Gratias tibi ago quod Nature.com invisisti. Versio navigatri quam uteris limitatam sustentationem CSS habet. Pro optima experientia, commendamus ut navigatro recentiore utaris (vel Modum Compatibilitatis in Internet Explorer deactivare). Interea, ut sustentationem continuam praestemus, situm sine stylis et JavaScript reddemus.
Materia 4H-SiC iam in mercatu venit ut materia pro instrumentis semiconductoribus potentiae. Attamen, fides diuturna instrumentorum 4H-SiC impedimentum est latae applicationi eorum, et problema fides gravissimum instrumentorum 4H-SiC est degradatio bipolaris. Haec degradatio causatur per propagationem unius erroris Shockley accumulationis (1SSF) dislocationum plani basalis in crystallis 4H-SiC. Hic, modum proponimus ad expansionem 1SSF supprimendam per implantationem protonum in lamellas epitaxiales 4H-SiC. Diodae PiN fabricatae in lamellas cum implantatione protonum easdem proprietates tensionis-currentis ostenderunt ac diodae sine implantatione protonum. Contra, expansio 1SSF efficaciter supprimitur in dioda PiN protonibus implantatis. Ita, implantatio protonum in lamellas epitaxiales 4H-SiC est methodus efficax ad degradationem bipolarem instrumentorum semiconductorum potentiae 4H-SiC supprimendam, servata efficacia instrumentorum. Hoc resultat confert ad evolutionem instrumentorum 4H-SiC valde fidorum.
Carburum silicii (SiC) late agnoscitur ut materia semiconductoria pro machinis semiconductoriis magnae potentiae et altae frequentiae, quae in ambitus asperis operari possunt1. Multae polytypae SiC existunt, inter quas 4H-SiC proprietates physicas machinarum semiconductoriarum excellentes habet, ut mobilitatem electronicam magnam et campum electricum dissolutionis fortem2. Lamellae 4H-SiC diametro 6 unciarum nunc commercializantur et ad productionem magnam machinarum semiconductoriarum potentiae3 adhibentur. Systema tractionis pro vehiculis electricis et traminibus fabricata sunt utens machinis semiconductoriis potentiae 4H-SiC4.5. Attamen, machinae 4H-SiC adhuc difficultatibus fidelitatis diuturnis, ut dissolutione dielectrica vel fidelitate circuitus brevis,6,7 laborant, quorum una ex gravissimis quaestionibus fidelitatis est degradatio bipolaris2,8,9,10,11. Haec degradatio bipolaris plus quam viginti abhinc annis detecta est et diu problema in fabricatione machinarum SiC fuit.
Degradatio bipolaris causatur singulari defectu Shockley Acervi (1SSF) in crystallis 4H-SiC cum dislocationibus plani basalis (BPDs) propagantibus per recombinationem auctam dislocationis glissationem (REDG)12,13,14,15,16,17,18,19. Ergo, si expansio BPD ad 1SSF reprimitur, machinae potentiae 4H-SiC fabricari possunt sine degradatione bipolari. Plures methodi relatae sunt ad propagationem BPD reprimendam, ut transformatio BPD ad Thread Edge Dislocation (TED)20,21,22,23,24. In recentissimis laminis epitaxialibus SiC, BPD praecipue praesens est in substrato et non in strato epitaxiali propter conversionem BPD ad TED durante stadio initiali accretionis epitaxialis. Ergo, problema degradationis bipolaris reliquum est distributio BPD in substrato25,26,27. Insertio "strati compositi roborandi" inter stratum fluctuationis et substratum proposita est ut methodus efficax ad expansionem BPD in substrato supprimendam [28, 29, 30, 31]. Hoc stratum probabilitatem recombinationis parium electronicorum et foraminum in strato epitaxiali et substrato SiC auget. Numerus parium electronicorum et foraminum reductus vim impulsivam REDG ad BPD in substrato minuit, ita stratum compositum roborandi degradationem bipolarem supprimere potest. Notandum est insertionem strati sumptus additos in productione laminarum electronicarum implicare, et sine insertione strati difficile esse numerum parium electronicorum et foraminum reducere solum moderando tempus vitae vectoris. Quapropter, adhuc magna necessitas est alias methodos suppressionis evolvere ad meliorem aequilibrium inter sumptum fabricationis instrumentorum et proventum consequendum.
Quia extensio dislocationum bipolarium (BPD) ad 1SSF motum dislocationum partialium (PD) requirit, fixatio PD est modus promittens ad degradationem bipolarem inhibendam. Quamquam fixatio PD per impuritates metallorum relata est, FPD in substratis 4H-SiC plus quam 5 μm a superficie strati epitaxialis distantiae sunt. Praeterea, cum coefficiens diffusionis cuiuslibet metalli in SiC valde parvus sit, difficile est impuritatibus metallorum in substratum diffundere34. Propter massam atomicam metallorum relative magnam, implantatio ionum metallorum etiam difficilis est. Contra, in casu hydrogenii, elementi levissimi, iones (protones) in 4H-SiC ad profunditatem plus quam 10 µm implantari possunt acceleratore classis MeV utens. Ergo, si implantatio protonis fixationem PD afficit, tunc adhiberi potest ad propagationem BPD in substrato supprimendam. Attamen, implantatio protonis 4H-SiC laedere et ad reductionem efficaciae instrumenti ducere potest37,38,39,40.
Ad degradationem instrumenti ob implantationem protonum superandam, recoctio altae temperaturae ad damnum reparandum adhibetur, similis methodo recoctionis quae vulgo post implantationem ionum acceptorum in processu instrumenti adhibetur1, 40, 41, 42. Quamquam spectrometria massae ionum secundariorum (SIMS)43 diffusionem hydrogenii ob recoctionem altae temperaturae rettulit, fieri potest ut sola densitas atomorum hydrogenii prope FD non sufficiat ad fixationem PR utens SIMS detegendam. Quapropter, in hoc studio, protona in laminas epitaxiales 4H-SiC implantavimus ante processum fabricationis instrumenti, recoctionem altae temperaturae inclusam. Diodas PiN ut structuras instrumenti experimentales usi sumus et eas in laminis epitaxialibus 4H-SiC protonibus implantatis fabricavimus. Deinde proprietates volt-ampere observavimus ad degradationem functionis instrumenti ob injectionem protonum studendam. Postea, expansionem 1SSF in imaginibus electroluminescentibus (EL) post applicationem tensionis electricae diodo PiN observavimus. Denique, effectum injectionis protonum in suppressionem expansionis 1SSF confirmavimus.
In Figura 1 ostenditur proprietates tensionis-currentis (CVC) diodorum PiN ad temperaturam ambientem in regionibus cum et sine implantatione protonis ante currentem pulsatum. Diodae PiN cum iniectione protonis proprietates rectificationis similes diodibus sine iniectione protonis ostendunt, quamvis proprietates IV inter diodas communes sint. Ad differentiam inter condiciones injectionis indicandam, frequentiam tensionis ad densitatem currentis directam 2.5 A/cm2 (correspondentem 100 mA) ut diagramma statisticum delineavimus, ut in Figura 2 demonstratur. Curva approximata per distributionem normalem etiam linea punctata repraesentatur. Ut ex apicibus curvarum videri potest, resistentia in statu conductionis leviter augetur ad doses protonis 1014 et 1016 cm-2, dum dioda PiN cum dose protonis 1012 cm-2 fere easdem proprietates ostendit ac sine implantatione protonis. Implantationem protonum etiam post fabricationem diodorum PiN perfecimus, quae electroluminescentiam uniformem non exhibebant propter damnum ab implantatione protonum causatum, ut in Figura S1 demonstratur, sicut in studiis prioribus descriptum est37,38,39. Ergo, recoctio ad 1600°C post implantationem ionum Al processus necessarius est ad fabricanda instrumenta ad acceptorem Al activandum, qui damnum ab implantatione protonum causatum reparare potest, quod CVCs easdem facit inter diodos PiN protonicos implantatos et non implantatos. Frequentia currentis inversae ad -5 V etiam in Figura S2 demonstratur; nulla differentia significativa est inter diodos cum et sine injectione protonum.
Characteristicae volt-ampere diodorum PiN cum et sine protonibus iniectis ad temperaturam ambientem. Inscriptio dosis protonum indicat.
Frequentia tensionis ad currentem continuum 2.5 A/cm² pro diodis PiN cum protonibus injectis et non injectis. Linea punctata distributioni normali respondet.
In figura 3 imago EL diodi PiN cum densitate currentis 25 A/cm2 post tensionem ostenditur. Ante applicationem oneris currentis pulsatilis, regiones obscurae diodi non observatae sunt, ut in Figura 3.C2 demonstratur. Attamen, ut in figura 3a demonstratur, in diodo PiN sine implantatione protonis, plures regiones obscurae striatae cum marginibus lucidis post applicationem tensionis electricae observatae sunt. Tales regiones obscurae formae virgae in imaginibus EL pro 1SSF ex BPD in substrato extendentibus observantur28,29. Loco eorum, quaedam vitia stratificationis extensa in diodis PiN cum protonibus implantatis observata sunt, ut in Fig. 3b-d demonstratur. Topographia radiographica utentes, praesentiam PR confirmavimus quae a BPD ad substratum in peripheria contactuum in diodo PiN sine injectione protonum moveri possunt (Fig. 4: haec imago sine electrodo superiori remotione (photographia capta, PR sub electrodis non conspicitur). Ergo, area obscura in imagine EL respondet BPD 1SSF extenso in substrato. Imagines EL aliarum diodorum PiN onustarum in Figuris 1 et 2 monstrantur. Videos S3-S6 cum et sine areis obscuris extensis (imagines EL tempore variantes diodorum PiN sine injectione protonum et implantatarum ad 1014 cm-2) etiam in Informatione Supplementaria monstrantur.
Imagines EL diodorum PiN ad 25 A/cm⁻² post duas horas tensionis electricae (a) sine implantatione protonum et cum implantatis dosibus (b) 10¹² cm⁻², (c) 10¹⁴ cm⁻² et (d) 10¹⁶ cm⁻² protonum.
Densitatem 1SSF expansi computavimus areas obscuras cum marginibus lucidis in tribus diodis PiN pro qualibet conditione computando, ut in Figura 5 demonstratur. Densitas 1SSF expansi decrescit cum crescente dosi protonis, et etiam ad dosem 1012 cm-2, densitas 1SSF expansi significanter minor est quam in dioda PiN non implantata.
Densitates auctae diodum SF PiN cum et sine implantatione protonis post onerationem currenti pulsatili (quisque status tres diodas oneratas continebat).
Breviatio vitae vectoris etiam suppressionem expansionis afficit, et iniectio protonum vitam vectoris minuit32,36. Vitas vectoris in strato epitaxiali 60 µm crasso cum protonibus iniectis 1014 cm-2 observavimus. Ab initiali vita vectoris, quamquam implantatio valorem ad ~10% reducit, subsequens recoctio eum ad ~50% restituit, ut in Figura S7 demonstratur. Ergo, vita vectoris, propter implantationem protonis reducta, per recoctionem altae temperaturae restituitur. Quamquam 50% reductio in vita vectoris etiam propagationem vitiorum accumulationis reprimit, proprietates I-V, quae typice a vita vectoris pendent, tantum differentias minores inter diodas iniectas et non implantatas ostendunt. Ergo, credimus ancorationem PD munus agere in inhibitione expansionis 1SSF.
Quamquam SIMS hydrogenium post recoctionem ad 1600°C non detexit, ut in studiis prioribus relatum est, effectum implantationis protonis in suppressionem expansionis 1SSF observavimus, ut in Figuris 1 et 4 demonstratur. Quapropter credimus PD ancoratum esse atomis hydrogenii quorum densitatis infra limitem detectionis SIMS (2 × 1016 cm-3) vel defectibus punctualibus implantatione inductis. Notandum est nos augmentum resistentiae in statu acti propter elongationem 1SSF post onus currentis impetuosi non confirmasse. Hoc fortasse ob contactus ohmicos imperfectos nostro processu factos oritur, qui mox eliminabuntur.
In conclusione, methodum extinctionis ad BPD ad 1SSF extendendum in diodis 4H-SiC PiN, implantatione protonica ante fabricationem instrumenti, elaboravimus. Deterioratio proprietatis I–V per implantationem protonicam insignis est, praesertim ad dosem protonicam 1012 cm–2, sed effectus suppressionis expansionis 1SSF significans est. Quamquam in hoc studio diodas PiN 10 µm crassas cum implantatione protonica ad profunditatem 10 µm fabricavimus, adhuc possibile est condiciones implantationis ulterius optimizare et eas ad fabricanda alia genera instrumentorum 4H-SiC applicare. Sumptus additionales pro fabricatione instrumentorum per implantationem protonicam considerandi sunt, sed similes erunt illis pro implantatione ionum aluminii, quae est principalis processus fabricationis pro instrumentis potentiae 4H-SiC. Ergo, implantatio protonica ante processum instrumenti est methodus potentialis ad fabricanda instrumenta potentiae bipolaris 4H-SiC sine degeneratione.
Lamina 4H-SiC typi n, quattuor unciarum lata, crassitudine strati epitaxialis 10 µm et concentratione dopanti donatoris 1 × 10¹⁶ cm⁻³, ut exemplum adhibita est. Ante processum instrumenti, iones H+ in laminam cum energia accelerationis 0.95 MeV, temperatura ambiente, ad profunditatem circiter 10 μm, ad angulum normalem respectu superficiei laminae, implantati sunt. Per implantationem protonum, larva in lamina adhibita est, et lamina sectiones sine et cum dosi protonica 10¹², 10¹⁴, vel 10¹⁶ cm⁻² habebat. Deinde, iones Al cum dosibus protonicis 10²⁶ et 10¹⁷ cm⁻³ super totam laminam ad profunditatem 0–0.2 µm et 0.2–0.5 µm a superficie implantati sunt, deinde recoctio ad 1600°C facta est, ut operculum carbonis formaretur ad stratum typi p formandum. Deinde, contactus Ni a parte posteriori in latere substrati depositus est, dum contactus Ti/Al a parte anteriore, pectinis formae 2.0 mm × 2.0 mm, photolithographia et processu decorticationis formatus, in latere strati epitaxialis depositus est. Denique, recoctio contactuum temperatura 700°C perficitur. Post sectionem lamellae in frusta, characterizationem tensionis et applicationem perfecimus.
Proprietates I–V diodorum PiN fabricatarum observatae sunt utens analysatore parametrorum semiconductorum HP4155B. Ut tensio electrica, pulsus electricus 10 millisecundorum 212.5 A/cm2 per 2 horas introductus est frequentia 10 pulsus/sec. Cum densitatem currentis vel frequentiam inferiorem elegimus, expansionem 1SSF non observavimus, etiam in diodo PiN sine iniectione protonis. Durante tensione electrica applicata, temperatura diodi PiN est circa 70°C sine calefactione intentionali, ut in Figura S8 demonstratur. Imagines electroluminescentes captae sunt ante et post tensionem electricam densitate currentis 25 A/cm2. Topographia incidentiae radentis reflexionis synchrotronis utens fasciculo monochromatico radiorum X (λ = 0.15 nm) apud Centrum Radiationis Synchrotronis Aichi, vector ag in BL8S2 est -1-128 vel 11-28 (vide ref. 44 pro singulis).
Frequentia tensionis electricae ad densitatem currentis directam 2.5 A/cm2 in figura 2 extrahitur cum intervallo 0.5 V secundum CVC cuiusque status diodi PiN. Ex valore medio tensionis Vave et deviatione standard σ tensionis, curvam distributionis normalis in forma lineae punctatae in Figura 2 depingimus, hac aequatione utentes:
Werner, MR et Fahrner, WR: Recensio de materiis, microsensoribus, systematibus et instrumentis ad usus altae temperaturae et in ambitu aspero. Werner, MR et Fahrner, WR: Recensio de materiis, microsensoribus, systematibus et instrumentis ad usus altae temperaturae et in ambitu aspero.Werner, MR et Farner, WR. Conspectus materiarum, microsensorum, systematum et instrumentorum ad usus in temperaturis altis et ambitu aspero. Werner, MR & Fahrner, WR Werner, MR et Fahrner, WR. Recensio materiarum, microsensorum, systematum et instrumentorum ad usus temperaturae altae et ambitus adversi.Werner, MR et Farner, WR. Conspectus materiarum, microsensorum, systematum et instrumentorum ad usus in altis temperaturis et condicionibus asperis.IEEE Trans. Electronica Industrialia. 48, 249–257 (2001).
Kimoto, T. & Cooper, JA Fundamenta Technologiae Carburis Silicii Fundamenta Technologiae Carburis Silicii: Incrementum, Characterizatio, Instrumenta et Applicationes Vol. Kimoto, T. & Cooper, JA Fundamenta Technologiae Carburis Silicii Fundamenta Technologiae Carburis Silicii: Incrementum, Characterizatio, Instrumenta et Applicationes Vol.Kimoto, T. et Cooper, JA. Fundamenta Technologiae Carburis Silicii. Fundamenta Technologiae Carburis Silicii: Incrementum, Characteres, Instrumenta et Applicationes. Vol. Kimoto, T. & Cooper, JA Kimoto, T. & Cooper, JA. Basis technologiae carbonis-silici. Basis technologiae carbonis-silici: incrementum, descriptio, apparatus et volumen applicationis.Kimoto, T. et Cooper, J. Fundamenta Technologiae Carburis Silicii. Fundamenta Technologiae Carburis Silicii: Incrementum, Characteres, Instrumenta et Applicationes. Vol.252 (Wiley Singapore Pte Ltd, 2014).
Veliadis, V. *Commercializatio SiC Magnae Scalae: Status Quo et Impedimenta Superanda*. *Alma Mater*, *The Science*. Forum 1062, 125–130 (2022).
Broughton, J., Smet, V., Tummala, RR & Joshi, YK. Recensio technologiarum involucrorum thermalium pro electronicis potentiae autocineticae ad usus tractionis. Broughton, J., Smet, V., Tummala, RR & Joshi, YK. Recensio technologiarum involucrorum thermalium pro electronicis potentiae autocineticae ad usus tractionis.Broughton, J., Smet, V., Tummala, RR et Joshi, YK. Conspectus technologiarum involucrorum thermalium pro electronicis potentiae autocineticae ad usus tractionis. Broughton, J., Smet, V., Tummala, RR & Joshi, YK Broughton, J., Smet, V., Tummala, RR & Joshi, YKBroughton, J., Smet, V., Tummala, RR et Joshi, YK. Conspectus technologiae involucri thermalis pro electronicis potentiae autocineticae ad usus tractionis.J. Electron. *Package. Trance.* ASME 140, 1-11 (2018).
Sato, K., Kato, H. & Fukushima, T. Elaboratio systematis tractionis SiC applicati pro traminibus celerrimis Shinkansen novae generationis. Sato, K., Kato, H. & Fukushima, T. Elaboratio systematis tractionis SiC applicati pro traminibus celerrimis Shinkansen novae generationis.Sato K., Kato H. et Fukushima T. Elaboratio systematis tractionis SiC applicati pro novae generationis traminum Shinkansen celeritatis maximae.Sato K., Kato H. et Fukushima T. "Evolutio Systematis Tractionis ad Usus SiC pro Traminibus Shinkansen Celerrimis Novae Generationis." Appendix IEEJ J. Ind. 9, 453–459 (2020).
Senzaki, J., Hayashi, S., Yonezawa, Y. & Okumura, H. Provocationes ad machinas potentiae SiC valde fidas efficiendas: Ex statu et quaestionibus hodiernis laminarum SiC. Senzaki, J., Hayashi, S., Yonezawa, Y. & Okumura, H. Provocationes ad machinas potentiae SiC valde fidas efficiendas: Ex statu et quaestionibus hodiernis laminarum SiC.Senzaki, J., Hayashi, S., Yonezawa, Y. et Okumura, H. Problemata in implementatione instrumentorum potentiae SiC valde fidorum: incipiendo a statu praesenti et problemate SiC lamellaris. Senzaki, J., Hayashi, S., Yonezawa, Y. & Okumura, H. SiC SiC Senzaki, J., Hayashi, S., Yonezawa, Y. & Okumura, H. Provocatio assequendi altam firmitatem in artibus virtutis SiC: ex SiCSenzaki J, Hayashi S, Yonezawa Y. et Okumura H. Provocationes in evolutione instrumentorum potentiae altae firmitatis in carburo silicii fundatorum: recensio status et problematum cum laminis carburi silicii coniunctorum.In Symposio Internationali IEEE de Physica Fidelitatis (IRPS) anno 2018. (Senzaki, J. et al., edd.) 3B.3-1-3B.3-6 (IEEE, 2018).
Kim, D. et Sung, W. Augmentatio robustitatis contra circuitum brevem pro MOSFET 4H-SiC 1.2kV utens puteo P profundo per implantationem canaliculatam implementato. Kim, D. et Sung, W. Augmentatio robustitatis contra circuitum brevem pro MOSFET 4H-SiC 1.2kV utens puteo P profundo per implantationem canaliculatam implementato.Kim, D. et Sung, V. Immunitas contra circuitum brevem emendata pro MOSFET 4H-SiC 1.2 kV utens puteo P profundo per implantationem canalis implementato. Kim, D. & Sung, W. P 1.2kV 4H-SiC MOSFET 的短路耐用性。 Kim, D. & Sung, W. P 1.2kV 4H-SiC MOSFETKim, D. et Sung, V. Tolerantia circuitus brevis emendata MOSFETorum 4H-SiC 1.2 kV utens puteis P profundis per implantationem canalis.Epistula de Instrumentis Electronicis IEEE 42, 1822–1825 (2021).
Skowronski M. et al. Motus vitiorum recombinatione auctus in diodis 4H-SiC pn directe polarizatis. J. Application. Physica. 92, 4699–4704 (2002).
Ha, S., Mieszkowski, P., Skowronski, M. & Rowland, LB. Conversio dislocationum in epitaxia carburi silicii 4H. Ha, S., Mieszkowski, P., Skowronski, M. & Rowland, LB. Conversio dislocationum in epitaxia carburi silicii 4H.Ha S., Meszkowski P., Skowronski M. et Rowland LB. Transformatio dislocationis per epitaxiam carburi silicii 4H. Ha, S., Mieszkowski, P., Skowronski, M. & Rowland, LB 4H Ha, S., Mieszkowski, P., Skowronski, M. & Rowland, LB 4H. Ha, S., Meszkowski, P., Skowronski, M. & Rowland, LB .Transitio dislocationis 4H in epitaxia carburi silicii.J. Crystal. *Crescita* 244, 257–266 (2002).
Skowronski, M. et Ha, S. Degradatio instrumentorum bipolarium hexagonalium e carburo silicii fundatorum. Skowronski, M. et Ha, S. Degradatio instrumentorum bipolarium hexagonalium e carburo silicii fundatorum.Skowronski M. et Ha S. Degradatio instrumentorum bipolarium hexagonalium in carburo silicii fundatorum. Skowronski, M. & Ha, S. Skowronski M. et Ha S.Skowronski M. et Ha S. Degradatio instrumentorum bipolarium hexagonalium in carburo silicii fundatorum.J. *Applicatio* Physica 99, 011101 (2006).
Agarwal, A., Fatima, H., Haney, S. et Ryu, S.-H. Agarwal, A., Fatima, H., Haney, S. et Ryu, S.-H.Agarwal A., Fatima H., Heini S. et Ryu S.-H. Agarwal, A., Fatima, H., Haney, S. et Ryu, S.-H. Agarwal, A., Fatima, H., Haney, S. et Ryu, S.-H.Agarwal A., Fatima H., Heini S. et Ryu S.-H.Novus mechanismus degradationis pro MOSFETs potentiae SiC altae tensionis. IEEE Electronic Devices Lett. 28, 587–589 (2007).
Caldwell, JD, Stahlbush, RE, Ancona, MG, Glembocki, OJ & Hobart, KD. De vi impulsiva motus culpae accumulationis in 4H-SiC a recombinatione inducti. Caldwell, JD, Stahlbush, RE, Ancona, MG, Glembocki, OJ & Hobart, KD. De vi impulsiva motus culpae accumulationis in 4H-SiC a recombinatione inducti.Caldwell, JD, Stalbush, RE, Ancona, MG, Glemboki, OJ, et Hobart, KD. De vi impulsiva motus culpae accumulationis in 4H-SiC inducti per recombinationem. Caldwell, JD, Stahlbush, RE, Ancona, MG, Glembocki, OJ & Hobart, KD 4H-SiC Caldwell, JD, Stahlbush, RE, Ancona, MG, Glembocki, OJ & Hobart, KD.Caldwell, JD, Stalbush, RE, Ancona, MG, Glemboki, OJ, et Hobart, KD, De vi impulsiva motus culpae accumulationis in 4H-SiC inducti per recombinationem.J. *Applicatio*. Physica. 108, 044503 (2010).
Iijima, A. et Kimoto, T. Modellum energiae electronicae pro formatione singularis erroris Shockley accumulationis in crystallis 4H-SiC. Iijima, A. et Kimoto, T. Modellum energiae electronicae pro formatione singularis erroris Shockley accumulationis in crystallis 4H-SiC.Iijima, A. et Kimoto, T. Modellum electronum-energiae formationis singularum vitiorum impletionis Shockley in crystallis 4H-SiC. Iijima, A. & Kimoto, T. 4H-SiC Shockley Iijima, A. et Kimoto, T. Modellum energiae electronicae formationis singularis erroris Shockley accumulationis in crystallo 4H-SiC.Iijima, A. et Kimoto, T. Modellum electronum-energiae formationis impletionis Shockley defectus singularis in crystallis 4H-SiC.J. *Applicatio* Physica 126, 105703 (2019).
Iijima, A. et Kimoto, T. Aestimatio condicionis criticae pro expansione/contractione singularum vitiorum Shockley accumulationis in diodis 4H-SiC PiN. Iijima, A. et Kimoto, T. Aestimatio condicionis criticae pro expansione/contractione singularum vitiorum Shockley accumulationis in diodis 4H-SiC PiN.Iijima, A. et Kimoto, T. Aestimatio status critici pro expansione/compressione singularum vitiorum Shockley compactionis in diodis 4H-SiC PiN. Iijima, A. & Kimoto, T. 4H-SiC PiN Shockley 堆垛层错膨胀/收缩的临界条件。 Iijima, A. et Kimoto, T. Aestimatio condicionum expansionis/contractionis singularis strati Shockley accumulationis in diodis 4H-SiC PiN.Iijima, A. et Kimoto, T. Aestimatio condicionum criticarum pro expansione/compressione Shockley impletionis singularis vitii in diodis 4H-SiC PiN.Physica Applicata Wright. 116, 092105 (2020).
Mannen, Y., Shimada, K., Asada, K. & Ohtani, N. Modelum actionis putei quantici ad formationem singularis vitii Shockley accumulationis in crystallo 4H-SiC sub condicionibus non-aequilibrii. Mannen, Y., Shimada, K., Asada, K. & Ohtani, N. Modelum actionis putei quantici ad formationem singularis vitii Shockley accumulationis in crystallo 4H-SiC sub condicionibus non-aequilibrii.Mannen Y., Shimada K., Asada K., et Otani N. Modellum putei quantici ad formationem unius erroris Shockley accumulationis in crystallo 4H-SiC sub condicionibus non aequilibrii.Mannen Y., Shimada K., Asada K. et Otani N. *Modellum interactionis putei quantici ad formationem singularum fallarum Shockley accumulationis in crystallis 4H-SiC sub condicionibus non aequilibrii.* J. Application. Physics. 125, 085705 (2019).
Galeckas, A., Linnros, J. & Pirouz, P. Vitia accumulationis recombinatione inducta: Indicia mechanismi generalis in SiC hexagonali. Galeckas, A., Linnros, J. & Pirouz, P. Vitia accumulationis recombinatione inducta: Indicia mechanismi generalis in SiC hexagonali.Galeckas, A., Linnros, J. et Pirouz, P. Vitia Impletionis Recombinatione Inducta: Indicia Mechanismi Communis in SiC Hexagonali. Galeckas, A., Linnros, J. & Pirouz, P. SiC Galeckas, A., Linnros, J. & Pirouz, P. Indicia de mechanismo generali strati accumulationis inductionis compositae: SiC metallicum.Galeckas, A., Linnros, J. et Pirouz, P. Vitia Impletionis Recombinatione Inducta: Indicia Mechanismi Communis in SiC Hexagonali.Physica Pastor Wright. 96, 025502 (2006).
Ishikawa, Y., Sudo, M., Yao, Y.-Z., Sugawara, Y. et Kato, M. Expansio singularis vitii Shockley accumulationis in strato epitaxiali 4H-SiC (11²¯0) causata irradiatione fasciculi electronici.Ishikawa, Y., M. Sudo, irradiatio fasciculi Y.-Z.Ishikawa, Y., Sudo M., Y.-Z Psychology.Arca, ., . удо, Y.-Z Chem., J. Chem., 123, 225101 (2018).
Kato, M., Katahira, S., Ichikawa, Y., Harada, S. & Kimoto, T. Observatio recombinationis vectorum in singulis erroribus Shockley accumulationis et in dislocationibus partialibus in 4H-SiC. Kato, M., Katahira, S., Ichikawa, Y., Harada, S. & Kimoto, T. Observatio recombinationis vectorum in singulis erroribus Shockley accumulationis et in dislocationibus partialibus in 4H-SiC.Kato M., Katahira S., Itikawa Y., Harada S. et Kimoto T. Observatio Recombinationis Vectoris in Vitiis Singularibus Impletionis Shockley et Luxationibus Partialibus in 4H-SiC. Kato, M., Katahira, S., Ichikawa, Y., Harada, S. & Kimoto, T. Shockley 4H-SiC Kato, M., Katahira, S., Ichikawa, Y., Harada, S. & Kimoto, T. Shockley positis positis 4H-SiC partialibusKato M., Katahira S., Itikawa Y., Harada S. et Kimoto T. Observatio Recombinationis Vectoris in Vitiis Singularibus Impletionis Shockley et Luxationibus Partialibus in 4H-SiC.J. Physica Applicata 124, 095702 (2018).
Kimoto, T. et Watanabe, H. De vitiorum in technologia SiC pro instrumentis potentiae altae tensionis. Kimoto, T. et Watanabe, H. De vitiorum in technologia SiC pro instrumentis potentiae altae tensionis.Kimoto, T. et Watanabe, H. Progressus vitiorum in technologia SiC pro instrumentis potentiae altae tensionis. Kimoto, T. & Watanabe, H. SiC Kimoto, T. et Watanabe, H. De vitiorum in technologia SiC pro instrumentis potentiae altae tensionis.Kimoto, T. et Watanabe, H. Progressus vitiorum in technologia SiC pro instrumentis potentiae altae tensionis.Physica Applicata Express 13, 120101 (2020).
Zhang, Z. et Sudarshan, TS Epitaxia sine dislocationibus plani basalis carburi silicii. Zhang, Z. et Sudarshan, TS Epitaxia sine dislocationibus plani basalis carburi silicii.Zhang Z. et Sudarshan TS Epitaxia sine dislocatione carburi silicii in plano basali. Zhang, Z. & Sudarshan, TS Zhang, Z. et Sudarshan, T.S.Zhang Z. et Sudarshan TS Epitaxia sine dislocatione planorum basalium carburi silicii.Enuntiatum. Physica. Wright. 87, 151913 (2005).
Zhang, Z., Moulton, E. & Sudarshan, TS. Mechanismus eliminandi dislocationes plani basalis in pelliculis tenuibus SiC per epitaxiam in substrato inciso. Zhang, Z., Moulton, E. & Sudarshan, TS. Mechanismus eliminandi dislocationes plani basalis in pelliculis tenuibus SiC per epitaxiam in substrato inciso.Zhang Z., Moulton E. et Sudarshan TS. Mechanismus eliminationis dislocationum plani basalis in pelliculis tenuibus SiC per epitaxiam in substrato inciso. Zhang, Z., Moulton, E. & Sudarshan, TS SiC Zhang, Z., Moulton, E. & Sudarshan, TS. Mechanismus eliminationis pelliculae tenuis SiC per corrosionem substrati.Zhang Z., Moulton E. et Sudarshan TS. Mechanismus eliminationis dislocationum plani basalis in pelliculis tenuibus SiC per epitaxiam in substratis incisis.Physica Applicata Wright. 89, 081910 (2006).
Shtalbush RE et al. Interruptio accretionis ad decrementum dislocationum plani basalis per epitaxiam 4H-SiC ducit. Declaratio physica. Wright. 94, 041916 (2009).
Zhang, X. et Tsuchida, H. Conversio dislocationum plani basalis in dislocationes marginis filetati in stratis epitelialibus 4H-SiC per recoctionem altae temperaturae. Zhang, X. et Tsuchida, H. Conversio dislocationum plani basalis in dislocationes marginis filetati in stratis epitelialibus 4H-SiC per recoctionem altae temperaturae.Zhang, X. et Tsuchida, H. Transformatio dislocationum plani basalis in dislocationes marginis filetati in stratis epitaxialibus 4H-SiC per recoctionem altae temperaturae. Zhang, X. & Tsuchida, H. 4H-SiC Zhang, X. & Tsuchida, H. 4H-SiC .Zhang, X. et Tsuchida, H. Transformatio dislocationum plani basis in dislocationes marginis filamenti in stratis epitaxialibus 4H-SiC per recoctionem altae temperaturae.J. *Applicatio*. Physica. 111, 123512 (2012).
Song, H. & Sudarshan, TS. Conversio dislocationis plani basalis prope interfaciem epilaminaris/substrati in incremento epitaxiali 4H–SiC 4° extra axem. Song, H. & Sudarshan, TS. Conversio dislocationis plani basalis prope interfaciem epilaminaris/substrati in incremento epitaxiali 4H–SiC 4° extra axem.Song, H. et Sudarshan, TS. Transformatio dislocationum plani basalis prope interfaciem strati epitaxialis et substrati durante accretione epitaxiali extra axem 4H-SiC. Song, H. & Sudarshan, TS 4° 4H-SiC /衬底界面附近的基底平面位错转换。 Song, H. & Sudarshan, TS 4° 4H-SiC Song, H. et Sudarshan, T.S.Transitio dislocationis planae substrati prope limitem strati epitaxialis/substrati durante accretione epitaxiali 4H-SiC extra axem 4°.J. Crystal. *Crescita* 371, 94–101 (2013).
Konishi, K. et al. Ad magnum currentem, propagatio erroris accumulationis dislocationum plani basalis in stratis epitaxialibus 4H-SiC in dislocationes marginis filamenti transformatur. J. Application. physics. 114, 014504 (2013).
Konishi, K. et al. Strata epitaxialia pro MOSFETs SiC bipolaribus non degradabilibus designa per detectionem locorum nucleationis errorum accumulationis extensae in analysi topographica radiorum X operationalium. AIP Advanced 12, 035310 (2022).
Lin, S. et al. *Influentia structurae dislocationis plani basalis in propagationem singularis erroris cumulationis generis Shockley durante decrescentia currentis directae diodorum pin 4H-SiC.* Iaponia. J. Application. Physics. 57, 04FR07 (2018).
Tahara, T., et al. Brevis vita vectoris minoritatis in stratis epicellularibus 4H-SiC nitrogenio divitibus adhibita est ad vitia accumulationis in diodis PiN supprimenda. J. Application. physics. 120, 115101 (2016).
Tahara, T. et al. Dependentia concentrationis vectoris iniecti propagationis singularis erroris Shockley accumulationis in diodis 4H-SiC PiN. J. Application. Physics 123, 025707 (2018).
Mae, S., Tawara, T., Tsuchida, H. & Kato, M. Systema FCA microscopicum ad mensuram vitae vectoris in SiC secundum profunditatem resolutam. Mae, S., Tawara, T., Tsuchida, H. & Kato, M. Systema FCA microscopicum ad mensuram vitae vectoris in SiC secundum profunditatem resolutam.Mei, S., Tawara, T., Tsuchida, H. et Kato, M. Systema Microscopicum FCA ad Mensuras Durationis Vectoris Profunditate Resolutae in Carbido Silicii. Mae, S.、Tawara, T.、Tsuchida, H. & Kato, M. SiC FCA Mae, S.、Tawara, T.、Tsuchida, H. & Kato, M. SiC medium profundum vitae mensurae FCA system.Mei S., Tawara T., Tsuchida H. et Kato M. Systema Micro-FCA ad mensuras vitae vectoris in profunditate resolutas in carburo silicii.Forum Scientiarum Almae Materis 924, 269–272 (2018).
Hirayama, T. et al. Distributio profunditatis temporum vitae vectorum in crassis stratis epitaxialibus 4H-SiC non destructive mensurata est, utens resolutione temporali absorptionis vectoris liberi et lucis transversae. *Switch to science. meter.* 91, 123902 (2020).
Tempus publicationis: VI Novembris MMXXII
