Faafetai mo lou asiasi mai i le Nature.com. O le lomiga o le browser o loʻo e faʻaaogaina e le lava le lagolago CSS. Mo le poto masani sili ona lelei, matou te fautuaina oe e faʻaaoga se browser ua faʻafouina (pe tape le Compatibility Mode i le Internet Explorer). I le taimi nei, ina ia mautinoa le faʻaauauina o le lagolago, o le a matou faʻaalia le 'upega tafaʻilagi e aunoa ma ni sitaili ma JavaScript.
Ua fa'apisinisiina le 4H-SiC o se mea e fa'aaogaina mo masini semiconductor eletise. Peita'i, o le fa'atuatuaina umi o masini 4H-SiC o se fa'alavelave i lo latou fa'aaogaina lautele, ma o le fa'afitauli sili ona taua o le fa'atuatuaina o masini 4H-SiC o le fa'aleagaina o le bipolar. O lenei fa'aleagaina e mafua mai i le fa'asalalauina o le fa'aletonu o le Shockley stacking (1SSF) o le basal plane dislocations i totonu o tioata 4H-SiC. O iinei, matou te fautuaina ai se metotia mo le taofia o le fa'alauteleina o le 1SSF e ala i le fa'apipi'iina o protons i luga o wafers epitaxial 4H-SiC. O diodes PiN na gaosia i luga o wafers ma le fa'apipi'iina o le proton na fa'aalia ai uiga tutusa o le current-voltage e pei o diodes e aunoa ma le fa'apipi'iina o le proton. I se fa'atusatusaga, o le fa'alauteleina o le 1SSF e taofia lelei i totonu o le diode PiN ua fa'apipi'i i le proton. O le mea lea, o le fa'apipi'iina o protons i totonu o wafers epitaxial 4H-SiC o se metotia lelei mo le taofia o le fa'aleagaina o le bipolar o masini semiconductor eletise 4H-SiC a'o fa'atumauina pea le fa'atinoga o le masini. O lenei taunuuga e fesoasoani i le atina'eina o masini 4H-SiC e matua fa'atuatuaina.
O le Silicon carbide (SiC) ua lauiloa lautele o se mea semiconductor mo masini semiconductor e maualuga le malosi, e mafai ona faʻagaoioia i siosiomaga faigata1. E tele ituaiga SiC, e aofia ai le 4H-SiC o loʻo i ai meatotino faʻaletino lelei o masini semiconductor e pei o le maualuga o le eletise ma le malosi o le eletise e malepe ai2. O wafers 4H-SiC e 6 inisi le lautele o loʻo faʻapisinisiina nei ma faʻaaogaina mo le gaosiga tele o masini semiconductor eletise3. O faiga faʻamalosi mo taʻavale eletise ma nofoaafi na gaosia e faʻaaoga ai masini semiconductor eletise 4H-SiC4.5. Peitaʻi, o masini 4H-SiC o loʻo mafatia pea i faʻafitauli o le faʻatuatuaina i se taimi umi e pei o le dielectric breakdown poʻo le faʻatuatuaina o le short-circuit,6,7 o se tasi o mataupu sili ona taua o le faʻatuatuaina o le bipolar degradation2,8,9,10,11. O lenei bipolar degradation na maua i le silia ma le 20 tausaga talu ai ma ua leva ona avea ma faʻafitauli i le gaosiga o masini SiC.
O le fa'aleagaina o le bipolar e mafua mai i le Shockley stack defect e tasi (1SSF) i totonu o le 4H-SiC crystals fa'atasi ai ma basal plane dislocations (BPDs) e fa'asalalauina e ala i le recombination enhanced dislocation glide (REDG)12,13,14,15,16,17,18,19. O le mea lea, afai e taofia le fa'alauteleina o le BPD i le 1SSF, e mafai ona gaosia masini eletise 4H-SiC e aunoa ma le fa'aleagaina o le bipolar. E tele auala ua lipotia mai e taofia ai le fa'asalalauina o le BPD, e pei o le BPD i le Thread Edge Dislocation (TED) transformation 20,21,22,23,24. I le SiC epitaxial wafers lata mai, o le BPD e tele lava ina iai i le substrate ae le o le epitaxial layer ona o le liua o le BPD i le TED i le taimi muamua o le tuputupu a'e o le epitaxial. O le mea lea, o le fa'afitauli o lo'o totoe o le fa'aleagaina o le bipolar o le tufatufaina atu lea o le BPD i le substrate 25,26,27. O le fa'aofiina o se "vaega fa'amalosia tu'ufa'atasi" i le va o le vaega fe'avea'i ma le substrate ua fautuaina o se metotia lelei mo le taofia o le fa'alauteleina o le BPD i le substrate28, 29, 30, 31. O lenei vaega e fa'ateleina ai le avanoa o le toe fa'afouina o paga eletise-pu i le vaega epitaxial ma le substrate SiC. O le fa'aitiitia o le aofa'i o paga eletise-pu e fa'aitiitia ai le malosi fa'agaoioia o le REDG i le BPD i le substrate, o lea e mafai ai e le vaega fa'amalosia tu'ufa'atasi ona taofia le fa'aleagaina o le bipolar. E tatau ona maitauina o le fa'aofiina o se vaega e aofia ai tau fa'aopoopo i le gaosiga o wafers, ma a aunoa ma le fa'aofiina o se vaega e faigata ona fa'aitiitia le aofa'i o paga eletise-pu e ala i le puleaina na'o le puleaina o le olaga atoa o le aveta'avale. O le mea lea, o lo'o i ai pea se mana'oga malosi e atiina ae isi metotia fa'aitiitia ina ia maua ai se paleni sili atu i le va o le tau o le gaosiga o masini ma le fua.
Ona o le fa’alauteleina o le BPD i le 1SSF e mana’omia ai le gaoioi o le partial dislocations (PDs), o le pineina o le PD o se auala lelei e taofia ai le bipolar degradation. E ui lava ina lipotia mai le pineina o le PD e ala i mea leaga o u’amea, o FPDs i totonu o le 4H-SiC substrates o lo’o i ai i se mamao e sili atu i le 5 μm mai le fogā’ele’ele o le epitaxial layer. E le gata i lea, talu ai e matua la’ititi lava le diffusion coefficient o so’o se u’amea i le SiC, e faigata ai mo mea leaga o u’amea ona sosolo i totonu o le substrate34. Ona o le tele o le atomic mass o u’amea, e faigata fo’i ona fa’apipi’i ion o u’amea. I se fa’atusatusaga, i le tulaga o le hydrogen, o le elemene mama, ions (protons) e mafai ona fa’apipi’i i totonu o le 4H-SiC i se loloto e sili atu i le 10 µm e fa’aaoga ai se MeV-class accelerator. O le mea lea, afai e a’afia e le proton implantation le PD pinning, ona mafai lea ona fa’aaoga e taofia ai le BPD propagation i le substrate. Peita’i, o le proton implantation e mafai ona fa’aleagaina ai le 4H-SiC ma i’u ai i le fa’aitiitia o le fa’atinoga o le masini37,38,39,40.
Ina ia faatoilaloina le faaleagaina o le masini ona o le faapipiiina o le proton, e faaaogaina le faamafanafana i le vevela maualuga e toe faaleleia ai mea ua faaleagaina, e tutusa ma le metotia o le faamafanafana e masani ona faaaogaina pe a uma ona faapipiiina le acceptor ion i le faagasologa o le masini1, 40, 41, 42. E ui lava ina lipotia mai e le secondary ion mass spectrometry (SIMS)43 le faasalalauina o le hydrogen ona o le faamafanafana i le vevela maualuga, ae e mafai lava ona na o le mafiafia o atomu hydrogen e lata ane i le FD e le lava e iloa ai le pine o le PR e faaaoga ai le SIMS. O le mea lea, i lenei suesuega, na matou faapipiiina ai protons i totonu o le 4H-SiC epitaxial wafers a o lei amataina le faagasologa o le gaosiga o le masini, e aofia ai le faamafanafana i le vevela maualuga. Na matou faaaogaina PiN diodes o ni fausaga faataitai o masini ma fausia i luga o le 4H-SiC epitaxial wafers ua faapipiiina i le proton. Ona matou matauina lea o uiga o le volt-ampere e suesue ai le faaleagaina o le faatinoga o le masini ona o le tui o le proton. Mulimuli ane, na matou matauina le faalauteleina o le 1SSF i ata electroluminescence (EL) pe a uma ona faaaoga se voltage eletise i le PiN diode. Ma le mea mulimuli, na matou faʻamaonia le aʻafiaga o le tuiina o le proton i le taofiofia o le faʻalauteleina o le 1SSF.
I le ata. O le Ata 1 o loʻo faʻaalia ai uiga o le tafe-voltage (CVCs) o PiN diodes i le vevela o le potu i vaega e iai ma e leai se proton implantation aʻo leʻi faia le pulsed current. O PiN diodes ma le proton injection e faʻaalia ai uiga faʻasaʻo e tutusa ma diodes e aunoa ma le proton injection, e ui lava o uiga IV e tutusa i le va o diodes. Ina ia faʻaalia le eseesega i le va o tulaga o le tui, na matou faʻataʻitaʻiina le voltage frequency i le forward current density o le 2.5 A/cm2 (e tutusa ma le 100 mA) o se statistical plot e pei ona faʻaalia i le Ata 2. O le curve e faʻatatauina e se normal distribution o loʻo faʻatusalia foʻi e se laina togitogi. E pei ona mafai ona vaʻaia mai tumutumu o curves, o le on-resistance e faʻateleina teisi i proton doses o le 1014 ma le 1016 cm-2, ae o le PiN diode ma le proton dose o le 1012 cm-2 e toetoe lava tutusa uiga e pei o le aunoa ma le proton implantation. Sa matou faia fo'i le fa'apipi'iina o le proton ina ua mae'a ona faia o PiN diodes e le'i fa'aalia ai le electroluminescence tutusa ona o le fa'aleagaina na mafua mai i le fa'apipi'iina o le proton e pei ona fa'aalia i le Ata S1 e pei ona fa'amatalaina i su'esu'ega ua mavae37,38,39. O le mea lea, o le fa'amafanafana i le 1600 °C ina ua mae'a ona fa'apipi'iina o Al ions o se faiga talafeagai e faia ai masini e fa'agaoioia ai le Al acceptor, lea e mafai ona toe fa'aleleia le fa'aleagaina na mafua mai i le fa'apipi'iina o le proton, lea e tutusa ai CVC i le va o proton PiN diodes ua fa'apipi'iina ma le le'i fa'apipi'iina. O le fa'asologa o le tafe fa'afeagai i le -5 V o lo'o fa'aalia fo'i i le Ata S2, e leai se eseesega tele i le va o diodes ma le tuiina o le proton ma le leai o se tuiina o le proton.
Uiga o le volt-ampere o PiN diodes ma protons tuiina ma e aunoa ma le tuiina i le vevela o le potu. O le fa'amatalaga e fa'ailoa mai ai le fua o protons.
Taimi fa'atulagaina o le voltage i le tafe sa'o 2.5 A/cm2 mo diode PiN ma protons tuiina ma protons e le'i tuiina. O le laina togitogi e fetaui ma le tufatufaina masani.
I le ata 3 o loʻo faʻaalia ai se ata EL o se diode PiN ma le mamafa o le tafe o le 25 A/cm2 ina ua maeʻa le voltage. Aʻo leʻi faʻaaogaina le avega o le tafe o le pulsed, e leʻi vaʻaia vaega pogisa o le diode, e pei ona faʻaalia i le Ata 3. C2. Peitaʻi, e pei ona faʻaalia i le ata 3a, i totonu o se diode PiN e aunoa ma le faʻapipiʻiina o le proton, e tele vaega pogisa ma pito malamalama na vaʻaia ina ua maeʻa ona faʻaaogaina se voltage eletise. O ia vaega pogisa e foliga i le rod e vaʻaia i ata EL mo le 1SSF e faʻalautele atu mai le BPD i le substrate28,29. Nai lo lena, o nisi o faʻaletonu o le faʻaputuga faʻalauteleina na vaʻaia i diode PiN ma protons ua faʻapipiʻiina, e pei ona faʻaalia i le Ata 3b–d. I le faʻaaogaina o le X-ray topography, na matou faʻamaonia ai le i ai o PRs e mafai ona siitia mai le BPD i le substrate i le periphery o fesoʻotaʻiga i le PiN diode e aunoa ma le proton injection (Ata 4: o lenei ata e aunoa ma le aveeseina o le electrode pito i luga (ata, PR i lalo o electrodes e le o vaaia). O le mea lea, o le vaega pogisa i le ata EL e fetaui ma se 1SSF BPD faʻalauteleina i le substrate. O ata EL o isi PiN diodes ua utaina o loʻo faʻaalia i Ata 1 ma le 2. O vitio S3-S6 faʻatasi ai ma ma e aunoa ma ni vaega pogisa faʻalauteleina (ata EL e fesuisuiaʻi taimi o PiN diodes e aunoa ma le proton injection ma ua totoina i le 1014 cm-2) o loʻo faʻaalia foi i le Faʻamatalaga Faʻaopoopo.
Ata EL o PiN diodes i le 25 A/cm2 ina ua mavae le 2 itula o le fa'alavelave eletise (a) e aunoa ma le fa'apipi'iina o le proton ma fa'atasi ai ma tui fa'apipi'i o le (b) 1012 cm-2, (c) 1014 cm-2 ma le (d) 1016 cm-2 protons.
Na matou fuafuaina le mafiafia o le 1SSF ua fa'alauteleina e ala i le fuafuaina o vaega pogisa ma pito susulu i totonu o diode PiN e tolu mo tulaga ta'itasi, e pei ona fa'aalia i le Ata 5. O le mafiafia o le 1SSF ua fa'alauteleina e fa'aitiitia i le fa'ateleina o le fua o le proton, ma e tusa lava pe i ai se fua o le 1012 cm-2, o le mafiafia o le 1SSF ua fa'alauteleina e matua maualalo lava nai lo se PiN diode e le'i fa'apipi'iina.
Fa'ateleina o le mafiafia o SF PiN diodes ma le fa'apipi'iina o le proton ma le aunoa ma le fa'apipi'iina o le proton ina ua mae'a ona fa'atumuina i se tafega pulsed (o tulaga ta'itasi e aofia ai diodes e tolu ua fa'atumuina).
O le faapuupuuina o le olaga o le avefeau e aʻafia ai foʻi le taofiofia o le faʻalauteleina, ma o le tuiina o le proton e faʻaitiitia ai le olaga o le avefeau32,36. Ua matou matauina le olaga o le avefeau i totonu o se vaega epitaxial e 60 µm le mafiafia ma protons tuiina e 1014 cm-2. Mai le olaga muamua o le avefeau, e ui lava ina faʻaitiitia e le implant le tau i le ~10%, o le faʻamafanafana mulimuli ane e toe faʻafoʻisia ai i le ~50%, e pei ona faʻaalia i le Ata S7. O le mea lea, o le olaga o le avefeau, ua faʻaitiitia ona o le faʻapipiʻiina o le proton, ua toe faʻafoʻisia e ala i le faʻamafanafana i le vevela maualuga. E ui o le faʻaitiitia o le 50% i le olaga o le avefeau e taofia ai foʻi le sosolo o faʻaletonu o le faʻaputuga, o uiga I–V, lea e masani ona faʻalagolago i le olaga o le avefeau, e naʻo ni eseesega laiti e faʻaalia i le va o diodes tuiina ma diodes e leʻi tuiina. O le mea lea, matou te talitonu o le PD anchoring e iai sona sao i le taofia o le faʻalauteleina o le 1SSF.
E ui lava e le'i iloa e le SIMS le hydrogen ina ua mae'a le fa'amafanafana i le 1600°C, e pei ona lipotia mai i su'esu'ega ua mavae, ae na matou matauina le a'afiaga o le fa'apipi'iina o le proton i le taofiofia o le fa'alauteleina o le 1SSF, e pei ona fa'aalia i Ata 1 ma le 4. 3, 4. O le mea lea, matou te talitonu o le PD e fa'amauina e atomu hydrogen ma le mafiafia i lalo ifo o le tapula'a iloa o le SIMS (2 × 1016 cm-3) po'o ni fa'aletonu o le tulaga na mafua mai i le fa'apipi'iina. E tatau ona maitauina e le'i fa'amaoniaina e matou se fa'aopoopoga i le tete'e i luga o le tulaga ona o le fa'alauteleina o le 1SSF ina ua mae'a se avega o le tafe o le eletise. Atonu e mafua lea i feso'ota'iga ohmic le atoatoa na faia e fa'aaoga ai la matou faiga, lea o le a fa'aumatia i se taimi lata mai.
I le faaiuga, na matou atiaeina se metotia o le quenching mo le faalauteleina o le BPD i le 1SSF i totonu o le 4H-SiC PiN diodes e faaaoga ai le proton implantation a o lei faia le masini. O le faaleagaina o le I–V characteristic i le taimi o le proton implantation e le taua tele, aemaise lava i le proton dose o le 1012 cm–2, ae o le aafiaga o le taofia o le faalauteleina o le 1SSF e taua tele. E ui i lenei suesuega na matou faia ai ni PiN diodes e 10 µm le mafiafia ma le proton implantation i le loloto o le 10 µm, ae e mafai lava ona faaleleia atili tulaga o le implantation ma faaaoga i latou e faia ai isi ituaiga o masini 4H-SiC. E tatau ona mafaufau i tau faaopoopo mo le faia o masini i le taimi o le proton implantation, ae o le a tutusa ma tau mo le implantation alumini ion, o le faagasologa autu lea o le faia mo masini eletise 4H-SiC. O le mea lea, o le proton implantation a o lei faia le masini o se metotia e mafai ona faia ai masini eletise bipolar 4H-SiC e aunoa ma le faaleagaina.
O se wafer ituaiga-n 4H-SiC e 4-inisi ma le mafiafia o le vaega epitaxial e 10 µm ma le maualuga o le doping a le donor e 1 × 1016 cm–3 na faʻaaogaina o se faʻataʻitaʻiga. Aʻo leʻi faʻagasoloina le masini, na faʻapipiʻiina ions H+ i totonu o le ipu ma le malosi faʻavavevave e 0.95 MeV i le vevela o le potu i le loloto e tusa ma le 10 μm i se tulimanu masani i luga o le ipu. I le taimi o le faʻapipiʻiina o le proton, na faʻaaogaina se ufimata i luga o se ipu, ma o le ipu sa i ai ni vaega e aunoa ma ma se fua faʻatatau o le proton e 1012, 1014, poʻo le 1016 cm-2. Ona, Al ions ma fua faʻatatau o le proton e 1020 ma le 1017 cm–3 na faʻapipiʻiina i luga o le wafer atoa i le loloto e 0–0.2 µm ma le 0.2–0.5 µm mai luga, sosoo ai ma le faʻamafanafana i le 1600°C e fausia ai se pulou kaponi e fausia ai le vaega ap. -type. Mulimuli ane, o se pa'i Ni i tua na fa'apipi'i i le itu o le substrate, a'o se pa'i Ti/Al i luma e 2.0 mm × 2.0 mm e pei o se selu na faia e ala i le photolithography ma se faiga o le saeia na fa'apipi'i i le itu o le epitaxial layer. Mulimuli ane, o le fa'amafanafanaina o pa'i e faia i le vevela o le 700 °C. A mae'a ona tipiina le wafer i ni fasi, na matou faia ai le fa'ailogaina o le stress ma le fa'aogaina.
O uiga I–V o PiN diodes ua gaosia na matauina e faʻaaoga ai se HP4155B semiconductor parameter analyzer. I le avea ai o se faʻalavelave eletise, o se 10-millisecond pulsed current o le 212.5 A/cm2 na faʻaofiina mo le 2 itula i le frequency o le 10 pulses/sec. Ina ua matou filifilia se current density maualalo poʻo le frequency, matou te leʻi matauina le 1SSF expansion e tusa lava pe i totonu o se PiN diode e aunoa ma le proton injection. I le taimi o le eletise eletise na faʻaaogaina, o le vevela o le PiN diode e tusa ma le 70°C e aunoa ma le faʻavevela faʻamoemoeina, e pei ona faʻaalia i le Ata S8. O ata electroluminescent na maua aʻo leʻi ma ina ua maeʻa le faʻalavelave eletise i le current density o le 25 A/cm2. Synchrotron reflection grazing incidence X-ray topography e faʻaaoga ai se monochromatic X-ray beam (λ = 0.15 nm) i le Aichi Synchrotron Radiation Center, o le ag vector i le BL8S2 o le -1-128 poʻo le 11-28 (tagai ref. 44 mo faʻamatalaga auiliili). ).
O le televave o le voltage i le maualuga o le tafe i luma o le 2.5 A/cm2 e aveeseina i se vaeluaga o le 0.5 V i le ata 2 e tusa ai ma le CVC o tulaga taʻitasi o le PiN diode. Mai le tau averesi o le stress Vave ma le standard deviation σ o le stress, matou te faʻataʻitaʻiina se normal distribution curve i le tulaga o se laina togitogi i le Ata 2 e faʻaaoga ai le fua faʻatatau lea:
Werner, MR & Fahrner, WR Iloiloga i meafaitino, masini fa'atekonolosi laiti, faiga ma masini mo fa'aoga i le vevela maualuga ma le siosiomaga faigata. Werner, MR & Fahrner, WR Iloiloga i meafaitino, masini fa'atekonolosi laiti, faiga ma masini mo fa'aoga i le vevela maualuga ma le siosiomaga faigata.Werner, MR ma Farner, WR O se aotelega o meafaitino, masini fa'atekonolosi laiti, faiga ma masini mo fa'aoga i le vevela maualuga ma siosiomaga faigata. Werner, MR & Fahrner, WR 对用于高温和恶劣环境应用的材料、微传感器、系统和设备的评计。 Werner, MR & Fahrner, WR Iloiloga o meafaitino, masini fa'atekonolosi laiti, faiga ma masini mo le vevela maualuga ma fa'aoga leaga i le siosiomaga.Werner, MR ma Farner, WR O se aotelega o meafaitino, masini fa'atekonolosi laiti, faiga ma masini mo fa'aoga i le vevela maualuga ma tulaga faigata.IEEE Trans. Mea fa'aeletoronika fa'apisinisi. 48, 249–257 (2001).
Kimoto, T. & Cooper, JA Mataupu Faavae o Tekonolosi Silicon Carbide Mataupu Faavae o Tekonolosi Silicon Carbide: Tuputupu Aʻe, Faʻamatalaga, Masini ma Faʻaoga Vol. Kimoto, T. & Cooper, JA Mataupu Faavae o Tekonolosi Silicon Carbide Mataupu Faavae o Tekonolosi Silicon Carbide: Tuputupu Aʻe, Faʻamatalaga, Masini ma Faʻaoga Vol.Kimoto, T. ma Cooper, JA Fa'avae o Tekonolosi Silicon Carbide Fa'avae o Tekonolosi Silicon Carbide: Tuputupu A'e, Uiga, Meafaigaluega ma Fa'aoga Vol. Kimoto, T. & Cooper, JA 碳化硅技术基础碳化硅技术基础：增长、表征、设备和应用卷。 Kimoto, T. & Cooper, JA Fa'avae o tekinolosi a le Carbon化silicon Fa'avae o tekinolosi a le Carbon化silicon: tuputupu a'e, fa'amatalaga, meafaigaluega ma le tele o fa'aoga.Kimoto, T. ma Cooper, J. Fa'avae o Tekonolosi Silicon Carbide Fa'avae o Tekonolosi Silicon Carbide: Tuputupu A'e, Uiga, Meafaigaluega ma Fa'aoga Vol.252 (Wiley Singapore Pte Ltd, 2014).
Veliadis, V. Fa'apisinisi Tele o le SiC: Tulaga o lo'o iai nei ma Fa'afitauli e tatau ona Fa'ato'ilaloina. alma mater. le saienisi. Forum 1062, 125–130 (2022).
Broughton, J., Smet, V., Tummala, RR & Joshi, YK Iloiloga o tekinolosi afifiina o le vevela mo le eletise eletise o taavale mo faamoemoega o le tosoina o taavale. Broughton, J., Smet, V., Tummala, RR & Joshi, YK Iloiloga o tekinolosi afifiina o le vevela mo le eletise eletise o taavale mo faamoemoega o le tosoina o taavale.Broughton, J., Smet, V., Tummala, RR ma Joshi, YK O se aotelega o tekinolosi afifiina o le vevela mo le eletise eletise o taavale mo faamoemoega o le tosoina o taavale. Broughton, J., Smet, V., Tummala, RR & Joshi, YK 用于牵引目的的汽车电力电子热封装技术的回顾。 Broughton, J., Smet, V., Tummala, RR & Joshi, YKBroughton, J., Smet, V., Tummala, RR ma Joshi, YK O se aotelega o tekinolosi afifiina o le vevela mo le eletise eletise o taavale mo faamoemoega o le tosoina o taavale.J. Electron. Afifi. trance. ASME 140, 1-11 (2018).
Sato, K., Kato, H. & Fukushima, T. Atina'eina o le SiC fa'aoga mo le faiga o le tosoina o nofoaafi saoasaoa o Shinkansen o le isi tupulaga. Sato, K., Kato, H. & Fukushima, T. Atina'eina o le SiC fa'aoga mo le faiga o le tosoina o nofoaafi saoasaoa o Shinkansen o le isi tupulaga.Sato K., Kato H. ma Fukushima T. Atina'eina o se faiga fa'aoga o le SiC traction mo nofoaafi Shinkansen saoasaoa maualuga o le isi tupulaga.Sato K., Kato H. ma Fukushima T. Atina'eina o le Faiga o le Uili mo Talosaga SiC mo Nofoaafi Shinkansen Saosaoa Maualuga o le Isi Tupulaga. Fa'aopoopoga IEEJ J. Ind. 9, 453–459 (2020).
Senzaki, J., Hayashi, S., Yonezawa, Y. & Okumura, H. Lu'itau i le fa'atinoina o masini eletise SiC e matua fa'atuatuaina: Mai le tulaga o lo'o iai nei ma fa'afitauli o wafers SiC. Senzaki, J., Hayashi, S., Yonezawa, Y. & Okumura, H. Lu'itau i le fa'atinoina o masini eletise SiC e matua fa'atuatuaina: Mai le tulaga o lo'o iai nei ma fa'afitauli o wafers SiC.Senzaki, J., Hayashi, S., Yonezawa, Y. ma Okumura, H. Fa'afitauli i le fa'atinoina o masini eletise SiC e matua fa'atuatuaina: amata mai le tulaga o iai nei ma le fa'afitauli o le wafer SiC. Senzaki, J., Hayashi, S., Yonezawa, Y. & Okumura, H. 实现高可靠性SiC 功率器件的挑战：从SiC 晶圆的现状和问碜。 Senzaki, J., Hayashi, S., Yonezawa, Y. & Okumura, H. O le luʻitau o le ausiaina maualuga o le faʻatuatuaina i masini eletise SiC: mai SiC 晶圆的电视和问题设计。Senzaki J, Hayashi S, Yonezawa Y. ma Okumura H. Lu'itau i le atina'eina o masini eletise e maualuga le fa'atuatuaina e fa'avae i luga o le silicon carbide: o se iloiloga o le tulaga ma fa'afitauli e feso'ota'i ma wafers silicon carbide.I le 2018 IEEE International Symposium on Reliability Physics (IRPS). (Senzaki, J. et al. eds.) 3B.3-1-3B.3-6 (IEEE, 2018).
Kim, D. & Sung, W. Fa'aleleia atili le malosi o le pu'upu'u-ta'avale mo le 1.2kV 4H-SiC MOSFET e fa'aaoga ai se vaieli loloto o le P na fa'atinoina e ala i le fa'apipi'iina o alavai. Kim, D. & Sung, W. Fa'aleleia atili le malosi o le pu'upu'u-ta'avale mo le 1.2kV 4H-SiC MOSFET e fa'aaoga ai se vaieli loloto o le P na fa'atinoina e ala i le fa'apipi'iina o alavai.Kim, D. ma Sung, V. Fa'aleleia atili le puipuiga o le feso'ota'iga pu'upu'u mo le 1.2 kV 4H-SiC MOSFET e fa'aaoga ai se vaieli loloto o le P na fa'atinoina e ala i le fa'apipi'iina o le alavai. Kim, D. & Sung, W. 使用通过沟道注入实现的深P 阱提高了1.2kV 4H-SiC MOSFET 的短路耐用性。 Kim, D. & Sung, W. P 阱提高了1.2kV 4H-SiC MOSFETKim, D. ma Sung, V. Fa'aleleia atili le onosa'i i le pu'upu'u o le 1.2 kV 4H-SiC MOSFET e fa'aaoga ai vaieli loloto o P e ala i le fa'apipi'iina o alavai.Masini Fa'aeletoronika a le IEEE Lett. 42, 1822–1825 (2021).
Skowronski M. et al. Gaoioiga fa'aleleia-toe fa'afouina o fa'aletonu i totonu o diode 4H-SiC pn e fa'asaga i luma. J. Talosaga. fisiki. 92, 4699–4704 (2002).
Ha, S., Mieszkowski, P., Skowronski, M. & Rowland, LB Suiga o le fa'aletonu i le 4H silicon carbide epitaxy. Ha, S., Mieszkowski, P., Skowronski, M. & Rowland, LB Suiga o le fa'aletonu i le 4H silicon carbide epitaxy.Ha S., Meszkowski P., Skowronski M. ma Rowland LB Suiga o le Sese i le taimi o le 4H silicon carbide epitaxy. Ha, S., Mieszkowski, P., Skowronski, M. & Rowland, LB 4H 碳化硅外延中的位错转换。 Ha, S., Mieszkowski, P., Skowronski, M. & Rowland, LB 4H Ha, S., Meszkowski, P., Skowronski, M. & Rowland, LBSuiga o le fa'aletonu o le 4H i le epitaxy o le silicon carbide.J. Crystal. Tuputupu A’e 244, 257–266 (2002).
Skowronski, M. & Ha, S. Fa'aleagaina o masini bipolar e fa'avae i le hexagonal silicon-carbide. Skowronski, M. & Ha, S. Fa'aleagaina o masini bipolar e fa'avae i le hexagonal silicon-carbide.Skowronski M. ma Ha S. Fa'aleagaina o masini bipolar hexagonal e fa'avae i luga o le silicon carbide. Skowronski, M. & Ha, S. 六方碳化硅基双极器件的降解。 Skowronski M. & Ha S.Skowronski M. ma Ha S. Fa'aleagaina o masini bipolar hexagonal e fa'avae i luga o le silicon carbide.J. Fa'aoga. fisiki 99, 011101 (2006).
Agarwal, A., Fatima, H., Haney, S. & Ryu, S.-H. Agarwal, A., Fatima, H., Haney, S. & Ryu, S.-H.Agarwal A., Fatima H., Heini S. ma Ryu S.-H. Agarwal, A., Fatima, H., Haney, S. & Ryu, S.-H. Agarwal, A., Fatima, H., Haney, S. & Ryu, S.-H.Agarwal A., Fatima H., Heini S. ma Ryu S.-H.O se faiga fou e fa'aleagaina ai mo le maualuga-voltage SiC power MOSFETs. IEEE Electronic Devices Lett. 28, 587–589 (2007).
Caldwell, JD, Stahlbush, RE, Ancona, MG, Glembocki, OJ & Hobart, KD I luga o le malosiaga autū mo le gaioiga o le fa'aputuga fa'aputuga e mafua mai i le toe fa'afouina i le 4H–SiC. Caldwell, JD, Stahlbush, RE, Ancona, MG, Glembocki, OJ & Hobart, KD I luga o le malosiaga fa'atino mo le gaioiga o fa'aletonu o le fa'aputuga e mafua mai i le toe fa'afouina i le 4H-SiC.Caldwell, JD, Stalbush, RE, Ancona, MG, Glemboki, OJ, ma Hobart, KD I luga o le malosiaga fa'atino o le gaioiga o fa'aletonu o le fa'aputuga e mafua mai i le toe fa'afouina i le 4H-SiC. Caldwell, JD, Stahlbush, RE, Ancona, MG, Glembocki, OJ & Hobart, KD 关于4H-SiC 中复合引起的层错运动的驱动力。 Caldwell, JD, Stahlbush, RE, Ancona, MG, Glembocki, OJ & Hobart, KDCaldwell, JD, Stalbush, RE, Ancona, MG, Glemboki, OJ, ma Hobart, KD, I luga o le malosiaga fa'atino o le gaioiga o fa'aletonu o le fa'aputuga e mafua mai i le toe fa'afouina i le 4H-SiC.J. Fa'aoga. fisiki. 108, 044503 (2010).
Iijima, A. & Kimoto, T. Fa'ata'ita'iga o le malosiaga eletise mo le fausiaina o se faaletonu fa'aputuga Shockley e tasi i totonu o tioata 4H-SiC. Iijima, A. & Kimoto, T. Fa'ata'ita'iga o le malosiaga eletise mo le fausiaina o se faaletonu fa'aputuga Shockley e tasi i totonu o tioata 4H-SiC.Iijima, A. ma Kimoto, T. Faʻataʻitaʻiga o le malosi-eletoronika o le fausiaina o ni faʻaletonu taʻitasi o le afifiina o Shockley i totonu o tioata 4H-SiC. Iijima, A. & Kimoto, T. 4H-SiC 晶体中单Shockley 堆垛层错形成的电子能量模型。 Iijima, A. & Kimoto, T. Fa'ata'ita'iga o le malosiaga eletise o le fausiaina o se faaletonu fa'aputuga Shockley e tasi i le tioata 4H-SiC.Iijima, A. ma Kimoto, T. Faʻataʻitaʻiga o le malosi-eletise o le fausiaina o le faʻaletonu e tasi o le afifiina o Shockley i totonu o tioata 4H-SiC.J. Fa'aoga. fisiki 126, 105703 (2019).
Iijima, A. & Kimoto, T. Fuafuaina o le tulaga taua mo le faʻalauteleina/faʻapuʻupuʻuina o faʻaletonu taʻitasi o le Shockley stacking i totonu o 4H-SiC PiN diodes. Iijima, A. & Kimoto, T. Fuafuaina o le tulaga taua mo le faʻalauteleina/faʻapuʻupuʻuina o faʻaletonu taʻitasi o le Shockley stacking i totonu o 4H-SiC PiN diodes.Iijima, A. ma Kimoto, T. Fuafuaina o le tulaga taua mo le faʻalauteleina/faʻapipiʻiina o faʻaletonu taʻitasi o le Shockley packing i le 4H-SiC PiN-diodes. Iijima, A. & Kimoto, T. 估计4H-SiC PiN 二极管中单个Shockley 堆垛层错膨胀/收缩的临界条件。 Iijima, A. & Kimoto, T. Fuafuaina o tulaga o le faʻalauteleina/faʻapuʻupuʻuina o le vaega faʻaputu Shockley e tasi i totonu o diode 4H-SiC PiN.Iijima, A. ma Kimoto, T. Fuafuaina o tulaga taua mo le faʻalauteleina/faʻapipiʻiina o le Shockley o le afifiina o le faaletonu e tasi i le 4H-SiC PiN-diodes.fa'aoga fisiki Wright. 116, 092105 (2020).
Mannen, Y., Shimada, K., Asada, K. & Ohtani, N. Fa'ata'ita'iga o le gaioiga o le vaieli Quantum mo le fausiaina o se fa'aletonu e tasi o le Shockley stacking i totonu o se tioata 4H-SiC i lalo o tulaga e le paleni. Mannen, Y., Shimada, K., Asada, K. & Ohtani, N. Fa'ata'ita'iga o le gaioiga o le vaieli Quantum mo le fausiaina o se fa'aletonu e tasi o le Shockley stacking i totonu o se tioata 4H-SiC i lalo o tulaga e le paleni.Mannen Y., Shimada K., Asada K., ma Otani N. O se faʻataʻitaʻiga o le vaieli kuantum mo le fausiaina o se faʻaletonu e tasi o le Shockley stacking i totonu o se tioata 4H-SiC i lalo o tulaga e le paleni.Mannen Y., Shimada K., Asada K. ma Otani N. Fa'ata'ita'iga o fegalegaleaiga o le vaieli kuantum mo le fausiaina o ni fa'aletonu fa'aputuga Shockley ta'itasi i totonu o tioata 4H-SiC i lalo o tulaga e le tutusa. J. Talosaga. fisiki. 125, 085705 (2019).
Galeckas, A., Linnros, J. & Pirouz, P. Fa'aletonu o le fa'aputuga e mafua mai i le toe fa'afouina: Fa'amaoniga mo se faiga lautele i le SiC hexagonal. Galeckas, A., Linnros, J. & Pirouz, P. Fa'aletonu o le fa'aputuga e mafua mai i le toe fa'afouina: Fa'amaoniga mo se faiga lautele i le SiC hexagonal.Galeckas, A., Linnros, J. ma Pirouz, P. Fa'aletonu o le afifiina e mafua mai i le toe fa'afouina: Fa'amaoniga mo se Faiga Masani i le Hexagonal SiC. Galeckas, A., Linnros, J. & Pirouz, P. 复合诱导的堆垛层错：六方SiC 中一般机制的证据。 Galeckas, A., Linnros, J. & Pirouz, P. Fa'amaoniga mo le faiga lautele o le vaega fa'aputu fa'aoso fa'aoso: SiC.Galeckas, A., Linnros, J. ma Pirouz, P. Fa'aletonu o le afifiina e mafua mai i le toe fa'afouina: Fa'amaoniga mo se Faiga Masani i le Hexagonal SiC.fisiki Faife'au Wright. 96, 025502 (2006).
Ishikawa, Y., Sudo, M., Yao, Y.-Z., Sugawara, Y. & Kato, M. Fa'alauteleina o se fa'aletonu e tasi o le Shockley stacking i totonu o se vaega epitaxial 4H-SiC (11 2 ¯0) e mafua mai i le fa'avevela o le electron beam.Ishikawa, Y., M. Sudo, Y.-Z fa'asusuluga o le ave.Ishikawa, Y., Sudo M., Y.-Z Psychology.Pusa, Ю., M. Судо, Y.-Z Chem., J. Chem., 123, 225101 (2018).
Kato, M., Katahira, S., Ichikawa, Y., Harada, S. & Kimoto, T. Mata'ituina o le toe fa'afouina o le avega i mea sese e tasi o le Shockley stacking ma i le dislocations fa'aitiiti i le 4H-SiC. Kato, M., Katahira, S., Ichikawa, Y., Harada, S. & Kimoto, T. Mata'ituina o le toe fa'afouina o le avega i mea sese e tasi o le Shockley stacking ma i le dislocations fa'aitiiti i le 4H-SiC.Kato M., Katahira S., Itikawa Y., Harada S. ma Kimoto T. Mata'ituina o le Toe Fa'afouina o Mea Fa'avevela i Fa'aletonu o le Fa'apipi'iina o le Shockley Tasi ma le Fa'aletonu Fa'aitiitiga i le 4H-SiC. Kato, M., Katahira, S., Ichikawa, Y., Harada, S. & Kimoto, T. 单Shockley 堆垛层错和4H-SiC 部分位错中载流子复合的观察。 Kato, M., Katahira, S., Ichikawa, Y., Harada, S. & Kimoto, T. 单Shockley faaputuputu faaputuputuKato M., Katahira S., Itikawa Y., Harada S. ma Kimoto T. Mata'ituina o le Toe Fa'afouina o Mea Fa'avevela i Fa'aletonu o le Fa'apipi'iina o le Shockley Tasi ma le Fa'aletonu Fa'aitiitiga i le 4H-SiC.J. Fa'aoga. fisiki 124, 095702 (2018).
Kimoto, T. & Watanabe, H. Inisinia o mea sese i le tekinolosi SiC mo masini eletise maualuga-voltage. Kimoto, T. & Watanabe, H. Inisinia o mea sese i le tekinolosi SiC mo masini eletise maualuga-voltage.Kimoto, T. ma Watanabe, H. Atina'eina o fa'aletonu i le tekinolosi SiC mo masini eletise maualuga-voltage. Kimoto, T. & Watanabe, H. 用于高压功率器件的SiC 技术中的缺陷工程。 Kimoto, T. & Watanabe, H. Inisinia o mea sese i le tekinolosi SiC mo masini eletise maualuga-voltage.Kimoto, T. ma Watanabe, H. Atina'eina o fa'aletonu i le tekinolosi SiC mo masini eletise maualuga-voltage.fa'aoga fisiki Express 13, 120101 (2020).
Zhang, Z. & Sudarshan, TS Basal plane dislocation-free epitaxy o le silicon carbide. Zhang, Z. & Sudarshan, TS Basal plane dislocation-free epitaxy o le silicon carbide.Zhang Z. ma Sudarshan TS Epitaxy e leai se dislocation o le silicon carbide i le basal plane. Zhang, Z. & Sudarshan, TS 碳化硅基面无位错外延。 Zhang, Z. & Sudarshan, TSZhang Z. ma Sudarshan TS Epitaxy e leai se dislocation o le silicon carbide basal planes.fa'amatalaga. fisiki. Wright. 87, 151913 (2005).
Zhang, Z., Moulton, E. & Sudarshan, TS Faiga o le aveeseina o le basal plane dislocations i ata manifinifi SiC e ala i le epitaxy i luga o se substrate ua vaneina. Zhang, Z., Moulton, E. & Sudarshan, TS Faiga o le aveeseina o le basal plane dislocations i ata manifinifi SiC e ala i le epitaxy i luga o se substrate ua vaneina.Zhang Z., Moulton E. ma Sudarshan TS Faiga o le aveeseina o le dislocations o le base plane i ata manifinifi SiC e ala i le epitaxy i luga o se substrate ua vaneina. Zhang, Z., Moulton, E. & Sudarshan, TS 通过在蚀刻衬底上外延消除SiC 薄膜中基面位错的机制。 Zhang, Z., Moulton, E. & Sudarshan, TS O le faiga e aveese ai le ata manifinifi o le SiC e ala i le vaneina o le substrate.Zhang Z., Moulton E. ma Sudarshan TS Faiga o le aveeseina o le dislocations o le base plane i ata manifinifi SiC e ala i le epitaxy i luga o substrates ua vaneina.fa'aoga fisiki Wright. 89, 081910 (2006).
Shtalbush RE et al. O le faalavelaveina o le tuputupu a’e e mafua ai ona faaitiitia le fevaevaea’iga o le basal plane i le taimi o le 4H-SiC epitaxy. faamatalaga. fisiki. Wright. 94, 041916 (2009).
Zhang, X. & Tsuchida, H. Faaliliuina o le basal plane dislocations i le threading edge dislocations i le 4H-SiC epilayers e ala i le fa'avevela i le vevela maualuga. Zhang, X. & Tsuchida, H. Faaliliuina o le basal plane dislocations i le threading edge dislocations i le 4H-SiC epilayers e ala i le fa'avevela i le vevela maualuga.Zhang, X. ma Tsuchida, H. Suiga o le basal plane dislocations i le threading edge dislocations i le 4H-SiC epitaxial layers e ala i le fa'amafanafana i le vevela maualuga. Zhang, X. & Tsuchida, H. 通过高温退火将4H-SiC 外延层中的基面位错转化为螺纹刃位错。 Zhang, X. & Tsuchida, H. 通过高温退火将4H-SiCZhang, X. ma Tsuchida, H. Suiga o le fa'asolosolo o le fa'avae i le fa'asolosolo o le pito o le filament i vaega epitaxial 4H-SiC e ala i le fa'amafanafana i le vevela maualuga.J. Fa'aoga. fisiki. 111, 123512 (2012).
Song, H. & Sudarshan, TS Suiga o le fa'aletonu o le va'a basal e lata ane i le epilayer/substrate interface i le tuputupu a'e epitaxial o le 4° off-axis 4H–SiC. Song, H. & Sudarshan, TS Suiga o le fa'aletonu o le va'a basal e lata ane i le epilayer/substrate interface i le tuputupu a'e epitaxial o le 4° off-axis 4H–SiC.Song, H. ma Sudarshan, TS Suiga o le basal plane dislocations e lata ane i le epitaxial layer/substrate interface i le taimi o le tuputupu aʻe o le 4H–SiC i fafo atu o le axis epitaxial. Pese, H. & Sudarshan, TS 在4° 离轴4H-SiC 外延生长中外延层/衬底界面附近的基底平面位错转捯。 Pese, H. & Sudarshan, TS 在4° 离轴4H-SiC Pese, H. & Sudarshan, TSSuiga o le dislocation planar o le substrate e lata ane i le epitaxial layer/substrate boundary i le taimi o le tuputupu aʻe epitaxial o le 4H-SiC i fafo atu o le 4° axis.J. Crystal. Tuputupu A’e 371, 94–101 (2013).
Konishi, K. et al. I le tafe maualuga, o le fa'asalalauina o le fa'aletonu o le fa'aputuga o le basal plane dislocation i totonu o vaega epitaxial 4H-SiC e liua i fa'aletonu o le pito o le filament. J. Application. physics. 114, 014504 (2013).
Konishi, K. et al. Fuafuaina vaega epitaxial mo bipolar SiC MOSFET e le pala e ala i le iloa o nofoaga fa'aputu fa'alautele o le fa'aletonu i le su'esu'ega o le topographic X-ray. AIP Advanced 12, 035310 (2022).
Lin, S. et al. Aafiaga o le fausaga o le basal plane dislocation i luga o le fa'asalalauina o se fa'aletonu e tasi o le Shockley-type stacking i le taimi o le pala o le current i luma o 4H-SiC pin diodes. Iapani. J. Application. physics. 57, 04FR07 (2018).
Tahara, T., ma isi. O le pu'upu'u o le ola o le avefe'au la'ititi i totonu o le 4H-SiC epilayers e mau'oa i le nitrogen e fa'aaogaina e taofia ai fa'aletonu o le fa'aputuga i totonu o PiN diodes. J. Application. physics. 120, 115101 (2016).
Tahara, T. et al. Fa'alagolago i le tuiina o le fa'aputuga o le avefe'au i le fa'asalalauina o fa'aletonu o le Shockley stacking i totonu o diodes 4H-SiC PiN. J. Application. Physics 123, 025707 (2018).
Mae, S., Tawara, T., Tsuchida, H. & Kato, M. Faiga FCA microscopic mo le fuaina o le umi atoa o le ola o le aveta'avale ua mae'a ona fa'amautuina i le loloto i le SiC. Mae, S., Tawara, T., Tsuchida, H. & Kato, M. Faiga FCA microscopic mo le fuaina o le umi atoa o le ola o le aveta'avale ua mae'a ona fa'amautuina i le loloto i le SiC.Mei, S., Tawara, T., Tsuchida, H. ma Kato, M. FCA Microscopic System mo Fuaina o le Loloto-Resolved Carrier Lifetime i le Silicon Carbide. Mae, S.、Tawara, T.、Tsuchida, H. & Kato, M. 用于SiC 中深度分辨载流子寿命测量的显微FCA 系统。 Mae, S., Tawara, T., Tsuchida, H. & Kato, M. Mo SiC medium-depth 分辨载流子lifetime measurement的月微FCA system.Mei S., Tawara T., Tsuchida H. ma Kato M. Micro-FCA system mo le fuaina o le umi atoa o le ola o le aveta'avale ua mae'a ona iloiloina loloto i le silicon carbide.Fonotaga o le saienisi a le a'oga maualuga 924, 269–272 (2018).
Hirayama, T. et al. O le tufatufaina atu o le loloto o le olaga o le avefe'au i totonu o vaega mafiafia o le 4H-SiC epitaxial na fuaina e aunoa ma le fa'aleagaina e fa'aaoga ai le iugafono o le taimi o le mitiia o le avefe'au saoloto ma le malamalama sopoia. Suia i le saienisi. mita. 91, 123902 (2020).
Taimi na lafoina ai: Nov-06-2022
