Ẹ ṣeun fún ṣíbẹ̀wò sí Nature.com. Ẹ̀yà ẹ̀rọ ìṣàwárí tí ẹ ń lò ní àtìlẹ́yìn CSS díẹ̀. Fún ìrírí tí ó dára jùlọ, a gbà yín nímọ̀ràn pé kí ẹ lo ẹ̀rọ ìṣàwárí tí a ti mú gbóná (tàbí kí ẹ mú Ìbáramu Ipò nínú Internet Explorer kúrò). Ní àkókò yìí, láti rí i dájú pé a ń tẹ̀síwájú láti ṣe àtìlẹ́yìn, a ó ṣe àtìlẹ́yìn sí ojú-òpó wẹ́ẹ̀bù náà láìsí àwọn àṣà àti JavaScript.
Wọ́n ti sọ 4H-SiC di ohun èlò fún àwọn ẹ̀rọ power semiconductor. Síbẹ̀síbẹ̀, ìgbẹ́kẹ̀lé ìgbà pípẹ́ ti àwọn ẹ̀rọ 4H-SiC jẹ́ ìdènà fún lílò wọn káàkiri, àti ìṣòro ìgbẹ́kẹ̀lé pàtàkì jùlọ ti àwọn ẹ̀rọ 4H-SiC ni ìbàjẹ́ bipolar. Ìbàjẹ́ yìí jẹ́ nítorí ìdàgbàsókè Shockley stacking fault (1SSF) kan ṣoṣo ti ìtújáde basal plane dislocations nínú àwọn kirisita 4H-SiC. Níbí, a dámọ̀ràn ọ̀nà kan fún dídínà ìfẹ̀sí 1SSF nípa fífi àwọn proton sínú àwọn wafer epitaxial 4H-SiC. Àwọn diodes PiN tí a ṣe lórí àwọn wafers pẹ̀lú ìfísí proton fi àwọn ànímọ́ current-voltage kan náà hàn gẹ́gẹ́ bí àwọn diodes láìsí ìfísí proton. Ní ìyàtọ̀ sí èyí, ìfẹ̀sí 1SSF ni a dínkù dáadáa nínú diodes PiN tí a fi sí proton. Nítorí náà, ìfísí àwọn protons sínú àwọn wafer epitaxial 4H-SiC jẹ́ ọ̀nà tí ó munadoko fún dídínà ìbàjẹ́ bipolar ti àwọn ẹ̀rọ power semiconductor 4H-SiC nígbàtí ó ń ṣe ìtọ́jú iṣẹ́ ẹ̀rọ. Àbájáde yìí ń ṣe àfikún sí ìdàgbàsókè àwọn ẹ̀rọ 4H-SiC tí ó ṣeé gbẹ́kẹ̀lé gidigidi.
A mọ̀ pé ohun èlò semiconductor ni silicon carbide (SiC) jẹ́ ohun èlò semiconductor fún àwọn ẹ̀rọ semiconductor oní agbára gíga, onígbà púpọ̀ tí ó lè ṣiṣẹ́ ní àwọn àyíká líle koko. Ọ̀pọ̀lọpọ̀ onírúurú SiC ló wà, lára wọn ni 4H-SiC ní àwọn ohun ìní ti ara semiconductor tó dára bíi ìṣíkiri elekitironi gíga àti pápá iná mànàmáná tó bàjẹ́ gidigidi2. Àwọn wafer 4H-SiC pẹ̀lú ìwọ̀n 6 inches ni a ń tà lọ́wọ́lọ́wọ́, a sì ń lò ó fún ìṣẹ̀dá àwọn ẹ̀rọ semiconductor oní agbára3. A ń lo àwọn ẹ̀rọ semiconductor oní agbára 4H-SiC4.5 láti ṣe àwọn ẹ̀rọ semiconductor oní agbára 4H-SiC4.5. Síbẹ̀síbẹ̀, àwọn ẹ̀rọ 4H-SiC ṣì ń jìyà àwọn ìṣòro ìgbẹ́kẹ̀lé ìgbà pípẹ́ bíi ìbàjẹ́ dielectric tàbí ìgbẹ́kẹ̀lé kukuru, 6,7 nínú èyí tí ọ̀kan lára àwọn ọ̀ràn ìgbẹ́kẹ̀lé pàtàkì jùlọ ni ìbàjẹ́ bipolar2,8,9,10,11. A ṣàwárí ìbàjẹ́ bipolar yìí ní ogún ọdún sẹ́yìn, ó sì ti jẹ́ ìṣòro fún ṣíṣe ẹ̀rọ SiC fún ìgbà pípẹ́.
Ìbàjẹ́ bípolar jẹ́ nítorí àbùkù Shockley stack kan ṣoṣo (1SSF) nínú àwọn kirisita 4H-SiC pẹ̀lú àwọn ìdènà basal plane (BPDs) tí ń tànkálẹ̀ nípasẹ̀ ìdàpọ̀ enhanced dislocation glide (REDG)12,13,14,15,16,17,18,19. Nítorí náà, tí a bá dín ìfẹ̀sí BPD kù sí 1SSF, a lè ṣe àwọn ẹ̀rọ agbára 4H-SiC láìsí ìbàjẹ́ bípolar. Ọ̀pọ̀lọpọ̀ ọ̀nà ni a ti ròyìn láti dín ìtẹ̀síwájú BPD kù, bíi BPD sí Thread Edge Dislocation (TED) transformation 20,21,22,23,24. Nínú àwọn wafers epitaxial SiC tuntun, BPD wà nínú substrate náà kìí ṣe nínú epitaxial layer nítorí ìyípadà BPD sí TED nígbà ìpele ìbẹ̀rẹ̀ ti ìdàgbàsókè epitaxial. Nítorí náà, ìṣòro ìbàjẹ́ bípolar tó kù ni ìpínkiri BPD nínú substrate 25,26,27. A ti dámọ̀ràn fífi “ìpele ìfàmọ́ra àpapọ̀” sí àárín ìpele ìfàmọ́ra àti ìpele ìpele gẹ́gẹ́ bí ọ̀nà tó munadoko láti dín ìfàmọ́ra BPD kù nínú ìpele ìpele 28, 29, 30, 31. Ìpele yìí mú kí ìṣeeṣe ìdàpọ̀ ìpele ...
Nítorí pé ìfàsẹ́yìn BPD sí 1SSF nílò ìṣípò àwọn ìpín ìtúpalẹ̀ (PDs), fífí PD náà jẹ́ ọ̀nà tó dára láti dènà ìbàjẹ́ bipolar. Bó tilẹ̀ jẹ́ pé a ti ròyìn fífí PD pẹ̀lú àwọn ohun tí kò ní irin, àwọn FPD nínú àwọn substrates 4H-SiC wà ní ìjìnnà tó ju 5 μm lọ láti ojú ilẹ̀ epitaxial. Ní àfikún, níwọ̀n ìgbà tí ìpín ìtúpalẹ̀ ti irin èyíkéyìí nínú SiC kéré gan-an, ó ṣòro fún àwọn ohun tí kò ní irin láti tàn káàkiri sínú substrate34. Nítorí ìwọ̀n atomiki tó pọ̀ tó ti àwọn irin, fífí ion sínú àwọn irin tún ṣòro. Ní ìyàtọ̀ sí èyí, nínú ọ̀ràn hydrogen, ohun tó fúyẹ́ jùlọ, a lè fi àwọn ions (protons) sínú 4H-SiC sí ìjìnlẹ̀ tó ju 10 µm lọ nípa lílo ohun èlò accelerator MeV-class. Nítorí náà, tí fífí proton bá ní ipa lórí fífí PD, a lè lò ó láti dín ìtànkálẹ̀ BPD kù nínú substrate náà. Síbẹ̀síbẹ̀, fífí proton sínú le ba 4H-SiC jẹ́ kí ó sì dín iṣẹ́ ẹ̀rọ kù37,38,39,40.
Láti borí ìbàjẹ́ ẹ̀rọ nítorí ìfàmọ́ra proton, a ń lo ìfàmọ́ra ooru gíga láti tún ìbàjẹ́ ṣe, gẹ́gẹ́ bí ọ̀nà ìfàmọ́ra tí a sábà máa ń lò lẹ́yìn ìfàmọ́ra ion acceptor nínú ìṣiṣẹ́ ẹ̀rọ1, 40, 41, 42. Bó tilẹ̀ jẹ́ pé ìṣàfihàn ion mass spectrometry (SIMS)43 ti ròyìn ìfọ́sífọ́ọ̀sì hydrogen nítorí ìfàmọ́ra ooru gíga, ó ṣeé ṣe kí ìwọ̀n àwọn átọ̀mù hydrogen tí ó wà nítòsí FD nìkan kò tó láti rí ìfàmọ́ra PR nípa lílo SIMS. Nítorí náà, nínú ìwádìí yìí, a fi àwọn proton sínú àwọn wafer epitaxial 4H-SiC kí a tó ṣe iṣẹ́ ẹ̀rọ náà, pẹ̀lú ìfàmọ́ra otutu gíga. A lo àwọn diodes PiN gẹ́gẹ́ bí àwọn ètò ẹ̀rọ ìwádìí a sì ṣe wọ́n lórí àwọn wafer epitaxial 4H-SiC tí a fi proton sínú. Lẹ́yìn náà, a kíyèsí àwọn ànímọ́ volt-ampere láti kẹ́kọ̀ọ́ nípa ìbàjẹ́ iṣẹ́ ẹ̀rọ nítorí ìfàmọ́ra proton. Lẹ́yìn náà, a kíyèsí ìfẹ̀sí 1SSF nínú àwọn àwòrán electroluminescence (EL) lẹ́yìn lílo folti iná mànàmáná sí diode PiN. Níkẹyìn, a fìdí ipa tí abẹ́rẹ́ proton ní lórí bí a ṣe ń dín ìfẹ̀sí 1SSF kù.
Ní orí àwòrán 1, àwòrán náà fi àwọn ànímọ́ ìṣiṣẹ́-fóltéèjì (CVCs) ti àwọn diodes PiN hàn ní iwọ̀n otutu yàrá ní àwọn agbègbè tí wọ́n ní àti láìsí ìfúnpọ̀ proton ṣáájú ìfúnpọ̀ pulsed current. Àwọn diodes PiN pẹ̀lú ìfúnpọ̀ proton fi àwọn ànímọ́ ìtúnṣe tí ó jọ àwọn diodes láìsí ìfúnpọ̀ proton hàn, bó tilẹ̀ jẹ́ pé àwọn ànímọ́ IV ni a pín láàárín àwọn diodes náà. Láti fi ìyàtọ̀ hàn láàrín àwọn ipò ìfúnpọ̀, a ṣe àwòrán ìgbìyànjú foltéèjì ní ìwọ̀n ìṣiṣẹ́ síwájú ti 2.5 A/cm2 (tí ó bá 100 mA mu) gẹ́gẹ́ bí àwòrán ìṣirò gẹ́gẹ́ bí a ṣe fihàn nínú Àwòrán 2. Ìwọ̀n tí a súnmọ́ nípa ìpínkiri déédé tún dúró fún ìlà ìlà tí ó ní àmì. Gẹ́gẹ́ bí a ṣe lè rí láti orí àwọn ìlà náà, ìdúró-ì ... A tún ṣe ìtọ́jú proton lẹ́yìn ṣíṣe àwọn diodes PiN tí kò fi electroluminescence tó dọ́gba hàn nítorí ìbàjẹ́ tí ìtọ́jú proton fà gẹ́gẹ́ bí a ṣe fihàn nínú Àwòrán S1 gẹ́gẹ́ bí a ti ṣàlàyé rẹ̀ nínú àwọn ìwádìí ìṣáájú37,38,39. Nítorí náà, ìtọ́jú annealing ní 1600 °C lẹ́yìn ìtọ́jú Al ions jẹ́ ìlànà pàtàkì láti ṣe àwọn ẹ̀rọ láti mu Al acceptor ṣiṣẹ́, èyí tí ó lè tún ìbàjẹ́ tí ìtọ́jú proton fà ṣe, èyí tí ó mú kí CVCs dọ́gba láàárín àwọn diodes PiN proton tí a fi sínú àti èyí tí kò fi sínú. A tún gbé ìyípadà ìṣiṣẹ́ ní -5 V kalẹ̀ nínú Àwòrán S2, kò sí ìyàtọ̀ pàtàkì láàárín àwọn diodes pẹ̀lú àti láìsí ìtọ́jú proton.
Àwọn ànímọ́ volt-ampere ti àwọn diode PiN pẹ̀lú àti láìsí àwọn proton tí a fún ní iwọ̀n otutu yàrá. Àlàyé náà fi ìwọ̀n àwọn proton hàn.
Ìwọ̀n fóltéèjì ní ìṣàn taara 2.5 A/cm2 fún àwọn diodes PiN pẹ̀lú àwọn proton tí a fún ní abẹ́rẹ́ àti àwọn tí kò fún ní abẹ́rẹ́. Ìlà àmì náà bá ìpínkiri déédé mu.
Ní orí àwòrán 3, a fi àwòrán EL ti diode PiN kan hàn pẹ̀lú ìwọ̀n ìṣiṣẹ́ lọ́wọ́lọ́wọ́ ti 25 A/cm2 lẹ́yìn foliteji. Kí a tó lo ẹrù ìṣiṣẹ́ agbára, a kò rí àwọn agbègbè dúdú ti diode náà, gẹ́gẹ́ bí a ṣe fihàn ní Àwòrán 3. C2. Ṣùgbọ́n, gẹ́gẹ́ bí a ṣe fihàn ní Àwòrán 3a, nínú diode PiN láìsí ìfiranṣẹ́ proton, a ṣe àkíyèsí ọ̀pọ̀lọpọ̀ àwọn agbègbè dúdú pẹ̀lú àwọn etí ìmọ́lẹ̀ lẹ́yìn lílo foliteji iná mànàmáná. Irú àwọn agbègbè dúdú tí ó dàbí ọ̀pá ni a ṣe àkíyèsí nínú àwọn àwòrán EL fún 1SSF tí ó nà láti BPD nínú substrate28,29. Dípò bẹ́ẹ̀, a ṣe àkíyèsí àwọn àbùkù ìfiranṣẹ́ gígùn nínú àwọn diode PiN pẹ̀lú àwọn proton tí a fi sínú, gẹ́gẹ́ bí a ṣe fihàn ní Àwòrán 3b–d. Nípa lílo àwòrán X-ray, a fìdí rẹ̀ múlẹ̀ pé àwọn PR tó lè gbéra láti BPD sí substrate ní ẹ̀gbẹ́ àwọn olùbáṣepọ̀ nínú diode PiN láìsí abẹ́rẹ́ proton (Àwòrán 4: àwòrán yìí láìsí yíyọ elekitirodu òkè kúrò (tí a yàwòrán rẹ̀, PR lábẹ́ elekitirodu kò hàn). Nítorí náà, agbègbè dúdú nínú àwòrán EL bá 1SSF BPD tó gùn sí i mu nínú substrate náà. Àwọn àwòrán EL ti àwọn diode PiN mìíràn tó wúwo hàn ni a fihàn nínú Àwòrán 1 àti 2. Àwọn fídíò S3-S6 pẹ̀lú àti láìsí àwọn agbègbè dúdú tó gùn sí i (àwọn àwòrán EL tó yàtọ̀ síra ti àwọn diode PiN láìsí abẹ́rẹ́ proton tí a sì fi sínú 1014 cm-2) tún hàn nínú Àfikún Ìwífún.
Àwọn àwòrán EL ti àwọn diodes PiN ní 25 A/cm2 lẹ́yìn wákàtí méjì ti ìdààmú iná mànàmáná (a) láìsí ìfisí proton àti pẹ̀lú àwọn ìwọ̀n tí a fisí (b) 1012 cm-2, (c) 1014 cm-2 àti (d) 1016 cm-2 protons.
A ṣírò iwuwo 1SSF tí a fẹ̀ sí nípa ṣíṣírò àwọn agbègbè dúdú pẹ̀lú àwọn etí dídán nínú àwọn diode PiN mẹ́ta fún ipò kọ̀ọ̀kan, gẹ́gẹ́ bí a ṣe fihàn ní Àwòrán 5. Ìwọ̀n 1SSF tí a fẹ̀ sí dínkù pẹ̀lú bí a ṣe ń pọ̀ sí i ní ìwọ̀n proton, àti pàápàá ní ìwọ̀n 1012 cm-2, ìwọ̀n 1SSF tí a fẹ̀ sí kéré gan-an ju ti diode PiN tí a kò fi sínú rẹ̀ lọ.
Àfikún ìwọ̀n àwọn diode SF PiN pẹ̀lú àti láìsí ìfisí proton lẹ́yìn tí a fi ìṣàn pulsed kún un (ipò kọ̀ọ̀kan ní àwọn diode mẹ́ta tí a fi sínú rẹ̀).
Kíkúrú ìgbésí ayé olùgbé náà tún ní ipa lórí ìfàsẹ́yìn ìfàsẹ́yìn, àti abẹ́rẹ́ proton dín ìgbésí ayé olùgbé náà kù32,36. A ti kíyèsí ìgbésí ayé olùgbé náà ní ìpele epitaxial tí ó nípọn 60 µm pẹ̀lú àwọn proton tí a fún ní abẹ́rẹ́ tí ó jẹ́ 1014 cm-2. Láti ìgbà ayé olùgbé náà ní ìbẹ̀rẹ̀, bó tilẹ̀ jẹ́ pé ìfàsẹ́yìn dín iye rẹ̀ kù sí ~10%, ìfàsẹ́yìn tí ó tẹ̀lé e mú un padà sí ~50%, gẹ́gẹ́ bí a ṣe fihàn nínú Àwòrán S7. Nítorí náà, ìgbésí ayé olùgbé náà, tí ó dínkù nítorí ìfàsẹ́yìn proton, ni a tún ṣe àtúnṣe rẹ̀ nípa fífúnni ní iwọ̀n otútù gíga. Bó tilẹ̀ jẹ́ pé ìdínkù 50% nínú ìgbésí ayé olùgbé náà tún ń dín ìtànkálẹ̀ àwọn àbùkù ìdìpọ̀ kù, àwọn ànímọ́ I–V, tí ó sábà máa ń sinmi lórí ìgbésí ayé olùgbé náà, fi àwọn ìyàtọ̀ díẹ̀ hàn láàárín àwọn diodes tí a fún ní abẹ́rẹ́ àti àwọn tí kò fún ní abẹ́rẹ́. Nítorí náà, a gbàgbọ́ pé ìfàsẹ́yìn PD ń kó ipa nínú dídínà ìfàsẹ́yìn 1SSF.
Bó tilẹ̀ jẹ́ pé SIMS kò rí hydrogen lẹ́yìn tí ó ti gbóná ní 1600°C, gẹ́gẹ́ bí a ti ròyìn rẹ̀ nínú àwọn ìwádìí ìṣáájú, a kíyèsí ipa tí ìfúnpọ̀ proton ní lórí ìdíwọ́ ìfẹ̀sí 1SSF, gẹ́gẹ́ bí a ṣe fihàn ní Àwòrán 1 àti 4. 3, 4. Nítorí náà, a gbàgbọ́ pé àwọn átọ̀mù hydrogen tí ó wà ní ìsàlẹ̀ ààlà ìwárí SIMS (2 × 1016 cm-3) ló so PD pọ̀ mọ́ PD tàbí àwọn àbùkù ojú tí ìfúnpọ̀ náà fà. Ó yẹ kí a kíyèsí pé a kò tíì fìdí rẹ̀ múlẹ̀ pé ìdààmú ipò-ìpínlẹ̀ pọ̀ sí i nítorí ìfàgùn 1SSF lẹ́yìn ìfúnpọ̀ agbára ìṣàn. Èyí lè jẹ́ nítorí àwọn ìfọwọ́sowọ́pọ̀ ohmic tí a ṣe nípa lílo ìlànà wa, èyí tí a óò mú kúrò ní ọjọ́ iwájú.
Ní ìparí, a ṣe àgbékalẹ̀ ọ̀nà ìpanu láti fa BPD sí 1SSF nínú àwọn diodes 4H-SiC PiN nípa lílo ìfiranṣẹ́ proton kí a tó ṣe ẹ̀rọ. Ìbàjẹ́ ànímọ́ I–V nígbà ìfiranṣẹ́ proton kò tó nǹkan, pàápàá jùlọ ní ìwọ̀n proton tí ó jẹ́ 1012 cm–2, ṣùgbọ́n ipa ti dídínà ìfẹ̀sí 1SSF jẹ́ pàtàkì. Bó tilẹ̀ jẹ́ pé nínú ìwádìí yìí, a ṣe àwọn diodes PiN tí ó nípọn 10 µm pẹ̀lú ìfiranṣẹ́ proton sí ìjìnlẹ̀ 10 µm, ó ṣì ṣeé ṣe láti mú kí àwọn ipò ìfiranṣẹ́ sunwọ̀n sí i kí a sì lò wọ́n láti ṣe àwọn irú ẹ̀rọ 4H-SiC mìíràn. Ó yẹ kí a gbé àwọn owó afikún fún ìfiranṣẹ́ ẹ̀rọ nígbà ìfiranṣẹ́ proton yẹ̀ wò, ṣùgbọ́n wọn yóò jọ ti ìfiranṣẹ́ aluminiomu ion, èyí tí ó jẹ́ ìlànà ìfiranṣẹ́ pàtàkì fún àwọn ẹ̀rọ agbára 4H-SiC. Nítorí náà, ìfiranṣẹ́ proton ṣáájú ìfiranṣẹ́ ẹ̀rọ jẹ́ ọ̀nà tí ó ṣeé ṣe fún ṣíṣe àwọn ẹ̀rọ agbára bipolar 4H-SiC láìsí ìbàjẹ́.
A lo wafer n-type 4H-SiC 4-inch pẹlu sisanra fẹlẹfẹlẹ epitaxial ti 10 µm ati ifọkansi doping fundraiser ti 1 × 1016 cm–3 gẹgẹbi ayẹwo. Ṣaaju ki o to ṣiṣẹ ẹrọ naa, a fi awọn ions H+ sinu awo naa pẹlu agbara iyara ti 0.95 MeV ni iwọn otutu yara si ijinle nipa 10 μm ni igun deede si oju awo naa. Lakoko gbigbe proton sii, a lo iboju-boju lori awo kan, awo naa si ni awọn apakan laisi ati pẹlu iwọn lilo proton ti 1012, 1014, tabi 1016 cm-2. Lẹhinna, a fi awọn ions Al pẹlu awọn iwọn lilo proton ti 1020 ati 1017 cm–3 sori gbogbo wafer naa si ijinle 0–0.2 µm ati 0.2–0.5 µm lati oju omi naa, atẹle nipa fifin ni 1600°C lati ṣe ideri erogba lati ṣe fẹlẹfẹlẹ ap. -type. Lẹ́yìn náà, a gbé ìfọwọ́kan Ni apá ẹ̀yìn sí apá ìsàlẹ̀ náà, nígbà tí a gbé ìfọwọ́kan Ti/Al tí ó ní ìrísí 2.0 mm × 2.0 mm ní apá iwájú tí a ṣe nípasẹ̀ photolithography, a sì gbé ìfọwọ́kan peeling sí apá ìpele epitaxial. Níkẹyìn, a ṣe ìfọwọ́kan contact annealing ní iwọ̀n otútù 700 °C. Lẹ́yìn tí a gé wafer náà sí àwọn ìpẹ́ẹ̀rẹ́, a ṣe ìṣàfihàn wahala àti ìlò rẹ̀.
A ṣe àkíyèsí àwọn ànímọ́ I–V ti àwọn diodes PiN tí a ṣe nípa lílo ohun èlò ìṣàyẹ̀wò paramita HP4155B semiconductor. Gẹ́gẹ́ bí ìdààmú iná mànàmáná, a ṣe àgbékalẹ̀ ìṣàn 10-millisecond ti 212.5 A/cm2 fún wákàtí 2 ní ìgbígbà 10 pulses/sẹ́ẹ̀kì. Nígbà tí a yan ìwọ̀n agbára tàbí ìgbígbà tí ó kéré sí i, a kò kíyèsí ìfẹ̀sí 1SSF kódà nínú diodes PiN láìsí abẹ́rẹ́ proton. Nígbà fóltéèjì iná mànàmáná tí a lò, ìgbóná ti diodes PiN wà ní nǹkan bí 70°C láìsí ìgbóná tí a mọ̀ọ́mọ̀, gẹ́gẹ́ bí a ṣe fihàn nínú Àwòrán S8. A gba àwọn àwòrán electroluminescent ṣáájú àti lẹ́yìn ìdààmú iná mànàmáná ní ìwọ̀n agbára 25 A/cm2. Ìṣẹ̀lẹ̀ ìṣàfihàn Synchrotron grazing topography X-ray nípa lílo monochromatic X-ray beam (λ = 0.15 nm) ní Aichi Synchrotron Radiation Center, vector ag nínú BL8S2 jẹ́ -1-128 tàbí 11-28 (wo ìtọ́kasí 44 fún àwọn ẹ̀kúnrẹ́rẹ́).
A fa ìgbóná folti jáde ní ìwọ̀n ìṣàn síwájú ti 2.5 A/cm2 pẹ̀lú ààrín 0.5 V ní àwòrán 2 gẹ́gẹ́ bí CVC ti ipò kọ̀ọ̀kan ti diode PiN. Láti inú ìwọ̀n àròpín ti stress Vave àti ìyípadà standard σ ti stress, a ṣe àwòrán ìlà ìpínkiri déédé ní ìrísí ìlà oníwọ̀n nínú Àwòrán 2 nípa lílo ìṣirò yìí:
Werner, MR & Fahrner, WR Àtúnyẹ̀wò lórí àwọn ohun èlò, àwọn ẹ̀rọ amóhùnmáwòrán kékeré, àwọn ètò àti àwọn ẹ̀rọ fún àwọn ohun èlò tí ó ní iwọ̀n otútù gíga àti àyíká líle. Werner, MR & Fahrner, WR Àtúnyẹ̀wò lórí àwọn ohun èlò, àwọn ẹ̀rọ amóhùnmáwòrán kékeré, àwọn ètò àti àwọn ẹ̀rọ fún àwọn ohun èlò tí ó ní iwọ̀n otútù gíga àti àyíká líle.Werner, MR àti Farner, WR Àkópọ̀ àwọn ohun èlò, àwọn ẹ̀rọ amóhùnmáwòrán kékeré, àwọn ètò àti àwọn ẹ̀rọ fún lílò ní àwọn àyíká tí ó le koko àti tí ó le koko. Werner, MR & Fahrner, WR Werner, MR & Fahrner, WR Àtúnyẹ̀wò àwọn ohun èlò, àwọn ẹ̀rọ amóhùnmáwòrán kékeré, àwọn ètò àti àwọn ẹ̀rọ fún àwọn ohun èlò àyíká tí ó ní iwọ̀n otútù gíga àti àwọn ohun èlò tí kò dára.Werner, MR àti Farner, WR Àkópọ̀ àwọn ohun èlò, àwọn ẹ̀rọ amóhùnmáwòrán kékeré, àwọn ètò àti àwọn ẹ̀rọ fún lílò ní àwọn iwọ̀n otútù gíga àti àwọn ipò líle koko.Ẹ̀rọ itanna IEEE Trans. Ilé iṣẹ́. 48, 249–257 (2001).
Kimoto, T. & Cooper, JA Awọn ipilẹ ti imọ-ẹrọ Silicon Carbide Awọn ipilẹ ti imọ-ẹrọ Silicon Carbide: Idagbasoke, Ṣiṣe abuda, Awọn ẹrọ ati Awọn ohun elo Vol. Kimoto, T. & Cooper, JA Awọn ipilẹ ti imọ-ẹrọ Silicon Carbide Awọn ipilẹ ti imọ-ẹrọ Silicon Carbide: Idagbasoke, Ṣiṣe abuda, Awọn ẹrọ ati Awọn ohun elo Vol.Kimoto, T. àti Cooper, JA Àwọn Ìpìlẹ̀ ti Ìmọ̀-ẹ̀rọ Silicon Carbide Àwọn Ìpìlẹ̀ ti Ìmọ̀-ẹ̀rọ Silicon Carbide: Ìdàgbàsókè, Àwọn Àbùdá, Àwọn Ẹ̀rọ àti Àwọn Ìlò Ìdìpọ̀. Kimoto, T. & Cooper, JA 碳化硅技术基础碳化硅技术基础：增长、表征、设备和应用卷。 Kimoto, T. & Cooper, JA Ipilẹ imọ-ẹrọ Carbon化silicon Ipilẹ imọ-ẹrọ Carbon化silicon: idagbasoke, apejuwe, ohun elo ati iwọn lilo.Kimoto, T. àti Cooper, J. Àwọn Ìpìlẹ̀ ti Ìmọ̀-ẹ̀rọ Carbide Silicon Àwọn Ìpìlẹ̀ ti Ìmọ̀-ẹ̀rọ Carbide Silicon: Ìdàgbàsókè, Àwọn Ànímọ́, Ohun èlò àti Àwọn Ìlò Ìdìpọ̀.252 (Wiley Singapore Pte Ltd, 2014).
Veliadis, V. Ṣíṣe Ìtajà SiC Tó Tóbi: Ipò Tó Wà àti Àwọn Ìdènà Tí A Óò Borí. alma mater. ìmọ̀ sáyẹ́ǹsì. Forum 1062, 125–130 (2022).
Broughton, J., Smet, V., Tummala, RR & Joshi, YK Àtúnyẹ̀wò àwọn ìmọ̀ ẹ̀rọ ìpamọ́ ooru fún ẹ̀rọ itanna agbára ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ fún ìdí ìfàmọ́ra. Broughton, J., Smet, V., Tummala, RR & Joshi, YK Àtúnyẹ̀wò àwọn ìmọ̀ ẹ̀rọ ìpamọ́ ooru fún ẹ̀rọ itanna agbára ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ fún ìdí ìfàmọ́ra.Broughton, J., Smet, V., Tummala, RR ati Joshi, YK Akopọ awọn imọ-ẹrọ iṣakojọpọ ooru fun awọn ẹrọ itanna agbara ọkọ ayọkẹlẹ fun awọn idi fifa. Broughton, J., Smet, V., Tummala, RR & Joshi, YK 用于牵引目的汽车电力电子热封装技术的回顾。 Broughton, J., Smet, V., Tummala, RR & Joshi, YKBroughton, J., Smet, V., Tummala, RR ati Joshi, YK Akopọ imọ-ẹrọ iṣakojọpọ ooru fun awọn ẹrọ itanna agbara ọkọ ayọkẹlẹ fun awọn idi fifa.J. Electron. Àpò. trance. ASME 140, 1-11 (2018).
Sato, K., Kato, H. & Fukushima, T. Ìdàgbàsókè ètò ìfàmọ́ra SiC fún àwọn ọkọ̀ ojú irin iyara gíga Shinkansen tí ń bọ̀. Sato, K., Kato, H. & Fukushima, T. Ìdàgbàsókè ètò ìfàmọ́ra SiC fún àwọn ọkọ̀ ojú irin iyara gíga Shinkansen tí ń bọ̀.Sato K., Kato H. àti Fukushima T. Ìdàgbàsókè ètò ìfàmọ́ra SiC tí a lò fún àwọn ọkọ̀ ojú irin Shinkansen oníyàrá gíga tí ń bọ̀.Sato K., Kato H. àti Fukushima T. Ìdàgbàsókè Ètò Ìfàmọ́ra fún Àwọn Ohun Èlò SiC fún Àwọn Ọkọ̀ Ojú Irin Shinkansen Oníyàra Gíga Tí Ń Bọ̀. Àfikún IEEJ J. Ind. 9, 453–459 (2020).
Senzaki, J., Hayashi, S., Yonezawa, Y. & Okumura, H. Àwọn ìpèníjà láti ṣe àgbékalẹ̀ àwọn ẹ̀rọ agbára SiC tí ó ṣeé gbẹ́kẹ̀lé: Láti ipò àti àwọn ọ̀ràn ìsinsìnyí ti àwọn wafers SiC. Senzaki, J., Hayashi, S., Yonezawa, Y. & Okumura, H. Àwọn ìpèníjà láti ṣe àgbékalẹ̀ àwọn ẹ̀rọ agbára SiC tí ó ṣeé gbẹ́kẹ̀lé: Láti ipò àti àwọn ọ̀ràn ìsinsìnyí ti àwọn wafers SiC.Senzaki, J., Hayashi, S., Yonezawa, Y. àti Okumura, H. Àwọn ìṣòro nínú ìlò àwọn ẹ̀rọ agbára SiC tí ó ṣeé gbẹ́kẹ̀lé gidigidi: bẹ̀rẹ̀ láti ipò ìsinsìnyí àti ìṣòro wafer SiC. Senzaki, J., Hayashi, S., Yonezawa, Y. & Okumura, H. 实现高可靠性SiC 功率器件的挑战：从 SiC Senzaki, J., Hayashi, S., Yonezawa, Y. & Okumura, H. Ipenija ti iyọrisi igbẹkẹle giga ni awọn ẹrọ agbara SiC: lati SiC 晶圆的电视和问题设计。Senzaki J, Hayashi S, Yonezawa Y. àti Okumura H. Àwọn ìpèníjà nínú ìdàgbàsókè àwọn ẹ̀rọ agbára tí ó ṣeé gbẹ́kẹ̀lé tí ó dá lórí silicon carbide: àtúnyẹ̀wò ipò àti àwọn ìṣòro tí ó níí ṣe pẹ̀lú silicon carbide wafers.Ní ìpàdé àpérò àgbáyé ti IEEE ti ọdún 2018 lórí ìmọ̀ ìgbẹ́kẹ̀lé físíìsì (IRPS). (Senzaki, J. àti àwọn ẹlẹgbẹ́ rẹ̀) 3B.3-1-3B.3-6 (IEEE, 2018).
Kim, D. & Sung, W. Mu agbara kukuru ti o lagbara dara si fun 1.2kV 4H-SiC MOSFET nipa lilo P-well jinna ti a ṣe nipasẹ gbigbe ifibọ sii. Kim, D. & Sung, W. Mu agbara kukuru ti o lagbara dara si fun 1.2kV 4H-SiC MOSFET nipa lilo P-well jinna ti a ṣe nipasẹ gbigbe ifibọ sii.Kim, D. àti Sung, V. A mu ajesara kukuru-circuit dara si fun 1.2 kV 4H-SiC MOSFET nipa lilo P-well jinna ti a ṣe nipasẹ gbigbe ikanni. Kim, D. & Sung, W. 使用通过沟道注入实现的深P 阱提高了1.2kV 4H-SiC MOSFET 的短路耐用性。 Kim, D. & Sung, W. P 阱提高了1.2kV 4H-SiC MOSFETKim, D. àti Sung, V. A mu ifarada kukuru ti 1.2 kV 4H-SiC MOSFETs dara si nipa lilo awọn P-wells jinna nipasẹ gbigbe ikanni.Ìwé Ẹ̀rọ Itanna IEEE Lett. 42, 1822–1825 (2021).
Skowronski M. àti àwọn ẹlòmíràn. Ìṣípòpọ̀-ìṣípòpọ̀ àwọn àbùkù nínú àwọn diode pn 4H-SiC tí ó ní ìtẹ̀síwájú. J. Ìlò. physics. 92, 4699–4704 (2002).
Ha, S., Mieszkowski, P., Skowronski, M. & Rowland, LB Ìyípadà ìyípadà nínú 4H silicon carbide epitaxy. Ha, S., Mieszkowski, P., Skowronski, M. & Rowland, LB Ìyípadà ìyípadà nínú 4H silicon carbide epitaxy.Ha S., Meszkowski P., Skowronski M. àti Rowland LB Ìyípadà ìtúpalẹ̀ nígbà epitaxy silicon carbide 4H. Ha, S., Mieszkowski, P., Skowronski, M. & Rowland, LB 4H 碳化硅外延中的位错转换。 Ha, S., Mieszkowski, P., Skowronski, M. & Rowland, LB 4H Ha, S., Meszkowski, P., Skowronski, M. & Rowland, LBÌyípadà ìyípadà 4H nínú fíìmù onígun mẹ́ta ti silikoni.J. Crystal. Ìdàgbàsókè 244, 257–266 (2002).
Skowronski, M. & Ha, S. Ìbàjẹ́ àwọn ẹ̀rọ bipolar tí ó ní silikoni-carbide onígun mẹ́rin. Skowronski, M. & Ha, S. Ìbàjẹ́ àwọn ẹ̀rọ bipolar tí ó ní silikoni-carbide onígun mẹ́rin.Skowronski M. àti Ha S. Ìbàjẹ́ àwọn ẹ̀rọ onígun mẹ́rin onígun mẹ́fà tí a gbé karí silicon carbide. Skowronski, M. & Ha, S. 六方碳化硅基双极器件的降解。 Skowronski M. àti Ha S.Skowronski M. àti Ha S. Ìbàjẹ́ àwọn ẹ̀rọ onígun mẹ́rin onígun mẹ́fà tí a gbé karí silicon carbide.J. Ìlò. físíìsì 99, 011101 (2006).
Agarwal, A., Fatima, H., Haney, S. àti Ryu, S.-H. Agarwal, A., Fatima, H., Haney, S. àti Ryu, S.-H.Agarwal A., Fatima H., Heini S. àti Ryu S.-H. Agarwal, A., Fatima, H., Haney, S. àti Ryu, S.-H. Agarwal, A., Fatima, H., Haney, S. àti Ryu, S.-H.Agarwal A., Fatima H., Heini S. àti Ryu S.-H.Ẹ̀rọ ìbàjẹ́ tuntun kan fún àwọn MOSFET agbára SiC oní-fóltéèjì gíga. IEEE Electronic Devices Lett. 28, 587–589 (2007).
Caldwell, JD, Stahlbush, RE, Ancona, MG, Glembocki, OJ & Hobart, KD Lori agbara iwakọ fun iṣipopada-idapọ-asopọ-aṣiṣe ti o fa ni 4H–SiC. Caldwell, JD, Stahlbush, RE, Ancona, MG, Glembocki, OJ & Hobart, KD Lori agbara iwakọ fun iṣipopada-induced stacking fabric motion in 4H-SiC.Caldwell, JD, Stalbush, RE, Ancona, MG, Glemboki, OJ, àti Hobart, KD. Nípa agbára ìwakọ̀ ti ìṣípopọ̀-ìfàsẹ́yìn àṣìṣe ìṣiṣẹ́ ní 4H-SiC. Caldwell, JD, Stahlbush, RE, Ancona, MG, Glembocki, OJ & Hobart, KD 关于4H-SiC 中复合引起的层错运动的驱动力。 Caldwell, JD, Stahlbush, RE, Ancona, MG, Glembocki, OJ & Hobart, KDCaldwell, JD, Stalbush, RE, Ancona, MG, Glemboki, OJ, àti Hobart, KD, Lórí agbára ìwakọ̀ ti ìṣípopọ̀-ìfàsẹ́yìn àṣìṣe ìṣàkópọ̀ nínú 4H-SiC.J. Ìlò. físíìsì. 108, 044503 (2010).
Iijima, A. & Kimoto, T. Àwòṣe agbára ẹ̀rọ itanna fún ìṣẹ̀dá àṣìṣe Shockley kan ṣoṣo nínú àwọn kirisita 4H-SiC. Iijima, A. & Kimoto, T. Àwòṣe agbára ẹ̀rọ itanna fún ìṣẹ̀dá àṣìṣe Shockley kan ṣoṣo nínú àwọn kirisita 4H-SiC.Iijima, A. àti Kimoto, T. Àwòṣe agbára Electron ti ìṣẹ̀dá àwọn àbùkù kan ṣoṣo ti ìpapọ̀ Shockley nínú àwọn kirisita 4H-SiC. Iijima, A. & Kimoto, T. 4H-SiC 晶体中单Shockley 堆垛层错形成的电子能量模型。 Iijima, A. & Kimoto, T. Àwòṣe agbára ẹ̀rọ itanna ti ìṣẹ̀dá àbùkù Shockley kan ṣoṣo nínú kírísítà 4H-SiC.Iijima, A. àti Kimoto, T. Àwòṣe agbára Electron ti ìṣẹ̀dá àbùkù kan ṣoṣo ti ìdìpọ̀ Shockley nínú àwọn kirisita 4H-SiC.J. Ìlò. físíìsì 126, 105703 (2019).
Iijima, A. & Kimoto, T. Ìṣirò ipò pàtàkì fún ìfẹ̀sí/ìdínkù àwọn àbùkù ìdìpọ̀ Shockley kan ṣoṣo nínú àwọn diode PiN 4H-SiC. Iijima, A. & Kimoto, T. Ìṣirò ipò pàtàkì fún ìfẹ̀sí/ìdínkù àwọn àbùkù ìdìpọ̀ Shockley kan ṣoṣo nínú àwọn diode PiN 4H-SiC.Iijima, A. àti Kimoto, T. Ìṣirò ipò pàtàkì fún ìfẹ̀sí/ìfúnpọ̀ àwọn àbùkù ìdìpọ̀ Shockley kan ṣoṣo nínú àwọn diodes 4H-SiC PiN. Iijima, A. & Kimoto, T. 估计4H-SiC PiN 二极管中单个Shockley 堆垛层错膨胀/收缩的临界条件。 Iijima, A. & Kimoto, T. Ìṣirò àwọn ipò ìfẹ̀sí/ìfàsẹ́yìn ìpele Shockley kan ṣoṣo nínú àwọn diode PiN 4H-SiC.Iijima, A. àti Kimoto, T. Ìṣirò àwọn ipò pàtàkì fún ìfẹ̀sí/ìfúnpọ̀ àbùkù kanṣoṣo Shockley nínú àwọn diodes 4H-SiC PiN.físíìsì ìlò Wright. 116, 092105 (2020).
Mannen, Y., Shimada, K., Asada, K. & Ohtani, N. Àpẹẹrẹ ìgbésẹ̀ kanga Quantum fún ìṣẹ̀dá àbùkù ìdìpọ̀ Shockley kan ṣoṣo nínú kirisita 4H-SiC lábẹ́ àwọn ipò tí kò ní ìwọ́ntúnwọ́nsí. Mannen, Y., Shimada, K., Asada, K. & Ohtani, N. Àpẹẹrẹ ìgbésẹ̀ kanga Quantum fún ìṣẹ̀dá àbùkù ìdìpọ̀ Shockley kan ṣoṣo nínú kirisita 4H-SiC lábẹ́ àwọn ipò tí kò ní ìwọ́ntúnwọ́nsí.Mannen Y., Shimada K., Asada K., àti Otani N. Àpẹẹrẹ kànga kuantum kan fún ìṣẹ̀dá àbùkù ìdìpọ̀ Shockley kan ṣoṣo nínú kirisita 4H-SiC lábẹ́ àwọn ipò tí kò dọ́gba.Mannen Y., Shimada K., Asada K. àti Otani N. Àwòrán ìbáṣepọ̀ kànga Quantum fún ìṣẹ̀dá àwọn àbùkù ìdìpọ̀ Shockley kan ṣoṣo nínú àwọn kirisita 4H-SiC lábẹ́ àwọn ipò tí kò ní ìwọ́ntúnwọ́nsí. J. Ìlò. fisiksi. 125, 085705 (2019).
Galeckas, A., Linnros, J. & Pirouz, P. Àṣìṣe ìdìpọ̀ tí a fa àtúnṣe: Ẹ̀rí fún ètò gbogbogbòò nínú SiC onígun mẹ́rin. Galeckas, A., Linnros, J. & Pirouz, P. Àṣìṣe ìdìpọ̀ tí a fa àtúnṣe: Ẹ̀rí fún ètò gbogbogbòò nínú SiC onígun mẹ́rin.Galeckas, A., Linnros, J. àti Pirouz, P. Àwọn Àbùkù Ìkópọ̀ Tí A Ṣe Láti Ṣe Àtúnṣe: Ẹ̀rí fún Ìlànà Tó Wọ́pọ̀ Nínú SiC Onígun Méjì. Galeckas, A., Linnros, J. & Pirouz, P. 复合诱导的堆垛层错：六方SiC 中一般机制的证据。 Galeckas, A., Linnros, J. & Pirouz, P. Ẹ̀rí fún ìlànà gbogbogbòò ti ìpele ìṣàkójọpọ̀ induction: 六方SiC.Galeckas, A., Linnros, J. àti Pirouz, P. Àwọn Àbùkù Ìkópọ̀ Tí A Ṣe Láti Ṣe Àtúnṣe: Ẹ̀rí fún Ìlànà Tó Wọ́pọ̀ Nínú SiC Onígun Méjì.físíìsì Pásítọ̀ Wright. 96, 025502 (2006).
Ishikawa, Y., Sudo, M., Yao, Y.-Z., Sugawara, Y. & Kato, M. Ìfẹ̀sí àbùkù Shockley kan ṣoṣo nínú ìpele epitaxial 4H-SiC (11 2 ¯0) tí ìtànṣán ìtànṣán itanna fà.Ishikawa, Y., M. Sudo, ìtànṣán ìtànṣán Y.-Z.Ishikawa, Y., Sudo M., Y.-Z Psychology.Apoti, Ю., M. Судо, Y.-Z Chem., J. Chem., 123, 225101 (2018).
Kato, M., Katahira, S., Ichikawa, Y., Harada, S. & Kimoto, T. Àkíyèsí ìdàpọ̀ àwọn ohun èlò tí ń gbé nǹkan pọ̀ nínú àwọn àbùkù Shockley kan ṣoṣo àti ní àwọn ìyọkúrò díẹ̀ nínú 4H-SiC. Kato, M., Katahira, S., Ichikawa, Y., Harada, S. & Kimoto, T. Àkíyèsí ìdàpọ̀ àwọn ohun èlò tí ń gbé nǹkan pọ̀ nínú àwọn àbùkù Shockley kan ṣoṣo àti ní àwọn ìyọkúrò díẹ̀ nínú 4H-SiC.Kato M., Katahira S., Itikawa Y., Harada S. àti Kimoto T. Àkíyèsí Ìdàpọ̀ Alágbèéká nínú Àbùkù Àkójọpọ̀ Shockley Kan àti Ìyọkúrò Apá kan nínú 4H-SiC. Kato, M., Katahira, S., Ichikawa, Y., Harada, S. & Kimoto, T. 单Shockley 堆垛层错和4H-SiC 部分位错中载流子复合的跟 Kato, M., Katahira, S., Ichikawa, Y., Harada, S. & Kimoto, T. 单Shockley stacking stacking和4H-SiC partial 位错中载流子去生的可以。Kato M., Katahira S., Itikawa Y., Harada S. àti Kimoto T. Àkíyèsí Ìdàpọ̀ Alágbèéká nínú Àbùkù Àkójọpọ̀ Shockley Kan àti Ìyọkúrò Apá kan nínú 4H-SiC.J. Ìlò. físíìsì 124, 095702 (2018).
Kimoto, T. & Watanabe, H. Ẹ̀rọ ìṣiṣẹ́ tó ní àbùkù nínú ìmọ̀ ẹ̀rọ SiC fún àwọn ẹ̀rọ agbára fóltéèjì gíga. Kimoto, T. & Watanabe, H. Ẹ̀rọ ìṣiṣẹ́ tó ní àbùkù nínú ìmọ̀ ẹ̀rọ SiC fún àwọn ẹ̀rọ agbára fóltéèjì gíga.Kimoto, T. àti Watanabe, H. Ìdàgbàsókè àwọn àbùkù nínú ìmọ̀ ẹ̀rọ SiC fún àwọn ẹ̀rọ agbára fóltéèjì gíga. Kimoto, T. & Watanabe, H. 用于高压功率器件的SiC 技术中的缺陷工程。 Kimoto, T. & Watanabe, H. Ẹ̀rọ ìṣiṣẹ́ tó ní àbùkù nínú ìmọ̀ ẹ̀rọ SiC fún àwọn ẹ̀rọ agbára fóltéèjì gíga.Kimoto, T. àti Watanabe, H. Ìdàgbàsókè àwọn àbùkù nínú ìmọ̀ ẹ̀rọ SiC fún àwọn ẹ̀rọ agbára fóltéèjì gíga.físíìsì ìlò Express 13, 120101 (2020).
Zhang, Z. & Sudarshan, TS Ẹ̀yà ara ọkọ̀ òfurufú Basal tí kò ní ìyípadà nínú rẹ̀ ti silikoni carbide. Zhang, Z. & Sudarshan, TS Ẹ̀yà ara ọkọ̀ òfurufú Basal tí kò ní ìyípadà nínú rẹ̀ ti silikoni carbide.Zhang Z. àti Sudarshan TS. Ẹ̀yà ara tí kò ní ìtúpalẹ̀ ti silikoni carbide nínú basal plane. Zhang, Z. & Sudarshan, TS 碳化硅基面无位错外延。 Zhang, Z. & Sudarshan, TSZhang Z. àti Sudarshan TS. Ẹ̀yà ara ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ onígun mẹ́ta tí kò ní ìtúpalẹ̀.gbólóhùn. fisiksi. Wright. 87, 151913 (2005).
Zhang, Z., Moulton, E. & Sudarshan, TS Ọ̀nà láti mú ìtúpalẹ̀ basal plane kúrò nínú àwọn fíìmù tinrin SiC nípa lílo epitaxy lórí ohun èlò tí a fi ewé kọ. Zhang, Z., Moulton, E. & Sudarshan, TS Ọ̀nà láti mú ìtúpalẹ̀ basal plane kúrò nínú àwọn fíìmù tinrin SiC nípa lílo epitaxy lórí ohun èlò tí a fi ewé kọ.Zhang Z., Moulton E. àti Sudarshan TS Ọ̀nà láti mú ìtúpalẹ̀ àwọn ìsàlẹ̀ ọkọ̀ ojú omi kúrò nínú àwọn fíìmù SiC tín-ín-rín nípa lílo epitaxy lórí ohun èlò tí a fi ewé kọ. Zhang, Z., Moulton, E. & Sudarshan, TS 通过在蚀刻衬底上外延消除SiC 薄膜中基面位错的机制。 Zhang, Z., Moulton, E. & Sudarshan, TS Ọ̀nà tí a fi ń mú fíìmù SiC tín-ín-rín kúrò nípa fífi ìkọ́ sí orí ilẹ̀ náà.Zhang Z., Moulton E. àti Sudarshan TS Ọ̀nà láti mú ìtúpalẹ̀ àwọn ìsàlẹ̀ ọkọ̀ ojú omi kúrò nínú àwọn fíìmù SiC tín-ín-rín nípa lílo epitaxy lórí àwọn ohun èlò tí a fi ewé kọ.físíìsì ìlò Wright. 89, 081910 (2006).
Shtalbush RE àti àwọn ẹlòmíràn. Ìdádúró ìdàgbàsókè ń yọrí sí ìdínkù nínú àwọn ìyọkúrò ìpele basal nígbà epitaxy 4H-SiC. gbólóhùn. fisiksi. Wright. 94, 041916 (2009).
Zhang, X. & Tsuchida, H. Ìyípadà àwọn ìtúpalẹ̀ basal plane sí ìtúpalẹ̀ etí tí ó ní okùn nínú àwọn epilayers 4H-SiC nípasẹ̀ ìtúpalẹ̀ ooru gíga. Zhang, X. & Tsuchida, H. Ìyípadà àwọn ìtúpalẹ̀ basal plane sí ìtúpalẹ̀ etí tí ó ní okùn nínú àwọn epilayers 4H-SiC nípasẹ̀ ìtúpalẹ̀ ooru gíga.Zhang, X. àti Tsuchida, H. Ìyípadà àwọn ìtúpalẹ̀ basal plane sí ìtúpalẹ̀ etí tí ó ní okùn nínú àwọn fẹ́lẹ́fẹ́lẹ́ epitaxial 4H-SiC nípasẹ̀ ìtúpalẹ̀ ooru gíga. Zhang, X. & Tsuchida, H. 通过高温退火将4H-SiC 外延层中的基面位错转化为螺纹刃位错。 Zhang, X. & Tsuchida, H. 通过高温退火将4H-SiCZhang, X. àti Tsuchida, H. Ìyípadà àwọn ìtúpalẹ̀ ìpìlẹ̀ sí ìtúpalẹ̀ etí filament nínú àwọn fẹ́lẹ́fẹ́lẹ́ epitaxial 4H-SiC nípasẹ̀ ìtúpalẹ̀ ooru gíga.J. Ìlò. físíìsì. 111, 123512 (2012).
Song, H. & Sudarshan, TS Ìyípadà ìtúpalẹ̀ plane basal nítòsí ìsopọ̀ epilayer/substrate nínú ìdàgbàsókè epitaxial ti 4° off-axis 4H–SiC. Song, H. & Sudarshan, TS Ìyípadà ìtúpalẹ̀ plane basal nítòsí ìsopọ̀ epilayer/substrate nínú ìdàgbàsókè epitaxial ti 4° off-axis 4H–SiC.Song, H. àti Sudarshan, TS Ìyípadà àwọn ìtúpalẹ̀ basal plane nitosi ìpele epitaxial/substrate nígbí ìdàgbàsókè epitaxial off-axis ti 4H–SiC. Song, H. & Sudarshan, TS 在4° 离轴4H-SiC 外延生长中外延层/衬底界面附近的基底平面位错转换。 Orin, H. & Sudarshan, TS 在4 ° 离轴4H-SiC Song, H. & Sudarshan, TSÌyípadà ìtúpalẹ̀ ìpele ti substrate nitosi ààlà epitaxial/substrate nígbà ìdàgbàsókè epitaxial ti 4H-SiC ní ìta axis 4°.J. Crystal. Ìdàgbàsókè 371, 94–101 (2013).
Konishi, K. àti àwọn ẹlòmíràn. Ní ìṣàn omi gíga, ìtànkálẹ̀ àbùkù ìyípadà ìpele basal plane nínú àwọn fẹlẹfẹlẹ epitaxial 4H-SiC yípadà sí ìyípadà etí filament. J. Application. physics. 114, 014504 (2013).
Konishi, K. àti àwọn ẹlòmíràn. Ṣe àgbékalẹ̀ àwọn ìpele epitaxial fún SiC MOSFETs bipolar tí kò lè bàjẹ́ nípa wíwá àwọn ibi ìfàsẹ́yìn àbùkù nucleation tí ó gùn nínu ìṣàyẹ̀wò X-ray topographic. AIP Advanced 12, 035310 (2022).
Lin, S. àti àwọn ẹlòmíràn. Ipa ti ìṣètò ìtúpalẹ̀ basal plane lórí ìtànkálẹ̀ àṣìṣe stacking kan ṣoṣo tí ó ń ṣẹlẹ̀ nígbà tí àwọn diode pin 4H-SiC bá ń jẹrà síwájú. Japan. J. Ohun èlò. physics. 57, 04FR07 (2018).
Tahara, T., àti àwọn ẹlòmíràn. A lo ìgbésí ayé onígbèsè kékeré díẹ̀ nínú àwọn epilayers 4H-SiC tí ó ní nitrogen láti dín àwọn àbùkù ìdìpọ̀ nínú àwọn diode PiN kù. J. Application. physics. 120, 115101 (2016).
Tahara, T. àti àwọn ẹlòmíràn. Ìgbẹ́kẹ̀lé ìfọkànsí àwọn ohun èlò tí a fi abẹ́rẹ́ ṣe lórí ìtẹ̀síwájú àṣìṣe Shockley kan ṣoṣo nínú àwọn diode PiN 4H-SiC. J. Application. Physics 123, 025707 (2018).
Mae, S., Tawara, T., Tsuchida, H. & Kato, M. Ètò FCA oníwòrán fún ìwọ̀n ìgbésí ayé agbékalẹ̀ tí a ti yanjú ní SiC. Mae, S., Tawara, T., Tsuchida, H. & Kato, M. Ètò FCA oníwòrán fún ìwọ̀n ìgbésí ayé agbékalẹ̀ tí a ti yanjú ní SiC.Mei, S., Tawara, T., Tsuchida, H. àti Kato, M. Ètò Aláwòrán FCA fún Àwọn Ìwọ̀n Ìgbésí Ayé Aláwòrán Tí Ó Gbóná Jìn-ín-rín Nínú Ohun Èlò Aláwòrán Silicon Carbide. Mae, S., Tawara, T., Tsuchida, H. & Kato, M. 用于SiC 中深度分辨载流子寿命测量的显微FCA 系统。 Mae, S., Tawara, T., Tsuchida, H. & Kato, M. Fun SiC alabọde-ijinle 分辨载流子iye wiwọn igbesi aye的月微FCA eto.Mei S., Tawara T., Tsuchida H. àti Kato M. Ètò Micro-FCA fún àwọn ìwọ̀n ìgbésí ayé amúlétutù tí a yanjú ní ìwọ̀n jíjìn nínú silikoni carbide.Àpérò ìmọ̀ sáyẹ́ǹsì alma mater 924, 269–272 (2018).
Hirayama, T. àti àwọn ẹlòmíràn. A wọn ìpínkiri jíjìn ti ìgbésí ayé àwọn olùgbé nínú àwọn fẹ́lẹ́fẹ́lẹ́ epitaxial 4H-SiC tí ó nípọn láìsí ìparun nípa lílo ìpinnu àkókò ti gbígbà ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ ọ̀fẹ́ àti ìmọ́lẹ̀ tí a rékọjá. Yípadà sí ìmọ̀ sáyẹ́ǹsì. mita. 91, 123902 (2020).
Àkókò ìfìwéránṣẹ́: Oṣù Kọkànlá-06-2022
