении расширения 1SSF.
Хотя метод SIMS не обнаружил водород после отжига при 1600 °C, как сообщалось в предыдущих исследованиях, мы наблюдали влияние имплантации протонов на подавление расширения 1SSF, как показано на рисунках 1 и 4. 3, 4. Поэтому мы полагаем, что PD закреплен атомами водорода с плотностью ниже предела обнаружения SIMS (2 × 1016 см⁻³) или точечными дефектами, вызванными имплантацией. Следует отметить, что мы не подтвердили увеличения сопротивления в открытом состоянии вследствие удлинения 1SSF после импульсной токовой нагрузки. Это может быть связано с несовершенством омических контактов, полученных с помощью нашего процесса, которое будет устранено в ближайшем будущем.
В заключение, мы разработали метод подавления для расширения ПФД до 1SSF в 4H-SiC PiN-диодах с использованием протонной имплантации перед изготовлением устройства. Ухудшение ВАХ при протонной имплантации незначительно, особенно при дозе протонов 1012 см⁻², однако эффект подавления расширения 1SSF значителен. Хотя в данном исследовании мы изготовили PiN-диоды толщиной 10 мкм с протонной имплантацией на глубину 10 мкм, всё ещё возможна дальнейшая оптимизация условий имплантации и их применение для изготовления других типов 4H-SiC-приборов. Следует учитывать дополнительные затраты на изготовление устройств в процессе протонной имплантации, но они будут аналогичны затратам на имплантацию ионов алюминия, которая является основным процессом изготовления силовых 4H-SiC-приборов. Таким образом, протонная имплантация перед изготовлением устройства является потенциальным методом изготовления биполярных силовых 4H-SiC-приборов без вырождения.
В качестве образца использовалась 4-дюймовая пластина 4H-SiC n-типа проводимости с толщиной эпитаксиального слоя 10 мкм и концентрацией донорной примеси 1 × 1016 см⁻³. Перед обработкой прибора в пластину имплантировались ионы H+ с энергией ускорения 0,95 МэВ при комнатной температуре на глубину около 10 мкм под нормалью к поверхности пластины. При протонной имплантации использовалась маска на пластине, а пластина имела участки без и с дозой протонов 1012, 1014 или 1016 см⁻². Затем ионы Al с дозами протонов 1020 и 1017 см⁻³ имплантировались по всей пластине на глубину 0–0,2 мкм и 0,2–0,5 мкм от поверхности, после чего проводился отжиг при температуре 1600 °C для формирования углеродного колпачка для формирования слоя p-типа. Затем на тыльную сторону подложки наносился Ni-контакт, а на эпитаксиальную сторону наносился Ti/Al-контакт гребнеобразной формы размером 2,0 мм × 2,0 мм, сформированный методом фотолитографии, а затем методом отслаивания. Наконец, отжиг контактов проводился при температуре 700 °C. После резки пластины на чипы проводилась характеризация напряжений и нанесение.
Вольт-амперные характеристики изготовленных PiN-диодов наблюдались с помощью анализатора параметров полупроводников HP4155B. В качестве электрического напряжения использовался 10-миллисекундный импульсный ток 212,5 А/см², подаваемый в течение 2 часов с частотой 10 импульсов/с. При выборе более низкой плотности тока или частоты расширение 1SSF не наблюдалось даже в PiN-диоде без инжекции протонов. Во время подачи электрического напряжения температура PiN-диода без преднамеренного нагрева составляет около 70 °C, как показано на рисунке S8. Электролюминесцентные изображения были получены до и после электрического напряжения при плотности тока 25 А/см². Рентгеновская топография скользящего падения с использованием синхротронного отражения с использованием монохроматического рентгеновского пучка (λ = 0,15 нм) в Центре синхротронного излучения в Айти, вектор ag в BL8S2 равен -1-128 или 11-28 (подробности см. в ссылке 44).
Частота напряжения при плотности прямого тока 2,5 А/см² измерена с шагом 0,5 В на рис. 2 по ВАХ каждого состояния PiN-диода. По среднему значению напряжения Vave и его стандартному отклонению σ строим кривую нормального распределения в виде пунктирной линии (рис. 2), используя следующее уравнение:
Вернер, М.Р. и Фарнер, В.Р. Обзор материалов, микродатчиков, систем и устройств для применения в условиях высоких температур и суровых условий. Вернер, М.Р. и Фарнер, В.Р. Обзор материалов, микродатчиков, систем и устройств для применения в условиях высоких температур и суровых условий.Вернер, М.Р. и Фарнер, В.Р. Обзор материалов, микродатчиков, систем и устройств для применения в условиях высоких температур и суровых условий. Вернер, М.Р. и Фарнер, В.Р. Вернер, М.Р. и Фарнер, В.Р. Обзор материалов, микродатчиков, систем и устройств для применения в условиях высоких температур и неблагоприятных условий окружающей среды.Вернер, М.Р. и Фарнер, В.Р. Обзор материалов, микродатчиков, систем и устройств для применения в условиях высоких температур и суровых условий.IEEE Trans. Промышленная электроника. 48, 249–257 (2001).
Кимото, Т. и Купер, Дж. А. Основы технологии карбида кремния Основы технологии карбида кремния: рост, характеристика, устройства и применение. Том. Кимото, Т. и Купер, Дж. А. Основы технологии карбида кремния Основы технологии карбида кремния: рост, характеристика, устройства и применение. Том.Кимото, Т. и Купер, Дж. А. Основы технологии карбида кремния Основы технологии карбида кремния: рост, характеристики, устройства и применение. Том. Кимото, Т. и Купер, Дж.А. Кимото, Т. и Купер, Дж. А. База углеродно-кремниевой технологии. База углеродно-кремниевой технологии: рост, описание, оборудование и объем применения.Кимото, Т. и Купер, Дж. Основы технологии карбида кремния Основы технологии карбида кремния: выращивание, характеристики, оборудование и применение. Том.252 (Wiley Singapore Pte Ltd, 2014).
Велиадис, В. Крупномасштабная коммерциализация SiC: существующее положение дел и препятствия, которые необходимо преодолеть. alma mater. наука. Форум 1062, 125–130 (2022).
Бротон, Дж., Смет, В., Туммала, Р.Р. и Джоши, Й.К. Обзор технологий термоупаковки для автомобильной силовой электроники для тяговых целей. Бротон, Дж., Смет, В., Туммала, Р.Р. и Джоши, Й.К. Обзор технологий термоупаковки для автомобильной силовой электроники для тяговых целей.Бротон, Дж., Смет, В., Туммала, Р.Р. и Джоши, Ю.К. Обзор технологий термоупаковки для автомобильной силовой электроники для тяговых целей. Бротон Дж., Смет В., Туммала Р.Р. и Джоши Ю.К. Бротон Дж., Смет В., Туммала Р.Р. и Джоши Ю.К.Бротон, Дж., Смет, В., Туммала, Р.Р. и Джоши, Ю.К. Обзор технологии термоупаковки для автомобильной силовой электроники для тяговых целей.J. Electron. Package. trance. ASME 140, 1-11 (2018).
Сато, К., Като, Х. и Фукусима, Т. Разработка тяговой системы на основе SiC для высокоскоростных поездов Синкансэн следующего поколения. Сато, К., Като, Х. и Фукусима, Т. Разработка тяговой системы на основе SiC для высокоскоростных поездов Синкансэн следующего поколения.Сато К., Като Х. и Фукусима Т. Разработка прикладной тяговой системы SiC для высокоскоростных поездов Синкансэн следующего поколения.Сато К., Като Х. и Фукусима Т. Разработка тяговой системы для применения SiC в высокоскоростных поездах Синкансэн следующего поколения. Приложение IEEJ J. Ind. 9, 453–459 (2020).
Сензаки, Дж., Хаяси, С., Ёнэдзава, Й. и Окумура, Х. Проблемы создания высоконадежных силовых устройств на основе SiC: текущий статус и проблемы пластин SiC. Сензаки, Дж., Хаяси, С., Ёнэдзава, Й. и Окумура, Х. Проблемы создания высоконадежных силовых устройств на основе SiC: текущий статус и проблемы пластин SiC.Сензаки, Дж., Хаяси, С., Ёнэдзава, Й. и Окумура, Х. Проблемы внедрения высоконадежных силовых SiC-устройств: начиная с текущего состояния и проблемы пластин SiC. Сензаки Дж., Хаяси С., Ёнезава Ю. и Окумура Х. 实现高可靠性SiC и SiC 晶圆的现状和问题来看. Сензаки Дж., Хаяси С., Ёнезава Ю. и Окумура Х. Проблема достижения высокой надежности силовых устройств на основе SiC: от SiC 晶圆的电视和问题设计.Сензаки Дж., Хаяси С., Ёнэдзава Й. и Окумура Х. Проблемы разработки высоконадежных силовых устройств на основе карбида кремния: обзор состояния и проблем, связанных с пластинами карбида кремния.На Международном симпозиуме IEEE по физике надежности (IRPS) 2018 г. (ред. Сензаки, Дж. и др.) 3B.3-1-3B.3-6 (IEEE, 2018).
Ким, Д. и Сунг, В. Повышение устойчивости к коротким замыканиям для 1,2-киловольтного 4H-SiC МОП-транзистора с использованием глубокой P-карманной структуры, реализованной путем канальной имплантации. Ким, Д. и Сунг, В. Повышение устойчивости к коротким замыканиям для 1,2-киловольтного 4H-SiC МОП-транзистора с использованием глубокой P-карманной структуры, реализованной путем канальной имплантации.Ким, Д. и Сунг, В. Улучшенная устойчивость к короткому замыканию для 1,2 кВ 4H-SiC MOSFET с использованием глубокого P-кармана, реализованного путем имплантации канала. Ким, Д. и Сунг, В. Ким, Д. и Сунг, В.П. 4H-SiC MOSFET, 1,2 кВКим, Д. и Сунг, В. Улучшение устойчивости к короткому замыканию 1,2 кВ 4H-SiC МОП-транзисторов с использованием глубоких P-карманов путем имплантации каналов.Письмо IEEE по электронным устройствам, том 42, 1822–1825 (2021).
Сковронски М. и др. Рекомбинационно-усиленное движение дефектов в 4H-SiC pn-диодах с прямым смещением. J. Application. Physics. 92, 4699–4704 (2002).
Ха, С., Мешковски, П., Сковронски, М. и Роуленд, Л. Б. Преобразование дислокаций при эпитаксии карбида кремния 4H. Ха, С., Мешковски, П., Сковронски, М. и Роуленд, Л. Б. Преобразование дислокаций при эпитаксии карбида кремния 4H.Ха С., Мешковски П., Сковронски М. и Роуленд Л.Б. Трансформация дислокаций во время эпитаксии карбида кремния 4H. Ха, С., Мешковски, П., Сковронски, М. и Роуленд, Л.Б. 4H. Ха, С., Мешковски, П., Сковронски, М. и Роуленд, Л.Б. 4H Ха, С., Мешковски, П., Сковронски, М. и Роуленд, Л.Б.Дислокационный переход 4H в эпитаксии карбида кремния.Дж. Кристал. Рост 244, 257–266 (2002).
Сковронски, М. и Ха, С. Деградация гексагональных биполярных устройств на основе карбида кремния. Сковронски, М. и Ха, С. Деградация гексагональных биполярных устройств на основе карбида кремния.Сковронски М. и Ха С. Деградация гексагональных биполярных устройств на основе карбида кремния. Сковронски М. и Ха С. Сковронски М. и Ха С.Сковронски М. и Ха С. Деградация гексагональных биполярных устройств на основе карбида кремния.Ж. Прикладная физика 99, 011101 (2006).
Агарвал, А., Фатима, Х., Хейни, С. и Рю, С.-Х. Агарвал, А., Фатима, Х., Хейни, С. и Рю, С.-Х.Агарвал А., Фатима Х., Хейни С. и Рю С.-Х. Агарвал, А., Фатима, Х., Хейни, С. и Рю, С.-Х. Агарвал, А., Фатима, Х., Хейни, С. и Рю, С.-Х.Агарвал А., Фатима Х., Хейни С. и Рю С.-Х.Новый механизм деградации высоковольтных силовых SiC-MOSFET. IEEE Electronic Devices Lett. 28, 587–589 (2007).
Колдуэлл, Дж. Д., Штальбуш, Р. Э., Анкона, М. Г., Глембоцки, О. Дж. и Хобарт, К. Д. О движущей силе движения дефектов упаковки, вызванного рекомбинацией, в 4H–SiC. Колдуэлл, Дж. Д., Штальбуш, Р. Э., Анкона, М. Г., Глембоцки, О. Дж. и Хобарт, К. Д. О движущей силе движения дефектов упаковки, вызванного рекомбинацией, в 4H-SiC.Колдуэлл, Дж. Д., Столбуш, Р. Э., Анкона, М. Г., Глембоки, О. Дж. и Хобарт, К. Д. О движущей силе движения дефектов упаковки, вызванного рекомбинацией, в 4H-SiC. Колдуэлл, Дж.Д., Сталбуш, Р.Э., Анкона, М.Г., Глембоцки, О.Дж. и Хобарт, К.Д. Колдуэлл, Дж.Д., Сталбуш, Р.Э., Анкона, М.Г., Глембоцки, О.Дж. и Хобарт, К.Д.Колдуэлл, Дж. Д., Столбуш, Р. Э., Анкона, М. Г., Глембоки, О. Дж. и Хобарт, К. Д., О движущей силе движения дефектов упаковки, вызванного рекомбинацией в 4H-SiC.Ж. Прикладная физика. 108, 044503 (2010).
Иидзима, А. и Кимото, Т. Модель электронной энергии для образования одиночного дефекта упаковки Шокли в кристаллах 4H-SiC. Иидзима, А. и Кимото, Т. Модель электронной энергии для образования одиночного дефекта упаковки Шокли в кристаллах 4H-SiC.Иидзима, А. и Кимото, Т. Электронно-энергетическая модель образования одиночных дефектов упаковки Шокли в кристаллах 4H-SiC. Иидзима, А. и Кимото, Т. 4H-SiC, Shockley 堆垛层错形成的电子能量模型. Иидзима, А. и Кимото, Т. Электронная энергетическая модель образования одиночного дефекта упаковки Шокли в кристалле 4H-SiC.Иидзима, А. и Кимото, Т. Электронно-энергетическая модель формирования единичной дефектной упаковки Шокли в кристаллах 4H-SiC.Журнал прикладной физики 126, 105703 (2019).
Иидзима, А. и Кимото, Т. Оценка критического условия расширения/сжатия одиночных дефектов упаковки Шокли в 4H-SiC PiN-диодах. Иидзима, А. и Кимото, Т. Оценка критического условия расширения/сжатия одиночных дефектов упаковки Шокли в 4H-SiC PiN-диодах.Иидзима, А. и Кимото, Т. Оценка критического состояния расширения/сжатия одиночных дефектов упаковки Шокли в 4H-SiC PiN-диодах. Иидзима, А. и Кимото, Т. 估计4H-SiC PiN 二极管中单个Shockley 堆垛层错膨胀/收缩的临界条件. Иидзима, А. и Кимото, Т. Оценка условий расширения/сжатия одиночного слоя укладки Шокли в 4H-SiC PiN-диодах.Иидзима, А. и Кимото, Т. Оценка критических условий расширения/сжатия упаковки одиночных дефектов Шокли в 4H-SiC PiN-диодах.прикладная физика Райт. 116, 092105 (2020).
Маннен, Ю., Шимада, К., Асада, К. и Отани, Н. Модель действия квантовой ямы для образования одиночного дефекта упаковки Шокли в кристалле 4H-SiC в неравновесных условиях. Маннен, Ю., Шимада, К., Асада, К. и Отани, Н. Модель действия квантовой ямы для образования одиночного дефекта упаковки Шокли в кристалле 4H-SiC в неравновесных условиях.Маннен Ю., Шимада К., Асада К. и Отани Н. Модель квантовой ямы для образования одиночного дефекта упаковки Шокли в кристалле 4H-SiC в неравновесных условиях.Маннен Ю., Шимада К., Асада К. и Отани Н. Модель взаимодействия квантовых ям для образования одиночных дефектов упаковки Шокли в кристаллах 4H-SiC в неравновесных условиях. Журнал прикладной физики. 125, 085705 (2019).
Галецкас, А., Линнрос, Дж. и Пируз, П. Дефекты упаковки, вызванные рекомбинацией: доказательства общего механизма в гексагональном SiC. Галецкас, А., Линнрос, Дж. и Пируз, П. Дефекты упаковки, вызванные рекомбинацией: доказательства общего механизма в гексагональном SiC.Галецкас, А., Линнрос, Дж. и Пируз, П. Дефекты упаковки, вызванные рекомбинацией: доказательство общего механизма в гексагональном SiC. Галецкас А., Линнрос Дж. и Пируз П. Галецкас, А., Линнрос, Дж. и Пируз, П. Доказательства общего механизма композитного индукционного стекирования слоев: 六方SiC.Галецкас, А., Линнрос, Дж. и Пируз, П. Дефекты упаковки, вызванные рекомбинацией: доказательство общего механизма в гексагональном SiC.физика пастор Райт. 96, 025502 (2006).
Ишикава, Я., Судо, М., Яо, Я.-З., Сугавара, Я. и Като, М. Расширение одиночного дефекта упаковки Шокли в эпитаксиальном слое 4H-SiC (11 2 ¯0), вызванное облучением электронным пучком.Ишикава, Я., М. Судо, Облучение пучком Y-Z.Исикава Ю., Судо М., Ю.-З. Психология.Бокс, Ю., М. Судо, Y.-Z Chem., J. Chem., 123, 225101 (2018).
Като, М., Катахира, С., Ичикава, Й., Харада, С. и Кимото, Т. Наблюдение рекомбинации носителей заряда в одиночных дефектах упаковки Шокли и при частичных дислокациях в 4H-SiC. Като, М., Катахира, С., Ичикава, Й., Харада, С. и Кимото, Т. Наблюдение рекомбинации носителей заряда в одиночных дефектах упаковки Шокли и при частичных дислокациях в 4H-SiC.Като М., Катахира С., Итикава Й., Харада С. и Кимото Т. Наблюдение рекомбинации носителей заряда в одиночных дефектах упаковки Шокли и частичных дислокациях в 4H-SiC. Като М., Катахира С., Итикава Ю., Харада С. и Кимото Т. 单Shockley 堆垛层错和4H-SiC 部分位错中载流子复合的观察. Като М., Катахира С., Итикава Ю., Харада С. и Кимото Т. «Стекирование Шокли и частичное стекирование 4H-SiC».Като М., Катахира С., Итикава Й., Харада С. и Кимото Т. Наблюдение рекомбинации носителей заряда в одиночных дефектах упаковки Шокли и частичных дислокациях в 4H-SiC.Журнал прикладной физики 124, 095702 (2018).
Кимото, Т. и Ватанабэ, Х. Формирование дефектов в технологии SiC для высоковольтных силовых устройств. Кимото, Т. и Ватанабэ, Х. Формирование дефектов в технологии SiC для высоковольтных силовых устройств.Кимото, Т. и Ватанабэ, Х. Развитие дефектов в технологии SiC для высоковольтных силовых приборов. Кимото Т. и Ватанабэ Х. 用于高压功率器件的SiC 技术中的缺陷工程. Кимото, Т. и Ватанабэ, Х. Формирование дефектов в технологии SiC для высоковольтных силовых устройств.Кимото, Т. и Ватанабэ, Х. Развитие дефектов в технологии SiC для высоковольтных силовых приборов.прикладная физика Экспресс 13, 120101 (2020).
Чжан, З. и Сударшан, Т.С. Базисная бездислокационная эпитаксия карбида кремния. Чжан, З. и Сударшан, Т.С. Базисная бездислокационная эпитаксия карбида кремния.Чжан З. и Сударшан Т.С. Бездислокационная эпитаксия карбида кремния в базисной плоскости. Чжан З. и Сударшан Т.С. 碳化硅基面无位错外延. Чжан, З. и Сударшан, Т.С.Чжан З. и Сударшан Т.С. Бездислокационная эпитаксия базисных плоскостей карбида кремния.утверждение. физика. Райт. 87, 151913 (2005).
Чжан, З., Моултон, Э. и Сударшан, Т.С. Механизм устранения дислокаций базисной плоскости в тонких пленках SiC путем эпитаксии на протравленной подложке. Чжан, З., Моултон, Э. и Сударшан, Т.С. Механизм устранения дислокаций базисной плоскости в тонких пленках SiC путем эпитаксии на протравленной подложке.Чжан З., Моултон Э. и Сударшан Т.С. Механизм устранения дислокаций базовой плоскости в тонких пленках SiC эпитаксией на протравленной подложке. Чжан З., Моултон Э. и Сударшан Т.С. Чжан, З., Моултон, Э. и Сударшан, Т.С. Механизм устранения тонкой пленки SiC путем травления подложки.Чжан З., Моултон Э. и Сударшан Т.С. Механизм устранения дислокаций базовой плоскости в тонких пленках SiC эпитаксией на протравленных подложках.прикладная физика Райт. 89, 081910 (2006).
Шталбуш Р.Э. и др. Прерывание роста приводит к уменьшению дислокаций базисной плоскости при эпитаксии 4H-SiC. Заявление. Физика. Райт. 94, 041916 (2009).
Чжан, С. и Цучида, Х. Преобразование дислокаций базисной плоскости в пронизывающие краевые дислокации в эпитаксиальных слоях 4H-SiC путем высокотемпературного отжига. Чжан, С. и Цучида, Х. Преобразование дислокаций базисной плоскости в пронизывающие краевые дислокации в эпитаксиальных слоях 4H-SiC путем высокотемпературного отжига.Чжан, Х. и Цучида, Х. Трансформация дислокаций базисной плоскости в пронизывающие краевые дислокации в эпитаксиальных слоях 4H-SiC путем высокотемпературного отжига. Чжан, X. и Цучида, Х. Чжан X. и Цучида Х. 通过高温退火将4H-SiCЧжан, Х. и Цучида, Х. Трансформация дислокаций базовой плоскости в дислокации краевых нитей в эпитаксиальных слоях 4H-SiC путем высокотемпературного отжига.Журнал прикладной физики. 111, 123512 (2012).
Сонг, Х. и Сударшан, Т.С. Преобразование дислокации базисной плоскости вблизи интерфейса эпитаксиальный слой/подложка при эпитаксиальном росте 4° внеосевого 4H–SiC. Сонг, Х. и Сударшан, Т.С. Преобразование дислокации базисной плоскости вблизи интерфейса эпитаксиальный слой/подложка при эпитаксиальном росте 4° внеосевого 4H–SiC.Сонг, Х. и Сударшан, Т.С. Трансформация дислокаций базисной плоскости вблизи интерфейса эпитаксиальный слой/подложка во время внеосевого эпитаксиального роста 4H–SiC. Сонг, Х. и Сударшан, Т.С. Сонг, Х. и Сударшан, TS 在4° 离轴4H-SiC Сонг, Х. и Сударшан, Т.С.Планарный дислокационный переход подложки вблизи границы эпитаксиальный слой/подложка при эпитаксиальном росте 4H-SiC вне оси 4°.Дж. Кристал. Рост 371, 94–101 (2013).
Кониши, К. и др. При сильном токе распространение дефекта упаковки дислокаций базисной плоскости в эпитаксиальных слоях 4H-SiC трансформируется в нитевидные краевые дислокации. J. Application. Physics. 114, 014504 (2013).
Кониши, К. и др. Разработка эпитаксиальных слоёв для биполярных неразлагаемых SiC МОП-транзисторов путём обнаружения расширенных очагов зарождения дефектов упаковки при оперативном рентгеновском топографическом анализе. AIP Advanced 12, 035310 (2022).
Лин, С. и др. Влияние структуры дислокаций базисной плоскости на распространение одиночного дефекта упаковки типа Шокли при спаде прямого тока 4H-SiC pin-диодов. Япония. J. Application. Physics. 57, 04FR07 (2018).
Тахара, Т. и др. Короткое время жизни неосновных носителей заряда в богатых азотом эпитаксиальных слоях 4H-SiC используется для подавления дефектов упаковки в PiN-диодах. J. Application. Physics. 120, 115101 (2016).
Тахара, Т. и др. Зависимость концентрации инжектированных носителей заряда от распространения одиночного дефекта упаковки Шокли в 4H-SiC PiN-диодах. J. Application. Physics 123, 025707 (2018).
Мэй, С., Тавара, Т., Цучида, Х. и Като, М. Микроскопическая система FCA для измерения времени жизни носителей заряда с разрешением по глубине в SiC. Мэй, С., Тавара, Т., Цучида, Х. и Като, М. Микроскопическая система FCA для измерения времени жизни носителей заряда с разрешением по глубине в SiC.Мэй, С., Тавара, Т., Цучида, Х. и Като, М. Микроскопическая система FCA для измерения времени жизни носителей заряда с разрешением по глубине в карбиде кремния. Мэй, С., Тавара, Т., Цучида, Х. и Като, М. «SiC 中深度分辨载流子寿命测量的显微FCA». Мэй, С., Тавара, Т., Цучида, Х. и Като, М. Для системы FCA средней глубины SiC.Мэй С., Тавара Т., Цучида Х. и Като М. Система Micro-FCA для измерения времени жизни носителей заряда с разрешением по глубине в карбиде кремния.Научный форум alma mater 924, 269–272 (2018).
Хираяма, Т. и др. Распределение времени жизни носителей заряда по глубине в толстых эпитаксиальных слоях 4H-SiC было измерено неразрушающим методом с использованием временного разрешения поглощения свободных носителей заряда и перекрещивающегося света. Переключитесь на науку. метр. 91, 123902 (2020).
Время публикации: 06 ноября 2022 г.
